Tin tức
-
Thiết bị cắt laser độ chính xác cao cho wafer SiC 8 inch: Công nghệ cốt lõi cho quá trình xử lý wafer SiC trong tương lai
Silicon carbide (SiC) không chỉ là công nghệ then chốt cho quốc phòng mà còn là vật liệu then chốt cho ngành công nghiệp ô tô và năng lượng toàn cầu. Là bước quan trọng đầu tiên trong quá trình xử lý tinh thể đơn SiC, việc cắt lát wafer quyết định trực tiếp đến chất lượng của quá trình làm mỏng và đánh bóng tiếp theo. Tr...Đọc thêm -
Kính AR ống dẫn sóng silicon carbide cấp quang học: Chuẩn bị chất nền bán cách điện có độ tinh khiết cao
Trong bối cảnh cuộc cách mạng AI, kính AR đang dần dần đi vào nhận thức của công chúng. Là một mô hình kết hợp liền mạch giữa thế giới ảo và thực, kính AR khác biệt so với thiết bị VR ở chỗ cho phép người dùng cảm nhận cả hình ảnh được chiếu kỹ thuật số và ánh sáng môi trường xung quanh...Đọc thêm -
Sự phát triển dị hướng của 3C-SiC trên các chất nền silicon có hướng khác nhau
1. Giới thiệu Mặc dù đã trải qua nhiều thập kỷ nghiên cứu, vật liệu 3C-SiC heteroepiaxial được nuôi cấy trên nền silicon vẫn chưa đạt được chất lượng tinh thể đủ tốt cho các ứng dụng điện tử công nghiệp. Quá trình nuôi cấy thường được thực hiện trên nền Si(100) hoặc Si(111), mỗi loại đều có những thách thức riêng: phản pha...Đọc thêm -
Gốm sứ Silicon Carbide so với Silicon Carbide bán dẫn: Cùng một vật liệu với hai số phận khác biệt
Silicon carbide (SiC) là một hợp chất đáng chú ý có thể được tìm thấy trong cả ngành công nghiệp bán dẫn và các sản phẩm gốm sứ tiên tiến. Điều này thường gây nhầm lẫn cho người dùng phổ thông, họ có thể nhầm lẫn chúng là cùng một loại sản phẩm. Trên thực tế, mặc dù có thành phần hóa học giống hệt nhau, SiC thể hiện...Đọc thêm -
Tiến bộ trong công nghệ chế tạo gốm silicon carbide có độ tinh khiết cao
Gốm silicon carbide (SiC) có độ tinh khiết cao đã trở thành vật liệu lý tưởng cho các linh kiện quan trọng trong ngành công nghiệp bán dẫn, hàng không vũ trụ và hóa chất nhờ độ dẫn nhiệt, độ ổn định hóa học và độ bền cơ học vượt trội. Với nhu cầu ngày càng tăng về hiệu suất cao, độ bóng thấp...Đọc thêm -
Nguyên lý kỹ thuật và quy trình sản xuất tấm wafer epitaxy LED
Từ nguyên lý hoạt động của đèn LED, rõ ràng vật liệu wafer epitaxial là thành phần cốt lõi của đèn LED. Trên thực tế, các thông số quang điện tử quan trọng như bước sóng, độ sáng và điện áp thuận phần lớn được xác định bởi vật liệu wafer epitaxial. Công nghệ và thiết bị wafer epitaxial...Đọc thêm -
Những cân nhắc chính để chế tạo tinh thể đơn silicon carbide chất lượng cao
Các phương pháp chính để chế tạo tinh thể đơn silic bao gồm: Vận chuyển hơi vật lý (PVT), Tăng trưởng dung dịch hạt trên cùng (TSSG) và Lắng đọng hơi hóa học nhiệt độ cao (HT-CVD). Trong số đó, phương pháp PVT được áp dụng rộng rãi trong sản xuất công nghiệp nhờ thiết bị đơn giản, dễ dàng thực hiện...Đọc thêm -
Lithium Niobate trên chất cách điện (LNOI): Thúc đẩy sự phát triển của mạch tích hợp quang tử
Giới thiệu Lấy cảm hứng từ sự thành công của mạch tích hợp điện tử (EIC), lĩnh vực mạch tích hợp quang tử (PIC) đã phát triển kể từ khi ra đời vào năm 1969. Tuy nhiên, không giống như EIC, việc phát triển một nền tảng phổ quát có khả năng hỗ trợ nhiều ứng dụng quang tử khác nhau vẫn còn ...Đọc thêm -
Những cân nhắc chính để sản xuất tinh thể đơn Silicon Carbide (SiC) chất lượng cao
Những cân nhắc chính để sản xuất tinh thể đơn silicon carbide (SiC) chất lượng cao Các phương pháp chính để phát triển tinh thể đơn silicon carbide bao gồm Vận chuyển hơi vật lý (PVT), Phát triển dung dịch gieo hạt trên cùng (TSSG) và Hóa học nhiệt độ cao...Đọc thêm -
Công nghệ wafer epitaxial LED thế hệ tiếp theo: Cung cấp năng lượng cho tương lai của chiếu sáng
Đèn LED thắp sáng thế giới của chúng ta, và trung tâm của mỗi đèn LED hiệu suất cao chính là wafer epitaxial—một thành phần quan trọng quyết định độ sáng, màu sắc và hiệu suất của đèn. Bằng cách nắm vững khoa học về sự phát triển epitaxial, ...Đọc thêm -
Sự kết thúc của một kỷ nguyên? Vụ phá sản của Wolfspeed định hình lại bối cảnh SiC
Vụ phá sản của Wolfspeed báo hiệu bước ngoặt lớn cho ngành công nghiệp bán dẫn SiC Wolfspeed, công ty dẫn đầu lâu năm về công nghệ silicon carbide (SiC), đã nộp đơn xin phá sản trong tuần này, đánh dấu một sự thay đổi đáng kể trong bối cảnh thị trường bán dẫn SiC toàn cầu. Công ty...Đọc thêm -
Phân tích toàn diện về sự hình thành ứng suất trong thạch anh nung chảy: Nguyên nhân, cơ chế và tác động
1. Ứng suất nhiệt trong quá trình làm nguội (Nguyên nhân chính) Thạch anh nóng chảy tạo ra ứng suất trong điều kiện nhiệt độ không đồng đều. Ở bất kỳ nhiệt độ nào, cấu trúc nguyên tử của thạch anh nóng chảy đều đạt đến cấu hình không gian tương đối "tối ưu". Khi nhiệt độ thay đổi, ứng suất nguyên tử...Đọc thêm