Tin tức
-
Ứng dụng của chất nền silicon carbide dẫn điện và bán cách điện
Tấm nền silicon carbide được chia thành loại bán cách điện và loại dẫn điện. Hiện nay, thông số kỹ thuật chính của các sản phẩm tấm nền silicon carbide bán cách điện là 4 inch. Trong đó, tấm nền silicon carbide dẫn điện...Đọc thêm -
Có sự khác biệt nào trong ứng dụng của tấm sapphire có hướng tinh thể khác nhau không?
Sapphire là tinh thể đơn của nhôm oxit, thuộc hệ tinh thể ba phần, cấu trúc lục phương, cấu trúc tinh thể của nó bao gồm ba nguyên tử oxy và hai nguyên tử nhôm theo kiểu liên kết cộng hóa trị, sắp xếp rất khít nhau, có chuỗi liên kết và năng lượng mạng tinh thể mạnh, trong khi tinh thể của nó...Đọc thêm -
Sự khác biệt giữa chất nền dẫn điện SiC và chất nền bán cách điện là gì?
Thiết bị silicon carbide SiC là thiết bị được làm từ silicon carbide làm nguyên liệu thô. Theo các đặc tính điện trở khác nhau, nó được chia thành thiết bị điện silicon carbide dẫn điện và thiết bị RF silicon carbide bán cách điện. Các hình dạng thiết bị chính và...Đọc thêm -
Một bài viết dẫn bạn đến bậc thầy về TGV
TGV là gì? TGV (Through-Glass via), một công nghệ tạo ra các lỗ xuyên qua trên nền kính. Nói một cách đơn giản, TGV là một tòa nhà cao tầng đục lỗ, lấp đầy và kết nối lên xuống kính để tạo ra các mạch tích hợp trên bề mặt kính...Đọc thêm -
Các chỉ số đánh giá chất lượng bề mặt wafer là gì?
Với sự phát triển không ngừng của công nghệ bán dẫn, trong ngành công nghiệp bán dẫn và thậm chí cả ngành công nghiệp quang điện, yêu cầu về chất lượng bề mặt của đế wafer hoặc tấm epitaxy cũng rất khắt khe. Vậy, yêu cầu chất lượng của...Đọc thêm -
Bạn biết bao nhiêu về quy trình phát triển tinh thể đơn SiC?
Silicon carbide (SiC), một loại vật liệu bán dẫn có khoảng cách dải rộng, đang ngày càng đóng vai trò quan trọng trong việc ứng dụng khoa học và công nghệ hiện đại. Silicon carbide có độ ổn định nhiệt tuyệt vời, khả năng chịu điện trường cao, độ dẫn điện có chủ đích và...Đọc thêm -
Cuộc chiến đột phá của chất nền SiC trong nước
Trong những năm gần đây, với sự thâm nhập liên tục của các ứng dụng hạ nguồn như xe năng lượng mới, phát điện quang điện và lưu trữ năng lượng, SiC, với tư cách là vật liệu bán dẫn mới, đóng vai trò quan trọng trong các lĩnh vực này. Theo...Đọc thêm -
MOSFET SiC, 2300 vôn.
Vào ngày 26, Power Cube Semi đã công bố việc phát triển thành công chất bán dẫn MOSFET SiC (Silicon Carbide) 2300V đầu tiên tại Hàn Quốc. So với các chất bán dẫn gốc Si (Silicon) hiện có, SiC (Silicon Carbide) có thể chịu được điện áp cao hơn, do đó được ca ngợi là...Đọc thêm -
Sự phục hồi của ngành bán dẫn chỉ là ảo tưởng?
Từ năm 2021 đến năm 2022, thị trường bán dẫn toàn cầu đã tăng trưởng nhanh chóng do nhu cầu đặc biệt gia tăng do đại dịch COVID-19. Tuy nhiên, khi nhu cầu đặc biệt do đại dịch COVID-19 kết thúc vào nửa cuối năm 2022 và giảm mạnh xuống...Đọc thêm -
Năm 2024, chi tiêu vốn cho chất bán dẫn đã giảm
Hôm thứ Tư, Tổng thống Biden đã công bố thỏa thuận cung cấp cho Intel 8,5 tỷ đô la tài trợ trực tiếp và 11 tỷ đô la vay theo Đạo luật CHIPS và Khoa học. Intel sẽ sử dụng khoản tài trợ này cho các nhà máy sản xuất wafer của mình tại Arizona, Ohio, New Mexico và Oregon. Như đã đưa tin trong...Đọc thêm -
Tấm wafer SiC là gì?
Tấm wafer SiC là chất bán dẫn được làm từ silicon carbide. Vật liệu này được phát triển vào năm 1893 và lý tưởng cho nhiều ứng dụng khác nhau. Đặc biệt phù hợp cho điốt Schottky, điốt Schottky rào cản tiếp giáp, công tắc và transistor hiệu ứng trường kim loại-ôxít-bán dẫn...Đọc thêm -
Giải thích sâu sắc về chất bán dẫn thế hệ thứ ba – silicon carbide
Giới thiệu về silicon carbide Silicon carbide (SiC) là một hợp chất bán dẫn được cấu tạo từ carbon và silicon, là một trong những vật liệu lý tưởng để chế tạo các thiết bị chịu nhiệt độ cao, tần số cao, công suất cao và điện áp cao. So với vật liệu truyền thống ...Đọc thêm