Ưu điểm củaQua Kính Qua (TGV)và Thông qua Silicon Via(TSV) các quy trình qua TGV chủ yếu là:
(1) đặc tính điện tần số cao tuyệt vời. Vật liệu thủy tinh là vật liệu cách điện, hằng số điện môi chỉ bằng 1/3 so với vật liệu silicon và hệ số tổn thất thấp hơn 2-3 bậc so với vật liệu silicon, khiến cho sự mất mát chất nền và hiệu ứng ký sinh giảm đi rất nhiều và đảm bảo tính toàn vẹn của tín hiệu truyền đi;
(2)kích thước lớn và chất nền thủy tinh siêu mỏngrất dễ dàng để có được. Corning, Asahi và SCHOTT và các nhà sản xuất kính khác có thể cung cấp kính tấm kích thước siêu lớn (>2m × 2m) và siêu mỏng (<50µm) cũng như vật liệu kính dẻo siêu mỏng.
3) Chi phí thấp. Được hưởng lợi từ việc dễ dàng tiếp cận tấm kính siêu mỏng kích thước lớn và không cần lắng đọng các lớp cách điện, chi phí sản xuất tấm tiếp hợp kính chỉ bằng khoảng 1/8 so với tấm tiếp hợp gốc silicon;
4) Quy trình đơn giản. Không cần phải phủ một lớp cách điện lên bề mặt đế và thành trong của TGV, và không cần làm mỏng tấm tiếp hợp siêu mỏng;
(5) Độ ổn định cơ học mạnh mẽ. Ngay cả khi độ dày của tấm tiếp hợp nhỏ hơn 100µm, độ cong vênh vẫn nhỏ;
(6) Phạm vi ứng dụng rộng rãi, là công nghệ kết nối theo chiều dọc mới nổi được áp dụng trong lĩnh vực đóng gói ở cấp độ wafer, để đạt được khoảng cách ngắn nhất giữa wafer-wafer, bước tối thiểu của kết nối cung cấp một đường dẫn công nghệ mới, với khả năng điện tuyệt vời , tính chất nhiệt, cơ học, trong chip RF, cảm biến MEMS cao cấp, tích hợp hệ thống mật độ cao và các lĩnh vực khác với những ưu điểm độc đáo, là thế hệ tiếp theo của chip tần số cao 5G, 6G 3D. Đây là một trong những lựa chọn đầu tiên cho Bao bì 3D của chip tần số cao 5G và 6G thế hệ tiếp theo.
Quá trình đúc của TGV chủ yếu bao gồm phun cát, khoan siêu âm, khắc ướt, khắc ion phản ứng sâu, khắc quang, khắc laser, khắc sâu do laser và hình thành lỗ phóng điện tập trung.
Các kết quả nghiên cứu và phát triển gần đây cho thấy công nghệ này có thể chuẩn bị xuyên qua các lỗ và lỗ mù 5:1 với tỷ lệ chiều sâu và chiều rộng là 20:1 và có hình thái tốt. Khắc sâu bằng laser, dẫn đến độ nhám bề mặt nhỏ, là phương pháp được nghiên cứu nhiều nhất hiện nay. Như được hiển thị trong Hình 1, có những vết nứt rõ ràng xung quanh quá trình khoan bằng laser thông thường, trong khi các thành xung quanh và thành bên của quá trình khắc sâu do laser tạo ra sạch sẽ và mịn màng.
Quá trình xử lý củaTGVbộ chuyển đổi được thể hiện trong Hình 2. Sơ đồ tổng thể là khoan lỗ trên đế thủy tinh trước, sau đó đặt lớp rào cản và lớp hạt giống lên thành bên và bề mặt. Lớp rào cản ngăn chặn sự khuếch tán của Cu sang nền thủy tinh, đồng thời làm tăng độ bám dính của cả hai, tất nhiên, trong một số nghiên cứu cũng cho thấy lớp rào cản là không cần thiết. Sau đó Cu được lắng đọng bằng cách mạ điện, sau đó được ủ và lớp Cu được CMP loại bỏ. Cuối cùng, lớp quấn lại RDL được chuẩn bị bằng kỹ thuật in thạch bản phủ PVD và lớp thụ động được hình thành sau khi loại bỏ keo.
(a) Chuẩn bị wafer, (b) hình thành TGV, (c) mạ điện hai mặt – lắng đọng đồng, (d) ủ và đánh bóng cơ-hóa học CMP, loại bỏ lớp đồng bề mặt, (e) phủ PVD và in thạch bản , (f) vị trí của lớp quấn lại RDL, (g) khử keo và khắc Cu / Ti, (h) hình thành lớp thụ động.
Tóm lại,lỗ xuyên kính (TGV)triển vọng ứng dụng rất rộng và thị trường nội địa hiện tại đang trong giai đoạn phát triển, từ thiết bị đến thiết kế sản phẩm và tốc độ tăng trưởng nghiên cứu và phát triển đều cao hơn mức trung bình toàn cầu
Nếu có vi phạm liên hệ xóa
Thời gian đăng: 16-07-2024