Những lợi thế củaQua Kính Via (TGV)và các quy trình Through Silicon Via(TSV) trên TGV chủ yếu là:
(1) đặc tính điện tần số cao tuyệt vời. Vật liệu thủy tinh là vật liệu cách điện, hằng số điện môi chỉ bằng khoảng 1/3 vật liệu silicon, hệ số tổn thất thấp hơn vật liệu silicon 2-3 bậc độ lớn, giúp giảm đáng kể tổn thất nền và hiệu ứng ký sinh, đảm bảo tính toàn vẹn của tín hiệu truyền đi;
(2)kích thước lớn và chất nền thủy tinh siêu mỏngdễ dàng có được. Corning, Asahi và SCHOTT cùng các nhà sản xuất kính khác có thể cung cấp kính tấm kích thước cực lớn (>2m × 2m) và kính tấm siêu mỏng (<50µm) cùng vật liệu kính dẻo siêu mỏng.
3) Chi phí thấp. Được hưởng lợi từ việc dễ dàng tiếp cận với tấm kính siêu mỏng kích thước lớn và không yêu cầu lắng đọng các lớp cách nhiệt, chi phí sản xuất tấm chuyển đổi kính chỉ bằng khoảng 1/8 so với tấm chuyển đổi gốc silicon;
4) Quy trình đơn giản. Không cần phải phủ lớp cách điện lên bề mặt đế và thành trong của TGV, không cần phải làm mỏng tấm tiếp hợp siêu mỏng;
(5) Độ ổn định cơ học mạnh. Ngay cả khi độ dày của tấm tiếp hợp nhỏ hơn 100µm, độ cong vênh vẫn nhỏ;
(6) Phạm vi ứng dụng rộng, là công nghệ kết nối dọc mới nổi được ứng dụng trong lĩnh vực đóng gói cấp wafer, để đạt được khoảng cách ngắn nhất giữa wafer-wafer, bước tối thiểu của kết nối cung cấp một đường dẫn công nghệ mới, với các tính chất điện, nhiệt, cơ học tuyệt vời, trong chip RF, cảm biến MEMS cao cấp, tích hợp hệ thống mật độ cao và các lĩnh vực khác với những ưu điểm độc đáo, là thế hệ tiếp theo của chip tần số cao 5G, 6G 3D Đây là một trong những lựa chọn đầu tiên cho việc đóng gói 3D chip tần số cao 5G và 6G thế hệ tiếp theo.
Quá trình đúc TGV chủ yếu bao gồm phun cát, khoan siêu âm, khắc ướt, khắc ion phản ứng sâu, khắc nhạy sáng, khắc laser, khắc sâu bằng laser và hình thành lỗ xả tập trung.
Kết quả nghiên cứu và phát triển gần đây cho thấy công nghệ này có thể chế tạo các lỗ xuyên và lỗ mù 5:1 với tỷ lệ chiều sâu trên chiều rộng là 20:1 và có hình thái tốt. Khắc sâu bằng laser, tạo ra độ nhám bề mặt nhỏ, là phương pháp được nghiên cứu nhiều nhất hiện nay. Như thể hiện trong Hình 1, có các vết nứt rõ ràng xung quanh quá trình khoan laser thông thường, trong khi các thành xung quanh và bên của quá trình khắc sâu bằng laser sạch và nhẵn.
Quá trình xử lý củaTàu cao tốcinterposer được thể hiện trong Hình 2. Sơ đồ tổng thể là khoan lỗ trên nền thủy tinh trước, sau đó lắng đọng lớp chắn và lớp hạt giống trên thành bên và bề mặt. Lớp chắn ngăn chặn sự khuếch tán của Cu vào nền thủy tinh, đồng thời tăng độ bám dính của cả hai, tất nhiên, trong một số nghiên cứu cũng phát hiện ra rằng lớp chắn là không cần thiết. Sau đó, Cu được lắng đọng bằng cách mạ điện, sau đó ủ và lớp Cu được loại bỏ bằng CMP. Cuối cùng, lớp nối lại RDL được chuẩn bị bằng phương pháp quang khắc phủ PVD và lớp thụ động được hình thành sau khi loại bỏ keo.
(a) Chuẩn bị wafer, (b) hình thành TGV, (c) mạ điện hai mặt – lắng đọng đồng, (d) ủ và đánh bóng cơ học hóa học CMP, loại bỏ lớp đồng bề mặt, (e) phủ PVD và in thạch bản, (f) đặt lớp nối lại RDL, (g) tẩy keo và khắc Cu/Ti, (h) hình thành lớp thụ động.
Tóm lại,kính xuyên lỗ (TGV)triển vọng ứng dụng rộng rãi, và thị trường trong nước hiện đang trong giai đoạn tăng trưởng, từ thiết bị đến thiết kế sản phẩm và tốc độ tăng trưởng nghiên cứu và phát triển cao hơn mức trung bình toàn cầu
Nếu có vi phạm, liên hệ xóa
Thời gian đăng: 16-07-2024