Tấm wafer SiC là chất bán dẫn được làm từ cacbua silic. Vật liệu này được phát triển vào năm 1893 và lý tưởng cho nhiều ứng dụng. Đặc biệt thích hợp cho điốt Schottky, điốt Schottky rào cản tiếp giáp, công tắc và bóng bán dẫn hiệu ứng trường bán dẫn oxit kim loại. Do độ cứng cao nên nó là sự lựa chọn tuyệt vời cho các linh kiện điện tử công suất.
Hiện nay, có hai loại tấm wafer SiC chính. Đầu tiên là một tấm wafer được đánh bóng, là một tấm wafer silicon cacbua đơn. Nó được làm bằng tinh thể SiC có độ tinh khiết cao và có thể có đường kính 100mm hoặc 150mm. Nó được sử dụng trong các thiết bị điện tử công suất cao. Loại thứ hai là wafer silicon cacbua tinh thể epiticular. Loại wafer này được tạo ra bằng cách thêm một lớp tinh thể silicon cacbua lên bề mặt. Phương pháp này yêu cầu kiểm soát chính xác độ dày của vật liệu và được gọi là epitaxy loại N.
Loại tiếp theo là beta silic cacbua. Beta SiC được sản xuất ở nhiệt độ trên 1700 độ C. Cacbua alpha là loại phổ biến nhất và có cấu trúc tinh thể lục giác tương tự như wurtzite. Dạng beta tương tự như kim cương và được sử dụng trong một số ứng dụng. Nó luôn là sự lựa chọn hàng đầu cho các sản phẩm bán thành phẩm chạy bằng điện. Một số nhà cung cấp tấm wafer cacbua silic bên thứ ba hiện đang nghiên cứu loại vật liệu mới này.
Tấm wafer ZMSH SiC là vật liệu bán dẫn rất phổ biến. Nó là vật liệu bán dẫn chất lượng cao, rất phù hợp cho nhiều ứng dụng. Tấm silicon cacbua ZMSH là vật liệu rất hữu ích cho nhiều loại thiết bị điện tử. ZMSH cung cấp nhiều loại tấm wafer và chất nền SiC chất lượng cao. Chúng có sẵn ở dạng loại N và dạng bán cách nhiệt.
2---Silicon Carbide: Hướng tới kỷ nguyên mới của tấm bán dẫn
Tính chất vật lý và đặc tính của cacbua silic
Cacbua silic có cấu trúc tinh thể đặc biệt, sử dụng cấu trúc lục giác đóng kín tương tự như kim cương. Cấu trúc này cho phép cacbua silic có tính dẫn nhiệt tuyệt vời và khả năng chịu nhiệt độ cao. So với vật liệu silicon truyền thống, cacbua silic có độ rộng khoảng cách dải lớn hơn, mang lại khoảng cách dải electron cao hơn, dẫn đến độ linh động của electron cao hơn và dòng rò thấp hơn. Ngoài ra, cacbua silic còn có tốc độ trôi bão hòa điện tử cao hơn và điện trở suất của vật liệu thấp hơn, mang lại hiệu suất tốt hơn cho các ứng dụng năng lượng cao.
Các trường hợp ứng dụng và triển vọng của tấm silicon cacbua
Ứng dụng điện tử công suất
Tấm wafer cacbua silic có triển vọng ứng dụng rộng rãi trong lĩnh vực điện tử công suất. Do tính linh động của điện tử cao và độ dẫn nhiệt tuyệt vời, các tấm wafer SIC có thể được sử dụng để sản xuất các thiết bị chuyển mạch mật độ năng lượng cao, chẳng hạn như mô-đun nguồn cho xe điện và bộ biến tần năng lượng mặt trời. Độ ổn định nhiệt độ cao của tấm silicon cacbua cho phép các thiết bị này hoạt động trong môi trường nhiệt độ cao, mang lại hiệu quả và độ tin cậy cao hơn.
Ứng dụng quang điện tử
Trong lĩnh vực thiết bị quang điện tử, tấm silicon cacbua thể hiện những ưu điểm độc đáo của chúng. Vật liệu cacbua silic có đặc tính vùng cấm rộng, cho phép nó đạt được năng lượng photonon cao và độ mất ánh sáng thấp trong các thiết bị quang điện tử. Tấm silicon cacbua có thể được sử dụng để chế tạo các thiết bị liên lạc tốc độ cao, bộ tách sóng quang và laser. Độ dẫn nhiệt tuyệt vời và mật độ khuyết tật tinh thể thấp khiến nó trở nên lý tưởng để chế tạo các thiết bị quang điện tử chất lượng cao.
Triển vọng
Với nhu cầu ngày càng tăng về các thiết bị điện tử hiệu suất cao, tấm silicon cacbua có một tương lai đầy hứa hẹn như một vật liệu có đặc tính tuyệt vời và tiềm năng ứng dụng rộng rãi. Với sự cải tiến liên tục của công nghệ chuẩn bị và giảm chi phí, ứng dụng thương mại của tấm silicon cacbua sẽ được thúc đẩy. Dự kiến trong vài năm tới, tấm silicon cacbua sẽ dần dần gia nhập thị trường và trở thành lựa chọn chủ đạo cho các ứng dụng công suất cao, tần số cao và nhiệt độ cao.
3 --- Phân tích chuyên sâu về thị trường wafer SiC và xu hướng công nghệ
Phân tích chuyên sâu về các yếu tố thúc đẩy thị trường bánh bán dẫn silicon cacbua (SiC)
Sự tăng trưởng của thị trường wafer silicon cacbua (SiC) bị ảnh hưởng bởi một số yếu tố chính và phân tích chuyên sâu về tác động của các yếu tố này trên thị trường là rất quan trọng. Dưới đây là một số trình điều khiển thị trường chính:
Tiết kiệm năng lượng và bảo vệ môi trường: Đặc tính hiệu suất cao và tiêu thụ điện năng thấp của vật liệu cacbua silic khiến nó trở nên phổ biến trong lĩnh vực tiết kiệm năng lượng và bảo vệ môi trường. Nhu cầu về xe điện, bộ biến tần năng lượng mặt trời và các thiết bị chuyển đổi năng lượng khác đang thúc đẩy sự tăng trưởng của thị trường tấm silicon cacbua vì nó giúp giảm lãng phí năng lượng.
Ứng dụng Điện tử công suất: Cacbua silic vượt trội trong các ứng dụng điện tử công suất và có thể được sử dụng trong điện tử công suất trong môi trường áp suất cao và nhiệt độ cao. Với việc phổ biến năng lượng tái tạo và thúc đẩy quá trình chuyển đổi năng lượng điện, nhu cầu về tấm silicon cacbua trên thị trường điện tử công suất tiếp tục tăng.
Phân tích chi tiết xu hướng phát triển công nghệ sản xuất tấm wafer SiC trong tương lai
Sản xuất hàng loạt và giảm chi phí: Sản xuất wafer SiC trong tương lai sẽ tập trung nhiều hơn vào sản xuất hàng loạt và giảm chi phí. Điều này bao gồm các kỹ thuật tăng trưởng được cải tiến như lắng đọng hơi hóa học (CVD) và lắng đọng hơi vật lý (PVD) để tăng năng suất và giảm chi phí sản xuất. Ngoài ra, việc áp dụng các quy trình sản xuất thông minh và tự động dự kiến sẽ nâng cao hiệu quả hơn nữa.
Kích thước và cấu trúc tấm wafer mới: Kích thước và cấu trúc của tấm wafer SiC có thể thay đổi trong tương lai để đáp ứng nhu cầu của các ứng dụng khác nhau. Điều này có thể bao gồm các tấm bán dẫn có đường kính lớn hơn, các cấu trúc không đồng nhất hoặc các tấm bán dẫn nhiều lớp để cung cấp nhiều tùy chọn hiệu suất và linh hoạt hơn trong thiết kế.
Hiệu quả năng lượng và sản xuất xanh: Việc sản xuất tấm wafer SiC trong tương lai sẽ chú trọng nhiều hơn đến hiệu quả năng lượng và sản xuất xanh. Các nhà máy sử dụng năng lượng tái tạo, vật liệu xanh, tái chế chất thải và quy trình sản xuất ít carbon sẽ trở thành xu hướng trong sản xuất.
Thời gian đăng: Jan-19-2024