Tấm wafer sapphire 12 inch dành cho sản xuất bán dẫn quy mô lớn

Tấm wafer sapphire 12 inch dành cho sản xuất chất bán dẫn quy mô lớn (Hình ảnh nổi bật)

Mô tả ngắn gọn:

Tấm wafer sapphire 12 inch được thiết kế để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng về sản xuất chất bán dẫn và quang điện tử quy mô lớn, năng suất cao. Khi kiến trúc thiết bị tiếp tục được thu nhỏ và dây chuyền sản xuất chuyển sang các định dạng wafer lớn hơn, chất nền sapphire với đường kính cực lớn mang lại những lợi thế rõ ràng về năng suất, tối ưu hóa sản lượng và kiểm soát chi phí.

Gửi email cho chúng tôi

Đặc trưng

Sơ đồ chi tiết

Giới thiệu tấm wafer sapphire 12 inch

Được sản xuất từ tinh thể đơn Al₂O₃ có độ tinh khiết cao, các tấm wafer sapphire 12 inch của chúng tôi kết hợp độ bền cơ học, độ ổn định nhiệt và chất lượng bề mặt tuyệt vời. Thông qua quá trình nuôi cấy tinh thể được tối ưu hóa và xử lý wafer chính xác, các chất nền này mang lại hiệu suất đáng tin cậy cho các ứng dụng LED tiên tiến, GaN và các chất bán dẫn đặc biệt.

Đặc tính vật liệu

Sapphire (nhôm oxit đơn tinh thể, Al₂O₃) nổi tiếng với các đặc tính vật lý và hóa học vượt trội. Tấm wafer sapphire 12 inch thừa hưởng tất cả những ưu điểm của vật liệu sapphire đồng thời cung cấp diện tích bề mặt sử dụng lớn hơn nhiều.

Các đặc điểm chính của vật liệu bao gồm:

Độ cứng và khả năng chống mài mòn cực cao
Độ ổn định nhiệt tuyệt vời và điểm nóng chảy cao
Khả năng kháng hóa chất vượt trội đối với axit và kiềm.
Độ trong suốt quang học cao từ bước sóng tia cực tím đến tia hồng ngoại.
Đặc tính cách điện tuyệt vời

Những đặc điểm này làm cho các tấm wafer sapphire 12 inch phù hợp với môi trường xử lý khắc nghiệt và các quy trình sản xuất chất bán dẫn ở nhiệt độ cao.

Quy trình sản xuất

Việc sản xuất các tấm wafer sapphire 12 inch đòi hỏi công nghệ nuôi cấy tinh thể tiên tiến và công nghệ xử lý siêu chính xác. Quy trình sản xuất điển hình bao gồm:

Sự phát triển tinh thể đơn
Tinh thể sapphire có độ tinh khiết cao được nuôi cấy bằng các phương pháp tiên tiến như KY hoặc các công nghệ nuôi cấy tinh thể đường kính lớn khác, đảm bảo định hướng tinh thể đồng nhất và ứng suất bên trong thấp.
Tạo hình và cắt lát tinh thể
Khối sapphire được tạo hình chính xác và cắt thành các lát mỏng 12 inch bằng thiết bị cắt có độ chính xác cao để giảm thiểu hư hại dưới bề mặt.
Mài và đánh bóng
Các quy trình mài nhiều bước và đánh bóng cơ học hóa học (CMP) được áp dụng để đạt được độ nhám bề mặt, độ phẳng và độ đồng nhất độ dày tuyệt vời.
Vệ sinh và kiểm tra
Mỗi tấm wafer sapphire 12 inch đều trải qua quá trình làm sạch kỹ lưỡng và kiểm tra nghiêm ngặt, bao gồm phân tích chất lượng bề mặt, độ dày màng mỏng (TTV), độ cong vênh và các khuyết tật.

Ứng dụng

Các tấm wafer sapphire 12 inch được sử dụng rộng rãi trong các công nghệ tiên tiến và mới nổi, bao gồm:

Các chất nền LED công suất cao và độ sáng cao
Các thiết bị điện và thiết bị tần số vô tuyến dựa trên GaN
Giá đỡ thiết bị bán dẫn và chất nền cách điện
Cửa sổ quang học và các thành phần quang học diện tích lớn
Bao bì bán dẫn tiên tiến và các chất mang quy trình đặc biệt

Đường kính lớn cho phép năng suất cao hơn và hiệu quả chi phí được cải thiện trong sản xuất hàng loạt.

Ưu điểm của tấm wafer sapphire 12 inch

Diện tích sử dụng lớn hơn cho năng suất thiết bị cao hơn trên mỗi tấm wafer.
Cải thiện tính nhất quán và đồng đều của quy trình.
Giảm chi phí mỗi thiết bị trong sản xuất hàng loạt.
Độ bền cơ học tuyệt vời, thích hợp cho việc xử lý vật liệu kích thước lớn.
Thông số kỹ thuật có thể tùy chỉnh cho các ứng dụng khác nhau.

Tùy chọn tùy chỉnh

Chúng tôi cung cấp dịch vụ tùy chỉnh linh hoạt cho các tấm wafer sapphire 12 inch, bao gồm:

Định hướng tinh thể (mặt phẳng C, mặt phẳng A, mặt phẳng R, v.v.)
Dung sai độ dày và đường kính
Đánh bóng một mặt hoặc hai mặt
Thiết kế đường viền cạnh và vát cạnh
Yêu cầu về độ nhám và độ phẳng bề mặt

Tham số	Thông số kỹ thuật	Ghi chú
Đường kính wafer	12 inch (300 mm)	Tấm wafer đường kính lớn tiêu chuẩn
Vật liệu	Tinh thể đơn Sapphire (Al₂O₃)	Độ tinh khiết cao, đạt tiêu chuẩn điện tử/quang học.
Định hướng tinh thể	Mặt phẳng C (0001), Mặt phẳng A (11-20), Mặt phẳng R (1-102)	Có các buổi định hướng tùy chọn.
Độ dày	430–500 μm	Có thể đặt độ dày theo yêu cầu.
Dung sai độ dày	±10 μm	Dung sai chặt chẽ cho các thiết bị tiên tiến
Tổng biến thiên độ dày (TTV)	≤10 μm	Đảm bảo quá trình xử lý đồng nhất trên toàn bộ tấm wafer.
Cây cung	≤50 μm	Được đo trên toàn bộ tấm wafer
Biến dạng	≤50 μm	Được đo trên toàn bộ tấm wafer
Hoàn thiện bề mặt	Đánh bóng một mặt (SSP) / Đánh bóng hai mặt (DSP)	Bề mặt chất lượng quang học cao
Độ nhám bề mặt (Ra)	≤0,5 nm (đã được đánh bóng)	Độ nhẵn ở cấp độ nguyên tử cho sự phát triển epitaxy
Hồ sơ cạnh	Vát cạnh / Cạnh bo tròn	Để tránh bị sứt mẻ trong quá trình xử lý.
Độ chính xác định hướng	±0,5°	Đảm bảo sự phát triển lớp màng epitaxy thích hợp
Mật độ khuyết tật	<10 cm⁻²	Được đo bằng phương pháp kiểm tra quang học.
Độ phẳng	≤2 μm / 100 mm	Đảm bảo quá trình in thạch bản và tăng trưởng epitaxy đồng nhất
Sự sạch sẽ	Lớp 100 – Lớp 1000	Tương thích với phòng sạch
Truyền dẫn quang học	>85% (UV–IR)	Phụ thuộc vào bước sóng và độ dày.

Câu hỏi thường gặp về tấm wafer sapphire 12 inch

Câu 1: Độ dày tiêu chuẩn của một tấm wafer sapphire 12 inch là bao nhiêu?
A: Độ dày tiêu chuẩn dao động từ 430 μm đến 500 μm. Độ dày tùy chỉnh cũng có thể được sản xuất theo yêu cầu của khách hàng.

Câu 2: Các hướng tinh thể nào khả dụng cho tấm wafer sapphire 12 inch?
A: Chúng tôi cung cấp các hướng mặt phẳng C (0001), mặt phẳng A (11-20) và mặt phẳng R (1-102). Các hướng khác có thể được tùy chỉnh dựa trên yêu cầu cụ thể của thiết bị.

Câu 3: Độ biến thiên độ dày tổng thể (TTV) của tấm bán dẫn là bao nhiêu?
A: Các tấm wafer sapphire 12 inch của chúng tôi thường có TTV ≤10 μm, đảm bảo tính đồng nhất trên toàn bộ bề mặt wafer để chế tạo thiết bị chất lượng cao.

Về chúng tôi

XKH chuyên phát triển, sản xuất và kinh doanh các loại kính quang học đặc biệt và vật liệu tinh thể mới với công nghệ cao. Sản phẩm của chúng tôi phục vụ cho ngành điện tử quang học, điện tử tiêu dùng và quân sự. Chúng tôi cung cấp các linh kiện quang học Sapphire, nắp ống kính điện thoại di động, gốm sứ, LT, Silicon Carbide (SIC), thạch anh và tấm bán dẫn tinh thể. Với chuyên môn cao và thiết bị hiện đại, chúng tôi vượt trội trong gia công các sản phẩm phi tiêu chuẩn, hướng tới mục tiêu trở thành doanh nghiệp công nghệ cao hàng đầu về vật liệu quang điện tử.