Tấm wafer SiC bán dẫn 4H-Semi 3 inch 76,2mm Silicon Carbide (SiC) bán cách điện

Các tấm wafer SiC (silicon carbide) bán cách điện 4H 3 inch là vật liệu bán dẫn được sử dụng phổ biến. 4H biểu thị cấu trúc tinh thể tứ diện lục giác. Bán cách điện có nghĩa là chất nền có đặc tính điện trở cao và có thể được cách ly phần nào khỏi dòng điện.

Các tấm bán dẫn nền như vậy có những đặc điểm sau: độ dẫn nhiệt cao, tổn hao dẫn điện thấp, khả năng chịu nhiệt độ cao tuyệt vời và độ ổn định cơ học và hóa học xuất sắc. Do silicon carbide có khe năng lượng rộng và có thể chịu được nhiệt độ cao và điều kiện điện trường cao, nên các tấm bán dẫn cách điện 4H-SiC được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị điện tử công suất và thiết bị tần số vô tuyến (RF).

Các ứng dụng chính của tấm bán dẫn cách điện 4H-SiC bao gồm:

1--Điện tử công suất: Tấm wafer 4H-SiC có thể được sử dụng để sản xuất các thiết bị chuyển mạch công suất như MOSFET (Transistor hiệu ứng trường bán dẫn oxit kim loại), IGBT (Transistor lưỡng cực cổng cách điện) và điốt Schottky. Các thiết bị này có tổn hao dẫn điện và chuyển mạch thấp hơn trong môi trường điện áp và nhiệt độ cao, đồng thời mang lại hiệu suất và độ tin cậy cao hơn.

2--Thiết bị tần số vô tuyến (RF): Các tấm bán dẫn cách điện 4H-SiC có thể được sử dụng để chế tạo các bộ khuếch đại công suất RF tần số cao, điện trở chip, bộ lọc và các thiết bị khác. Silicon carbide có hiệu suất tần số cao và độ ổn định nhiệt tốt hơn nhờ tốc độ trôi bão hòa điện tử lớn hơn và độ dẫn nhiệt cao hơn.

3--Thiết bị quang điện tử: Các tấm bán dẫn cách điện 4H-SiC có thể được sử dụng để sản xuất điốt laser công suất cao, bộ dò tia cực tím và mạch tích hợp quang điện tử.

Về xu hướng thị trường, nhu cầu đối với các tấm bán dẫn cách điện 4H-SiC đang tăng lên cùng với sự phát triển của các lĩnh vực điện tử công suất, tần số vô tuyến (RF) và quang điện tử. Điều này là do silicon carbide có phạm vi ứng dụng rộng rãi, bao gồm hiệu suất năng lượng, xe điện, năng lượng tái tạo và truyền thông. Trong tương lai, thị trường tấm bán dẫn cách điện 4H-SiC vẫn rất triển vọng và được kỳ vọng sẽ thay thế các vật liệu silicon truyền thống trong nhiều ứng dụng khác nhau.