Các tấm bán dẫn SiC 4H dạng màng mỏng dùng cho MOSFET điện áp cực cao (100–500 μm, 6 inch)

Tấm bán dẫn SiC 4H dạng màng mỏng cho MOSFET điện áp cực cao (100–500 μm, 6 inch) Hình ảnh nổi bật

Mô tả ngắn gọn:

Sự phát triển nhanh chóng của xe điện, lưới điện thông minh, hệ thống năng lượng tái tạo và thiết bị công nghiệp công suất cao đã tạo ra nhu cầu cấp thiết về các thiết bị bán dẫn có khả năng xử lý điện áp cao hơn, mật độ công suất cao hơn và hiệu suất cao hơn. Trong số các chất bán dẫn có dải năng lượng rộng,cacbua silic (SiC)Nó nổi bật nhờ dải năng lượng rộng, độ dẫn nhiệt cao và cường độ điện trường tới hạn vượt trội.

Gửi email cho chúng tôi

Đặc trưng

Sơ đồ chi tiết

Tổng quan sản phẩm

Của chúng tôiCác tấm wafer màng mỏng SiC 4H-epitaxialđược thiết kế đặc biệt choứng dụng MOSFET điện áp cực caoVới các lớp màng mỏng kết tinh trải dài từ...Từ 100 μm đến 500 μm on Tấm nền 6 inch (150 mm)Những tấm bán dẫn này cung cấp các vùng trôi mở rộng cần thiết cho các thiết bị cấp kV trong khi vẫn duy trì chất lượng tinh thể và khả năng mở rộng vượt trội. Độ dày tiêu chuẩn bao gồm 100 μm, 200 μm và 300 μm, và có thể tùy chỉnh theo yêu cầu.

Độ dày lớp màng mỏng kết tinh

Lớp màng mỏng đóng vai trò quyết định trong việc xác định hiệu suất của MOSFET, đặc biệt là sự cân bằng giữa...điện áp đánh thủngVàđiện trở bật.

100–200 μmĐược tối ưu hóa cho các MOSFET điện áp trung bình đến cao, mang lại sự cân bằng tuyệt vời giữa hiệu suất dẫn điện và khả năng chắn dòng.
200–500 μmThích hợp cho các thiết bị điện áp cực cao (trên 10 kV), cho phép vùng trôi dài để đảm bảo đặc tính đánh thủng mạnh mẽ.

Trên toàn bộ phạm vi,Độ đồng đều về độ dày được kiểm soát trong phạm vi ±2%.Điều này đảm bảo tính nhất quán giữa các tấm wafer và giữa các lô sản xuất. Sự linh hoạt này cho phép các nhà thiết kế tinh chỉnh hiệu năng thiết bị cho các dải điện áp mục tiêu của họ trong khi vẫn duy trì khả năng tái tạo trong sản xuất hàng loạt.

Quy trình sản xuất

Các tấm bán dẫn của chúng tôi được sản xuất bằng cách sử dụngkỹ thuật epitaxy CVD (lắng đọng hơi hóa học) tiên tiến nhấtĐiều này cho phép kiểm soát chính xác độ dày, độ pha tạp và chất lượng tinh thể, ngay cả đối với các lớp rất dày.

CVD Epitaxy– Khí có độ tinh khiết cao và điều kiện tối ưu đảm bảo bề mặt nhẵn mịn và mật độ khuyết tật thấp.
Tăng trưởng lớp dày– Các công thức quy trình độc quyền cho phép độ dày lớp màng mỏng lên đến500 μmVới độ đồng nhất tuyệt vời.
Kiểm soát doping– Điều chỉnh nồng độ giữa1×10¹⁴ – 1×10¹⁶ cm⁻³Với độ đồng nhất tốt hơn ±5%.
Chuẩn bị bề mặt– Các tấm wafer trải quaĐánh bóng CMPvà quy trình kiểm tra nghiêm ngặt, đảm bảo khả năng tương thích với các quy trình tiên tiến như oxy hóa cổng, quang khắc và mạ kim loại.

Ưu điểm chính

Khả năng điện áp cực cao– Các lớp màng mỏng kết tinh dày (100–500 μm) hỗ trợ thiết kế MOSFET loại kV.
Chất lượng pha lê đặc biệt– Mật độ sai lệch cấu trúc và khuyết tật mặt phẳng đáy thấp đảm bảo độ tin cậy và giảm thiểu rò rỉ.
Tấm nền lớn 6 inch– Hỗ trợ sản xuất số lượng lớn, giảm chi phí trên mỗi thiết bị và khả năng tương thích với nhà máy sản xuất chip.
Đặc tính nhiệt vượt trội– Độ dẫn nhiệt cao và dải năng lượng rộng cho phép hoạt động hiệu quả ở công suất và nhiệt độ cao.
Các thông số có thể tùy chỉnh– Độ dày, pha tạp, hướng định vị và độ hoàn thiện bề mặt có thể được điều chỉnh theo yêu cầu cụ thể.

Thông số kỹ thuật điển hình

Tham số	Thông số kỹ thuật
Loại dẫn điện	Loại N (pha tạp nitơ)
Điện trở suất	Bất kì
Góc lệch trục	4° ± 0,5° (hướng về [11-20])
Định hướng tinh thể	(0001) Mặt Si
Độ dày	200–300 μm (có thể tùy chỉnh từ 100–500 μm)
Hoàn thiện bề mặt	Mặt trước: Được đánh bóng bằng máy CMP (sẵn sàng cho mạ điện phân) Mặt sau: Được mài hoặc đánh bóng
TTV	≤ 10 μm
Cung/Dịch chuyển	≤ 20 μm

Các lĩnh vực ứng dụng

Các tấm bán dẫn màng mỏng 4H-SiC có cấu trúc epitaxy rất phù hợp choMOSFET trong hệ thống điện áp cực cao, bao gồm:

Bộ biến tần kéo xe điện và mô-đun sạc cao áp
Thiết bị truyền tải và phân phối lưới điện thông minh
Biến tần năng lượng tái tạo (năng lượng mặt trời, năng lượng gió, hệ thống lưu trữ)
Nguồn điện công nghiệp công suất cao và hệ thống chuyển mạch

Câu hỏi thường gặp

Câu 1: Loại dẫn điện là gì?
A1: Loại N, được pha tạp nitơ — tiêu chuẩn công nghiệp cho MOSFET và các thiết bị điện tử công suất khác.

Câu 2: Có những độ dày màng mỏng nào?
A2: 100–500 μm, với các tùy chọn tiêu chuẩn ở mức 100 μm, 200 μm và 300 μm. Có thể đặt hàng độ dày tùy chỉnh theo yêu cầu.

Câu 3: Hướng đặt tấm bán dẫn và góc lệch trục là gì?
A3: (0001) Mặt Si, với độ lệch trục 4° ± 0,5° về phía hướng [11-20].

Về chúng tôi

XKH chuyên phát triển, sản xuất và kinh doanh các loại kính quang học đặc biệt và vật liệu tinh thể mới với công nghệ cao. Sản phẩm của chúng tôi phục vụ cho ngành điện tử quang học, điện tử tiêu dùng và quân sự. Chúng tôi cung cấp các linh kiện quang học Sapphire, nắp ống kính điện thoại di động, gốm sứ, LT, Silicon Carbide (SIC), thạch anh và tấm bán dẫn tinh thể. Với chuyên môn cao và thiết bị hiện đại, chúng tôi vượt trội trong gia công các sản phẩm phi tiêu chuẩn, hướng tới mục tiêu trở thành doanh nghiệp công nghệ cao hàng đầu về vật liệu quang điện tử.