Độ dày đế composite LN-trên-Si 6-8 inch: 0,3-50 μm, vật liệu Si/SiC/Sapphire.

Tấm nền composite LN-trên-Si kích thước từ 6 đến 8 inch nổi bật nhờ các đặc tính vật liệu độc đáo và các thông số có thể điều chỉnh, cho phép ứng dụng rộng rãi trong ngành công nghiệp bán dẫn và quang điện tử:

1. Khả năng tương thích với tấm wafer lớn: Kích thước wafer từ 6 inch đến 8 inch đảm bảo tích hợp liền mạch với các dây chuyền sản xuất bán dẫn hiện có (ví dụ: quy trình CMOS), giảm chi phí sản xuất và cho phép sản xuất hàng loạt.

2. Chất lượng tinh thể cao: Các kỹ thuật ghép nối hoặc kết tinh tối ưu đảm bảo mật độ khuyết tật thấp trong màng mỏng LN, lý tưởng cho các bộ điều biến quang hiệu suất cao, bộ lọc sóng âm bề mặt (SAW) và các thiết bị chính xác khác.

3. Độ dày có thể điều chỉnh (0,3–50 μm): Các lớp LN siêu mỏng (<1 μm) phù hợp cho các chip quang tử tích hợp, trong khi các lớp dày hơn (10–50 μm) hỗ trợ các thiết bị RF công suất cao hoặc cảm biến áp điện.

4. Nhiều lựa chọn vật liệu nền: Ngoài Si, SiC (có độ dẫn nhiệt cao) hoặc sapphire (có khả năng cách điện cao) cũng có thể được lựa chọn làm vật liệu nền để đáp ứng nhu cầu của các ứng dụng tần số cao, nhiệt độ cao hoặc công suất cao.

5. Độ ổn định nhiệt và cơ học: Lớp nền silicon cung cấp sự hỗ trợ cơ học mạnh mẽ, giảm thiểu hiện tượng cong vênh hoặc nứt vỡ trong quá trình gia công và cải thiện hiệu suất thiết bị.

Những đặc tính này giúp cho chất nền composite LN-trên-Si kích thước từ 6 đến 8 inch trở thành vật liệu được ưa chuộng cho các công nghệ tiên tiến như truyền thông 5G, LiDAR và quang học lượng tử.