Tấm nền SiC đường kính 3 inch, 76,2mm, HPSI Prime Research và Dummy grade

Chất nền dẫn điện: đề cập đến điện trở suất của chất nền silicon carbide từ 15~30mΩ-cm. Tấm wafer silicon carbide được nuôi cấy trên chất nền silicon carbide dẫn điện có thể được chế tạo thành các thiết bị điện tử công suất, được sử dụng rộng rãi trong xe năng lượng mới, quang điện, lưới điện thông minh và vận tải đường sắt.

Chất nền bán cách điện là chất nền silicon carbide có điện trở suất cao hơn 100000Ω-cm, chủ yếu được sử dụng trong sản xuất các thiết bị tần số vô tuyến vi sóng gallium nitride, và là nền tảng của lĩnh vực truyền thông không dây.

Đây là một thành phần cơ bản trong lĩnh vực truyền thông không dây.

Các chất nền dẫn điện và bán cách điện silicon carbide được sử dụng rộng rãi trong nhiều thiết bị điện tử và thiết bị nguồn, bao gồm nhưng không giới hạn ở các lĩnh vực sau:

Các thiết bị bán dẫn công suất cao (có tính dẫn điện): Chất nền silicon carbide có cường độ điện trường đánh thủng và độ dẫn nhiệt cao, thích hợp cho việc sản xuất các transistor và diode công suất cao cũng như các thiết bị khác.

Các thiết bị điện tử RF (bán cách điện): Chất nền Silicon Carbide có tốc độ chuyển mạch cao và khả năng chịu công suất tốt, phù hợp cho các ứng dụng như bộ khuếch đại công suất RF, thiết bị vi sóng và công tắc tần số cao.

Các thiết bị quang điện tử (bán cách điện): Chất nền silicon carbide có khe năng lượng rộng và độ ổn định nhiệt cao, thích hợp để chế tạo điốt quang, pin mặt trời, điốt laser và các thiết bị khác.

Cảm biến nhiệt độ (dẫn điện): Chất nền silicon carbide có độ dẫn nhiệt và độ ổn định nhiệt cao, thích hợp cho việc sản xuất cảm biến nhiệt độ cao và các thiết bị đo nhiệt độ.

Quá trình sản xuất và ứng dụng các chất nền dẫn điện và bán cách điện silicon carbide có phạm vi và tiềm năng rộng lớn, mở ra những khả năng mới cho sự phát triển của các thiết bị điện tử và thiết bị điện.