Tấm nền AlN trên FSS 2 inch 4 inch NPSS/FSS dùng cho ngành công nghiệp bán dẫn.

Mô tả ngắn gọn:

Các tấm wafer AlN trên nền FSS (Flexible Substrate) mang đến sự kết hợp độc đáo giữa khả năng dẫn nhiệt, độ bền cơ học và tính cách điện vượt trội của nhôm nitrua (AlN), cùng với tính linh hoạt của chất nền hiệu suất cao. Các tấm wafer 2 inch và 4 inch này được thiết kế đặc biệt cho các ứng dụng bán dẫn tiên tiến, đặc biệt là những nơi mà việc quản lý nhiệt và tính linh hoạt của thiết bị là rất quan trọng. Với tùy chọn nền NPSS (Non-Polished Substrate) và FSS (Flexible Substrate), các tấm AlN này lý tưởng cho các ứng dụng trong điện tử công suất, thiết bị RF và hệ thống điện tử linh hoạt, nơi khả năng dẫn nhiệt cao và tích hợp linh hoạt là chìa khóa để cải thiện hiệu suất và độ tin cậy của thiết bị.


Đặc trưng

Của cải

Thành phần vật liệu:
Nhôm nitrua (AlN) – Lớp gốm màu trắng, hiệu năng cao, cung cấp khả năng dẫn nhiệt tuyệt vời (thường từ 200-300 W/m·K), cách điện tốt và độ bền cơ học cao.
Chất nền linh hoạt (FSS) – Màng polyme linh hoạt (như Polyimide, PET, v.v.) mang lại độ bền và khả năng uốn cong mà không ảnh hưởng đến chức năng của lớp AlN.

Các kích thước wafer hiện có:
2 inch (50,8 mm)
4 inch (100mm)

Độ dày:
Lớp AlN: 100-2000nm
Độ dày lớp nền FSS: 50µm-500µm (có thể tùy chỉnh theo yêu cầu)

Các tùy chọn hoàn thiện bề mặt:
NPSS (Non-Polished Substrate) – Bề mặt chất nền chưa được đánh bóng, phù hợp với một số ứng dụng yêu cầu bề mặt gồ ghề hơn để tăng độ bám dính hoặc tích hợp tốt hơn.
FSS (Flexible Substrate) – Màng phim dẻo được đánh bóng hoặc không đánh bóng, với tùy chọn bề mặt nhẵn hoặc có vân, tùy thuộc vào nhu cầu ứng dụng cụ thể.

Tính chất điện:
Vật liệu cách điện – Đặc tính cách điện của AlN khiến nó trở nên lý tưởng cho các ứng dụng bán dẫn công suất cao và điện áp cao.
Hằng số điện môi: ~9,5
Độ dẫn nhiệt: 200-300 W/m·K (tùy thuộc vào loại AlN và độ dày cụ thể)

Tính chất cơ học:
Tính linh hoạt: AlN được lắng đọng trên chất nền linh hoạt (FSS), cho phép uốn cong và có tính linh hoạt cao.
Độ cứng bề mặt: AlN có độ bền cao và khả năng chống hư hại vật lý trong điều kiện hoạt động bình thường.

Ứng dụng

Thiết bị công suất caoLý tưởng cho các thiết bị điện tử công suất yêu cầu tản nhiệt cao, chẳng hạn như bộ chuyển đổi nguồn, bộ khuếch đại RF và mô-đun LED công suất cao.

Linh kiện RF và vi sóngThích hợp cho các linh kiện như ăng-ten, bộ lọc và bộ cộng hưởng, nơi cần cả khả năng dẫn nhiệt và tính linh hoạt cơ học.

Điện tử linh hoạtHoàn hảo cho các ứng dụng mà thiết bị cần phải thích ứng với các bề mặt không phẳng hoặc yêu cầu thiết kế nhẹ, linh hoạt (ví dụ: thiết bị đeo, cảm biến linh hoạt).

Đóng gói bán dẫnĐược sử dụng làm chất nền trong bao bì bán dẫn, giúp tản nhiệt trong các ứng dụng tạo ra nhiệt lượng cao.

Đèn LED và quang điện tửDành cho các thiết bị yêu cầu hoạt động ở nhiệt độ cao với khả năng tản nhiệt mạnh mẽ.

Bảng tham số

Tài sản

Giá trị hoặc phạm vi

Kích thước wafer 2 inch (50,8 mm), 4 inch (100 mm)
Độ dày lớp AlN 100nm – 2000nm
Độ dày chất nền FSS 50µm – 500µm (có thể tùy chỉnh)
Độ dẫn nhiệt 200 – 300 W/m·K
Tính chất điện Vật liệu cách điện (Hằng số điện môi: ~9,5)
Hoàn thiện bề mặt Được đánh bóng hoặc không được đánh bóng
Loại chất nền NPSS (Chất nền không được đánh bóng), FSS (Chất nền linh hoạt)
Tính linh hoạt cơ học Độ linh hoạt cao, lý tưởng cho các thiết bị điện tử linh hoạt.
Màu sắc Màu trắng đến trắng ngà (tùy thuộc vào chất liệu nền)

Ứng dụng

●Điện tử công suất:Sự kết hợp giữa độ dẫn nhiệt cao và tính linh hoạt làm cho các tấm bán dẫn này trở nên hoàn hảo cho các thiết bị điện tử công suất như bộ chuyển đổi nguồn, bóng bán dẫn và bộ điều chỉnh điện áp, những thiết bị đòi hỏi khả năng tản nhiệt hiệu quả.
●Thiết bị RF/Vi sóng:Nhờ đặc tính dẫn nhiệt vượt trội và độ dẫn điện thấp, các tấm wafer AlN được sử dụng trong các linh kiện RF như bộ khuếch đại, bộ dao động và anten.
●Điện tử linh hoạt:Tính linh hoạt của lớp FSS kết hợp với khả năng quản lý nhiệt tuyệt vời của AlN khiến nó trở thành lựa chọn lý tưởng cho các thiết bị điện tử đeo được và cảm biến.
● Bao bì bán dẫn:Được sử dụng trong bao bì bán dẫn hiệu năng cao, nơi khả năng tản nhiệt hiệu quả và độ tin cậy là yếu tố then chốt.
●Ứng dụng LED & Quang điện tử:Nhôm nitrua là vật liệu tuyệt vời cho bao bì LED và các thiết bị quang điện tử khác đòi hỏi khả năng chịu nhiệt cao.

Hỏi đáp (Những câu hỏi thường gặp)

Câu 1: Việc sử dụng AlN trên các tấm wafer FSS mang lại những lợi ích gì?

A1Lớp AlN trên đế FSS kết hợp khả năng dẫn nhiệt cao và tính cách điện của AlN với độ linh hoạt cơ học của chất nền polymer. Điều này cho phép tản nhiệt tốt hơn trong các hệ thống điện tử linh hoạt đồng thời duy trì tính toàn vẹn của thiết bị trong điều kiện uốn cong và kéo giãn.

Câu 2: Có những kích thước nào cho lớp AlN trên đế wafer FSS?

A2Chúng tôi cung cấp2 inch4 inchKích thước wafer. Kích thước tùy chỉnh có thể được thảo luận theo yêu cầu để đáp ứng nhu cầu ứng dụng cụ thể của bạn.

Câu 3: Tôi có thể tùy chỉnh độ dày của lớp AlN không?

A3: Vâng, đúng vậyđộ dày lớp AlNcó thể được tùy chỉnh, với các phạm vi điển hình từTừ 100nm đến 2000nmtùy thuộc vào yêu cầu ứng dụng của bạn.

Sơ đồ chi tiết

AlN trên FSS01
AlN trên FSS02
AlN trên FSS03
AlN trên FSS06 - 副本

  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Hãy viết tin nhắn của bạn vào đây và gửi cho chúng tôi.