Màng Gallium Nitride trên đế silicon 4 inch 6 inch, tùy chỉnh hướng đế silicon, điện trở suất và các tùy chọn loại N/P.

Câu 1: Ưu điểm của GaN so với silicon trong các thiết bị điện tử là gì?

A1:GaN cókhoảng cách vùng cấm rộng hơn (3,4 eV)Năng lượng vùng cấm (GAN) của GaN thấp hơn silicon (1,1 eV), cho phép nó chịu được điện áp và nhiệt độ cao hơn. Đặc tính này giúp GaN xử lý các ứng dụng công suất cao hiệu quả hơn, giảm tổn thất điện năng và tăng hiệu suất hệ thống. GaN cũng cung cấp tốc độ chuyển mạch nhanh hơn, điều rất quan trọng đối với các thiết bị tần số cao như bộ khuếch đại RF và bộ chuyển đổi nguồn.

Câu 2: Tôi có thể tùy chỉnh hướng của chất nền Si cho ứng dụng của mình không?

A2:Vâng, chúng tôi cung cấphướng định vị chất nền Si có thể tùy chỉnhchẳng hạn như<111>, <100>và các hướng khác tùy thuộc vào yêu cầu của thiết bị. Hướng của chất nền Si đóng vai trò quan trọng trong hiệu suất thiết bị, bao gồm các đặc tính điện, hành vi nhiệt và độ ổn định cơ học.

Câu 3: Việc sử dụng tấm wafer GaN trên nền Si mang lại những lợi ích gì cho các ứng dụng tần số cao?

A3:Các tấm wafer GaN-trên-Si mang lại những ưu điểm vượt trội.tốc độ chuyển mạchĐiều này cho phép hoạt động nhanh hơn ở tần số cao hơn so với silicon. Điều này làm cho chúng trở nên lý tưởng choRFVàlò vi sóngcác ứng dụng, cũng như tần số caothiết bị điệnchẳng hạn nhưHEMTs(Transistor có độ linh động điện tử cao) vàBộ khuếch đại RFĐộ linh động điện tử cao hơn của GaN cũng dẫn đến tổn thất chuyển mạch thấp hơn và hiệu suất được cải thiện.

Câu 4: Có những lựa chọn pha tạp nào cho các tấm wafer GaN trên nền Si?

A4:Chúng tôi cung cấp cả hai loại.Loại NVàLoại PCác phương pháp pha tạp thường được sử dụng cho các loại thiết bị bán dẫn khác nhau.Pha tạp loại Nlý tưởng chobóng bán dẫn công suấtVàBộ khuếch đại RF, trong khiPha tạp loại PNó thường được sử dụng cho các thiết bị quang điện tử như đèn LED.