Tấm wafer SiC HPSI đường kính: 3 inch độ dày: 350 µm ± 25 µm dùng cho mạch điện tử công suất
Ứng dụng
Các tấm wafer SiC HPSI được sử dụng trong nhiều ứng dụng điện tử công suất, bao gồm:
Bán dẫn công suất:Các tấm wafer SiC thường được sử dụng trong sản xuất điốt công suất, bóng bán dẫn (MOSFET, IGBT) và thyristor. Các chất bán dẫn này được sử dụng rộng rãi trong các ứng dụng chuyển đổi năng lượng đòi hỏi hiệu suất và độ tin cậy cao, chẳng hạn như trong các bộ điều khiển động cơ công nghiệp, bộ nguồn và bộ biến tần cho hệ thống năng lượng tái tạo.
Xe điện (EV):Trong hệ thống truyền động xe điện, các thiết bị điện dựa trên SiC cung cấp tốc độ chuyển mạch nhanh hơn, hiệu suất năng lượng cao hơn và giảm tổn thất nhiệt. Các linh kiện SiC lý tưởng cho các ứng dụng trong hệ thống quản lý pin (BMS), cơ sở hạ tầng sạc và bộ sạc trên xe (OBC), nơi việc giảm thiểu trọng lượng và tối đa hóa hiệu suất chuyển đổi năng lượng là rất quan trọng.
Hệ thống năng lượng tái tạo:Các tấm wafer SiC ngày càng được sử dụng rộng rãi trong các bộ biến tần năng lượng mặt trời, máy phát điện tuabin gió và hệ thống lưu trữ năng lượng, nơi hiệu suất cao và độ bền là yếu tố thiết yếu. Các linh kiện dựa trên SiC cho phép mật độ công suất cao hơn và hiệu suất được nâng cao trong các ứng dụng này, cải thiện hiệu quả chuyển đổi năng lượng tổng thể.
Điện tử công suất công nghiệp:Trong các ứng dụng công nghiệp hiệu năng cao, chẳng hạn như bộ điều khiển động cơ, robot và nguồn điện quy mô lớn, việc sử dụng tấm wafer SiC cho phép cải thiện hiệu suất về hiệu quả, độ tin cậy và quản lý nhiệt. Các thiết bị SiC có thể xử lý tần số chuyển mạch cao và nhiệt độ cao, làm cho chúng phù hợp với các môi trường đòi hỏi khắt khe.
Viễn thông và Trung tâm dữ liệu:SiC được sử dụng trong các bộ nguồn cho thiết bị viễn thông và trung tâm dữ liệu, nơi độ tin cậy cao và hiệu suất chuyển đổi năng lượng là rất quan trọng. Các thiết bị điện dựa trên SiC cho phép đạt hiệu suất cao hơn với kích thước nhỏ hơn, điều này giúp giảm tiêu thụ điện năng và cải thiện hiệu quả làm mát trong các cơ sở hạ tầng quy mô lớn.
Điện áp đánh thủng cao, điện trở bật thấp và độ dẫn nhiệt tuyệt vời của các tấm wafer SiC khiến chúng trở thành chất nền lý tưởng cho các ứng dụng tiên tiến này, cho phép phát triển các thiết bị điện tử công suất tiết kiệm năng lượng thế hệ tiếp theo.
Của cải
| Tài sản | Giá trị |
| Đường kính wafer | 3 inch (76,2 mm) |
| Độ dày tấm wafer | 350 µm ± 25 µm |
| Định hướng tấm bán dẫn | <0001> trên trục ± 0,5° |
| Mật độ vi ống (MPD) | ≤ 1 cm⁻² |
| Điện trở suất | ≥ 1E7 Ω·cm |
| Thuốc tiêm | Không pha tạp chất |
| Định hướng phẳng chính | {11-20} ± 5,0° |
| Chiều dài phẳng chính | 32,5 mm ± 3,0 mm |
| Chiều dài phẳng thứ cấp | 18,0 mm ± 2,0 mm |
| Định hướng phẳng thứ cấp | Mặt Si hướng lên: 90° theo chiều kim đồng hồ so với mặt phẳng chính ± 5,0° |
| Loại trừ cạnh | 3 mm |
| LTV/TTV/Cung/Biến dạng | 3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm |
| Độ nhám bề mặt | Mặt C: Đánh bóng, Mặt Si: Đánh bóng bằng máy CMP |
| Các vết nứt (được kiểm tra bằng ánh sáng cường độ cao) | Không có |
| Các tấm lục giác (được kiểm tra bằng ánh sáng cường độ cao) | Không có |
| Các vùng đa hình (được kiểm tra bằng ánh sáng cường độ cao) | Diện tích tích lũy 5% |
| Vết xước (được kiểm tra bằng ánh sáng cường độ cao) | ≤ 5 vết xước, tổng chiều dài vết xước ≤ 150 mm |
| Sứt mẻ cạnh | Không được phép có chiều rộng và chiều sâu ≥ 0,5 mm. |
| Ô nhiễm bề mặt (kiểm tra bằng ánh sáng cường độ cao) | Không có |
Lợi ích chính
Độ dẫn nhiệt cao:Các tấm wafer SiC nổi tiếng với khả năng tản nhiệt vượt trội, cho phép các thiết bị điện tử công suất hoạt động với hiệu suất cao hơn và xử lý dòng điện lớn hơn mà không bị quá nhiệt. Tính năng này rất quan trọng trong lĩnh vực điện tử công suất, nơi quản lý nhiệt là một thách thức lớn.
Điện áp đánh thủng cao:Khoảng cách vùng cấm rộng của SiC cho phép các thiết bị chịu được mức điện áp cao hơn, khiến chúng trở nên lý tưởng cho các ứng dụng điện áp cao như lưới điện, xe điện và máy móc công nghiệp.
Hiệu quả cao:Sự kết hợp giữa tần số chuyển mạch cao và điện trở bật thấp tạo ra các thiết bị có tổn thất năng lượng thấp hơn, cải thiện hiệu suất chuyển đổi năng lượng tổng thể và giảm nhu cầu về các hệ thống làm mát phức tạp.
Độ tin cậy trong môi trường khắc nghiệt:SiC có khả năng hoạt động ở nhiệt độ cao (lên đến 600°C), điều này làm cho nó phù hợp để sử dụng trong môi trường mà nếu không sẽ làm hỏng các thiết bị dựa trên silicon truyền thống.
Tiết kiệm năng lượng:Các thiết bị điện tử công suất SiC giúp cải thiện hiệu suất chuyển đổi năng lượng, điều này rất quan trọng trong việc giảm tiêu thụ điện năng, đặc biệt là trong các hệ thống lớn như bộ chuyển đổi điện công nghiệp, xe điện và cơ sở hạ tầng năng lượng tái tạo.
Sơ đồ chi tiết
