Bước đột phá lớn trong công nghệ tách tấm wafer silicon carbide 12 inch bằng laser.

Mục lục

1. Bước đột phá lớn trong công nghệ tách tấm wafer silicon carbide 12 inch bằng laser

2. Ý nghĩa đa chiều của bước đột phá công nghệ đối với sự phát triển ngành công nghiệp SiC

3. Triển vọng tương lai: Phát triển toàn diện của XKH và hợp tác với các ngành công nghiệp

Mới đây, Công ty TNHH Công nghệ Bán dẫn Bắc Kinh Jingfei, một nhà sản xuất thiết bị bán dẫn hàng đầu trong nước, đã đạt được bước đột phá đáng kể trong công nghệ xử lý tấm wafer silicon carbide (SiC). Công ty đã thành công trong việc tách tấm wafer silicon carbide 12 inch bằng thiết bị tách laser do chính công ty phát triển. Bước đột phá này đánh dấu một bước tiến quan trọng đối với Trung Quốc trong lĩnh vực thiết bị sản xuất chủ chốt bán dẫn thế hệ thứ ba và cung cấp một giải pháp mới để giảm chi phí và nâng cao hiệu quả trong ngành công nghiệp silicon carbide toàn cầu. Công nghệ này trước đây đã được nhiều khách hàng kiểm chứng trong lĩnh vực silicon carbide 6/8 inch, với hiệu suất thiết bị đạt mức tiên tiến quốc tế.

Bước đột phá công nghệ này mang nhiều ý nghĩa quan trọng đối với sự phát triển của ngành công nghiệp silicon carbide, bao gồm:

1. Giảm đáng kể chi phí sản xuất:So với các tấm wafer silicon carbide 6 inch thông dụng, các tấm wafer silicon carbide 12 inch làm tăng diện tích sử dụng lên khoảng bốn lần, giúp giảm chi phí mỗi chip từ 30% đến 40%.

2. Tăng cường năng lực cung ứng của ngành:Nó giải quyết các nút thắt kỹ thuật trong quá trình xử lý tấm wafer silicon carbide kích thước lớn, cung cấp hỗ trợ thiết bị cho việc mở rộng năng lực sản xuất silicon carbide trên toàn cầu.

3. ​​Quy trình thay thế bản địa hóa được tăng tốc:Điều này phá vỡ thế độc quyền công nghệ của các công ty nước ngoài trong lĩnh vực thiết bị gia công silicon carbide cỡ lớn, cung cấp sự hỗ trợ quan trọng cho sự phát triển tự chủ và có kiểm soát của ngành thiết bị bán dẫn Trung Quốc.

4. Thúc đẩy phổ biến ứng dụng hạ nguồn:Việc giảm chi phí sẽ thúc đẩy ứng dụng các thiết bị silicon carbide trong các lĩnh vực trọng điểm như xe năng lượng mới và năng lượng tái tạo.

Công ty TNHH Công nghệ Bán dẫn Bắc Kinh Jingfei là một doanh nghiệp thuộc Viện Bán dẫn, Viện Hàn lâm Khoa học Trung Quốc, tập trung vào nghiên cứu và phát triển, sản xuất và kinh doanh thiết bị bán dẫn chuyên dụng. Với công nghệ ứng dụng laser là cốt lõi, công ty đã phát triển một loạt thiết bị xử lý bán dẫn với quyền sở hữu trí tuệ độc lập, phục vụ các khách hàng sản xuất bán dẫn lớn trong nước.

Giám đốc điều hành của Jingfei Semiconductor tuyên bố: “Chúng tôi luôn kiên định với việc đổi mới công nghệ để thúc đẩy sự tiến bộ của ngành công nghiệp. Việc phát triển thành công công nghệ tách chip silicon carbide 12 inch bằng laser không chỉ phản ánh năng lực kỹ thuật của công ty mà còn nhờ sự hỗ trợ mạnh mẽ từ Ủy ban Khoa học và Công nghệ thành phố Bắc Kinh, Viện Bán dẫn thuộc Viện Hàn lâm Khoa học Trung Quốc và dự án trọng điểm “Đổi mới công nghệ đột phá” do Trung tâm Đổi mới Công nghệ Quốc gia Bắc Kinh-Thiên Tân-Hà Bắc tổ chức và thực hiện. Trong tương lai, chúng tôi sẽ tiếp tục tăng cường đầu tư vào nghiên cứu và phát triển để cung cấp cho khách hàng nhiều giải pháp thiết bị bán dẫn chất lượng cao hơn.”

Phần kết luận

Trong tương lai, XKH sẽ tận dụng danh mục sản phẩm chất nền silicon carbide toàn diện (bao gồm kích thước từ 2 đến 12 inch với khả năng liên kết và xử lý tùy chỉnh) và công nghệ đa vật liệu (bao gồm 4H-N, 4H-SEMI, 4H-6H/P, 3C-N, v.v.) để chủ động đáp ứng sự phát triển công nghệ và những thay đổi thị trường trong ngành công nghiệp SiC. Bằng cách liên tục cải thiện năng suất wafer, giảm chi phí sản xuất và tăng cường hợp tác với các nhà sản xuất thiết bị bán dẫn và khách hàng cuối, XKH cam kết cung cấp các giải pháp chất nền hiệu suất cao và độ tin cậy cao cho các ứng dụng năng lượng mới, điện tử cao áp và công nghiệp nhiệt độ cao trên toàn cầu. Chúng tôi hướng đến việc giúp khách hàng vượt qua các rào cản kỹ thuật và đạt được khả năng triển khai quy mô lớn, định vị mình là đối tác vật liệu cốt lõi đáng tin cậy trong chuỗi giá trị SiC.