Tinh thể mầm sapphire hình vuông – Chất nền định hướng chính xác cho sự phát triển sapphire tổng hợp.

Cáichức năng duy nhấtcủa tinh thể mầm sapphire làtạo ra sapphire tổng hợp mớinhưng chúng lại không thể thiếu trong hầu hết các phương pháp sản xuất sapphire hiện đại.

Phương pháp Kyropoulos (KY)
Tinh thể mầm sapphire được đặt vào alumina nóng chảy và làm nguội dần, khiến sapphire phát triển ra từ mầm. KY tạo ra các khối sapphire lớn, ít ứng suất, lý tưởng cho chất nền LED và cửa sổ quang học.

Phương pháp Czochralski (CZ)

Tinh thể mầm sapphire được gắn vào một thanh kéo, nhúng vào vật liệu nóng chảy, sau đó được từ từ nâng lên và xoay. Sapphire "kéo" ra khỏi chất nóng chảy dọc theo cấu trúc mạng tinh thể của mầm, tạo ra các tinh thể đồng nhất cao để sử dụng trong quang học và khoa học.

Phương pháp trao đổi nhiệt (HEM)
Tinh thể mầm sapphire nằm ở đáy nồi nung, và sapphire phát triển hướng lên trên khi lò nung nguội dần từ bên dưới. Công nghệ HEM có thể tạo ra các khối sapphire lớn với ứng suất bên trong tối thiểu, được sử dụng rộng rãi cho cửa sổ hàng không vũ trụ và quang học laser.

Tăng trưởng màng mỏng xác định cạnh (EFG)
Tinh thể mầm sapphire nằm ở mép khuôn; alumina nóng chảy được dẫn vào nhờ hiện tượng mao dẫn, làm cho sapphire phát triển thành các hình dạng đặc biệt như thanh, ống và dải.