Chất nền
-
Vật liệu quản lý nhiệt tổng hợp kim cương-đồng
-
Tấm wafer HPSI SiC ≥90% Độ truyền quang học Cấp độ quang học cho kính AI/AR
-
Chất nền Silicon Carbide (SiC) bán cách điện có độ tinh khiết cao dùng cho kính AR
-
Tấm wafer epitaxial 4H-SiC dành cho MOSFET điện áp cực cao (100–500 μm, 6 inch)
-
Tấm wafer SICOI (Silicon Carbide trên chất cách điện) Phim SiC TRÊN Silicon
-
Tấm wafer Sapphire nguyên chất có độ tinh khiết cao dùng để gia công
-
Tinh thể hạt vuông Sapphire – Chất nền định hướng chính xác cho sự phát triển Sapphire tổng hợp
-
Chất nền tinh thể đơn Silicon Carbide (SiC) – Tấm wafer 10×10mm
-
Tấm wafer SiC HPSI 4H-N 6H-N 6H-P Tấm wafer Epitaxial SiC 3C-N cho MOS hoặc SBD
-
Tấm wafer epitaxial SiC cho thiết bị điện – 4H-SiC, loại N, mật độ khuyết tật thấp
-
Tấm wafer epitaxial SiC loại 4H-N điện áp cao tần số cao
-
Tấm wafer LNOI 8 inch (LiNbO3 trên chất cách điện) dùng cho bộ điều biến quang học, ống dẫn sóng, mạch tích hợp