Tin tức
-
Chuyển đổi vật liệu tản nhiệt! Nhu cầu về chất nền silicon carbide sắp bùng nổ!
Mục lục 1. Nút thắt tản nhiệt trong chip AI và bước đột phá của vật liệu Silicon Carbide 2. Đặc điểm và lợi thế kỹ thuật của chất nền Silicon Carbide 3. Kế hoạch chiến lược và phát triển hợp tác của NVIDIA và TSMC 4. Lộ trình triển khai và các điểm kỹ thuật chính...Đọc thêm -
Đột phá lớn trong công nghệ nâng laser wafer silicon carbide 12 inch
Mục lục 1. Bước đột phá lớn trong công nghệ nâng laser wafer silicon carbide 12 inch 2. Ý nghĩa to lớn của bước đột phá công nghệ đối với sự phát triển của ngành công nghiệp SiC 3. Triển vọng tương lai: Sự phát triển toàn diện của XKH và sự hợp tác trong ngành Gần đây,...Đọc thêm -
Tiêu đề: FOUP trong sản xuất chip là gì?
Mục lục 1. Tổng quan và Chức năng cốt lõi của FOUP 2. Cấu trúc và Đặc điểm thiết kế của FOUP 3. Hướng dẫn phân loại và ứng dụng FOUP 4. Hoạt động và tầm quan trọng của FOUP trong sản xuất chất bán dẫn 5. Thách thức kỹ thuật và xu hướng phát triển trong tương lai 6. Khách hàng của XKH...Đọc thêm -
Công nghệ làm sạch wafer trong sản xuất chất bán dẫn
Công nghệ làm sạch wafer trong sản xuất bán dẫn. Làm sạch wafer là một bước quan trọng trong toàn bộ quy trình sản xuất bán dẫn và là một trong những yếu tố chính ảnh hưởng trực tiếp đến hiệu suất thiết bị và năng suất sản xuất. Trong quá trình chế tạo chip, ngay cả những tạp chất nhỏ nhất cũng ...Đọc thêm -
Công nghệ làm sạch wafer và tài liệu kỹ thuật
Mục lục 1. Mục tiêu cốt lõi và tầm quan trọng của việc làm sạch wafer 2. Đánh giá ô nhiễm và các kỹ thuật phân tích tiên tiến 3. Phương pháp làm sạch tiên tiến và các nguyên tắc kỹ thuật 4. Các yếu tố cần thiết về triển khai kỹ thuật và kiểm soát quy trình 5. Xu hướng tương lai và hướng đi đổi mới 6. X...Đọc thêm -
Tinh thể đơn mới mọc
Tinh thể đơn rất hiếm trong tự nhiên, và ngay cả khi có, chúng thường rất nhỏ - thường ở mức milimét (mm) - và khó khai thác. Kim cương, ngọc lục bảo, mã não, v.v. được báo cáo thường không được đưa vào lưu thông trên thị trường, chứ đừng nói đến ứng dụng công nghiệp; hầu hết đều được trưng bày ...Đọc thêm -
Người mua nhôm oxit có độ tinh khiết cao lớn nhất: Bạn biết gì về đá Sapphire?
Tinh thể sapphire được tạo ra từ bột nhôm oxit có độ tinh khiết >99,995%, khiến chúng trở thành lĩnh vực có nhu cầu lớn nhất về nhôm oxit có độ tinh khiết cao. Chúng thể hiện độ bền cao, độ cứng cao và các đặc tính hóa học ổn định, cho phép chúng hoạt động trong các môi trường khắc nghiệt như nhiệt độ cao...Đọc thêm -
TTV, BOW, WARP và TIR có nghĩa là gì trong wafer?
Khi kiểm tra các tấm wafer silicon bán dẫn hoặc đế silicon làm từ các vật liệu khác, chúng ta thường gặp các chỉ số kỹ thuật như: TTV, BOW, WARP, và có thể cả TIR, STIR, LTV, cùng nhiều chỉ số khác. Những thông số này biểu thị những thông số nào? TTV — Tổng độ dày biến thiên BOW — Bow WARP — Warp TIR — ...Đọc thêm -
Nguyên liệu thô chính để sản xuất chất bán dẫn: Các loại chất nền wafer
Đế wafer là vật liệu chủ chốt trong thiết bị bán dẫn Đế wafer là vật liệu mang vật lý của thiết bị bán dẫn, và các đặc tính vật liệu của chúng quyết định trực tiếp hiệu suất, chi phí và lĩnh vực ứng dụng của thiết bị. Dưới đây là các loại đế wafer chính cùng với ưu điểm của chúng...Đọc thêm -
Thiết bị cắt laser độ chính xác cao cho wafer SiC 8 inch: Công nghệ cốt lõi cho quá trình xử lý wafer SiC trong tương lai
Silicon carbide (SiC) không chỉ là công nghệ then chốt cho quốc phòng mà còn là vật liệu then chốt cho ngành công nghiệp ô tô và năng lượng toàn cầu. Là bước quan trọng đầu tiên trong quá trình xử lý tinh thể đơn SiC, việc cắt lát wafer quyết định trực tiếp đến chất lượng của quá trình làm mỏng và đánh bóng tiếp theo. Tr...Đọc thêm -
Kính AR ống dẫn sóng silicon carbide cấp quang học: Chuẩn bị chất nền bán cách điện có độ tinh khiết cao
Trong bối cảnh cuộc cách mạng AI, kính AR đang dần dần đi vào nhận thức của công chúng. Là một mô hình kết hợp liền mạch giữa thế giới ảo và thực, kính AR khác biệt so với thiết bị VR ở chỗ cho phép người dùng cảm nhận đồng thời cả hình ảnh được chiếu kỹ thuật số và ánh sáng môi trường xung quanh...Đọc thêm -
Sự phát triển dị hướng của 3C-SiC trên các chất nền silicon có hướng khác nhau
1. Giới thiệu Mặc dù đã trải qua nhiều thập kỷ nghiên cứu, vật liệu 3C-SiC heteroepiaxial được nuôi cấy trên nền silicon vẫn chưa đạt được chất lượng tinh thể đủ tốt cho các ứng dụng điện tử công nghiệp. Quá trình nuôi cấy thường được thực hiện trên nền Si(100) hoặc Si(111), mỗi loại đều có những thách thức riêng: phản pha ...Đọc thêm