Tin tức
-
Lithium tantalate màng mỏng (LTOI): Vật liệu tương lai cho bộ điều biến tốc độ cao?
Vật liệu lithium tantalate màng mỏng (LTOI) đang nổi lên như một lực lượng mới quan trọng trong lĩnh vực quang học tích hợp. Năm nay, một số công trình cấp cao về bộ điều biến LTOI đã được công bố, với các tấm wafer LTOI chất lượng cao do Giáo sư Xin Ou từ Viện Công nghệ Thượng Hải cung cấp.Đọc thêm -
Hiểu sâu sắc về hệ thống SPC trong sản xuất wafer
SPC (Kiểm soát quy trình thống kê) là một công cụ quan trọng trong quy trình sản xuất wafer, được sử dụng để giám sát, kiểm soát và cải thiện tính ổn định của các giai đoạn khác nhau trong quá trình sản xuất. 1. Tổng quan về hệ thống SPC SPC là một phương pháp sử dụng...Đọc thêm -
Tại sao phương pháp epitaxy được thực hiện trên nền wafer?
Việc phát triển thêm một lớp nguyên tử silicon trên nền wafer silicon có một số ưu điểm: Trong quy trình silicon CMOS, quá trình phát triển epitaxial (EPI) trên nền wafer là một bước quy trình quan trọng. 1、Cải thiện chất lượng tinh thể...Đọc thêm -
Nguyên lý, quy trình, phương pháp và thiết bị để làm sạch wafer
Làm sạch ướt (Wet Clean) là một trong những bước quan trọng trong quy trình sản xuất chất bán dẫn, nhằm loại bỏ nhiều chất gây ô nhiễm khỏi bề mặt của tấm wafer để đảm bảo các bước xử lý tiếp theo có thể được thực hiện trên bề mặt sạch. ...Đọc thêm -
Mối quan hệ giữa mặt phẳng tinh thể và hướng tinh thể.
Mặt phẳng tinh thể và hướng tinh thể là hai khái niệm cốt lõi trong tinh thể học, có liên quan chặt chẽ đến cấu trúc tinh thể trong công nghệ mạch tích hợp dựa trên silicon. 1. Định nghĩa và tính chất của hướng tinh thể Hướng tinh thể biểu thị một hướng cụ thể...Đọc thêm -
Ưu điểm của quy trình Through Glass Via (TGV) và Through Silicon Via, TSV (TSV) so với TGV là gì?
Ưu điểm của quy trình Through Glass Via (TGV) và Through Silicon Via (TSV) so với TGV chủ yếu là: (1) đặc tính điện tần số cao tuyệt vời. Vật liệu thủy tinh là vật liệu cách điện, hằng số điện môi chỉ bằng khoảng 1/3 so với vật liệu silicon và hệ số tổn thất là 2-...Đọc thêm -
Ứng dụng nền silicon carbide dẫn điện và bán cách điện
Chất nền silicon carbide được chia thành loại bán cách điện và loại dẫn điện. Hiện tại, thông số kỹ thuật chính của sản phẩm chất nền silicon carbide bán cách điện là 4 inch. Trong ma...Đọc thêm -
Có sự khác biệt nào trong ứng dụng của tấm sapphire có hướng tinh thể khác nhau không?
Sapphire là tinh thể đơn của nhôm, thuộc hệ tinh thể ba phần, cấu trúc lục phương, cấu trúc tinh thể của nó bao gồm ba nguyên tử oxy và hai nguyên tử nhôm theo kiểu liên kết cộng hóa trị, sắp xếp rất khít nhau, có chuỗi liên kết và năng lượng mạng mạnh, trong khi tinh thể của nó...Đọc thêm -
Sự khác biệt giữa chất nền dẫn điện SiC và chất nền bán cách điện là gì?
Thiết bị silicon carbide SiC là thiết bị được làm từ silicon carbide làm nguyên liệu thô. Theo các tính chất điện trở khác nhau, nó được chia thành các thiết bị điện silicon carbide dẫn điện và các thiết bị RF silicon carbide bán cách điện. Các hình thức thiết bị chính và...Đọc thêm -
Một bài viết dẫn bạn đến bậc thầy của TGV
TGV là gì? TGV (Through-Glass via), một công nghệ tạo ra các lỗ xuyên qua trên nền kính. Nói một cách đơn giản, TGV là một tòa nhà cao tầng đục lỗ, lấp đầy và kết nối lên xuống kính để tạo ra các mạch tích hợp trên mặt kính.Đọc thêm -
Những chỉ số đánh giá chất lượng bề mặt wafer là gì?
Với sự phát triển liên tục của công nghệ bán dẫn, trong ngành công nghiệp bán dẫn và thậm chí là ngành công nghiệp quang điện, yêu cầu về chất lượng bề mặt của đế wafer hoặc tấm epitaxial cũng rất nghiêm ngặt. Vậy, yêu cầu chất lượng của...Đọc thêm -
Bạn biết bao nhiêu về quy trình phát triển tinh thể đơn SiC?
Silicon carbide (SiC), là một loại vật liệu bán dẫn có khoảng cách dải rộng, đóng vai trò ngày càng quan trọng trong ứng dụng khoa học và công nghệ hiện đại. Silicon carbide có độ ổn định nhiệt tuyệt vời, khả năng chịu điện trường cao, độ dẫn điện có chủ đích và...Đọc thêm