Tấm nền SiC 200mm, cấp giả 4H-N, wafer SiC 8 inch

Những khó khăn về mặt kỹ thuật trong quá trình sản xuất tấm nền SiC 8 inch bao gồm:

1. Phát triển tinh thể: Việc đạt được sự phát triển tinh thể đơn chất lượng cao của silicon carbide ở đường kính lớn có thể gặp khó khăn do phải kiểm soát các khuyết tật và tạp chất.

2. Xử lý wafer: Kích thước lớn hơn của wafer 8 inch gây ra những thách thức về tính đồng nhất và kiểm soát khuyết tật trong quá trình xử lý wafer, chẳng hạn như đánh bóng, khắc và pha tạp.

3. Tính đồng nhất của vật liệu: Đảm bảo tính chất vật liệu nhất quán và tính đồng nhất trên toàn bộ nền SiC 8 inch là yêu cầu kỹ thuật khắt khe và đòi hỏi phải kiểm soát chính xác trong quá trình sản xuất.

4. Chi phí: Việc mở rộng quy mô lên các tấm nền SiC 8 inch trong khi vẫn duy trì chất lượng và năng suất vật liệu cao có thể là thách thức về mặt kinh tế do tính phức tạp và chi phí của quy trình sản xuất.

5. Việc giải quyết những khó khăn kỹ thuật này là rất quan trọng để áp dụng rộng rãi các tấm nền SiC 8 inch trong các thiết bị quang điện tử và điện năng hiệu suất cao.

Chúng tôi cung cấp đế sapphire từ các nhà máy SiC xuất khẩu hàng đầu Trung Quốc, bao gồm Tankeblue. Hơn 10 năm làm đại lý đã cho phép chúng tôi duy trì mối quan hệ chặt chẽ với nhà máy. Chúng tôi có thể cung cấp đế SiC 6 inch và 8 inch mà bạn cần, đảm bảo nguồn cung ổn định và lâu dài, đồng thời mang đến mức giá tốt nhất.

Tankeblue là một doanh nghiệp công nghệ cao chuyên phát triển, sản xuất và kinh doanh chip bán dẫn silicon carbide (SiC) thế hệ thứ ba. Công ty là một trong những nhà sản xuất wafer SiC hàng đầu thế giới.