Tấm wafer SiC giả 200mm chất nền SiC loại 4H-N 8 inch

Những khó khăn kỹ thuật của việc sản xuất đế SiC 8 inch bao gồm:

1. Tăng trưởng tinh thể: Việc đạt được sự tăng trưởng đơn tinh thể chất lượng cao của cacbua silic ở đường kính lớn có thể gặp khó khăn do việc kiểm soát các khuyết tật và tạp chất.

2.Xử lý wafer: Kích thước lớn hơn của các tấm wafer 8 inch đặt ra những thách thức về tính đồng nhất và kiểm soát khuyết tật trong quá trình xử lý wafer, chẳng hạn như đánh bóng, khắc và pha tạp.

3.Tính đồng nhất của vật liệu: Việc đảm bảo các đặc tính vật liệu nhất quán và tính đồng nhất trên toàn bộ đế SiC 8 inch là yêu cầu kỹ thuật và yêu cầu kiểm soát chính xác trong quá trình sản xuất.

4. Chi phí: Việc mở rộng quy mô nền SiC lên tới 8 inch trong khi vẫn duy trì chất lượng và năng suất vật liệu cao có thể là thách thức về mặt kinh tế do tính phức tạp và chi phí của quy trình sản xuất.

5. Việc giải quyết những khó khăn kỹ thuật này là rất quan trọng để áp dụng rộng rãi chất nền SiC 8 inch trong các thiết bị quang điện tử và năng lượng hiệu suất cao.

Chúng tôi cung cấp chất nền sapphire từ các nhà máy SiC xuất khẩu số một của Trung Quốc bao gồm Tankeblue. Hơn 10 năm làm đại lý đã cho phép chúng tôi duy trì mối quan hệ chặt chẽ với nhà máy. Chúng tôi có thể cung cấp cho bạn chất nền 6 inch và 8 inchSiC mà bạn cần để có nguồn cung ổn định và lâu dài đồng thời đưa ra mức giá và giá cả tốt nhất.

Tankeblue là một doanh nghiệp công nghệ cao chuyên phát triển, sản xuất và kinh doanh chip bán dẫn silicon cacbua (SiC) thế hệ thứ ba. Công ty là một trong những nhà sản xuất tấm wafer SiC hàng đầu thế giới.