Tấm wafer C-Plane 4 inch SSP/DSP 0,43mm 0,65mm
Các ứng dụng
● Chất nền tăng trưởng cho các hợp chất III-V và II-VI.
● Điện tử và quang điện tử.
● Ứng dụng IR.
● Mạch tích hợp Silicon trên Sapphire (SOS).
● Mạch tích hợp tần số vô tuyến (RFIC).
Trong sản xuất đèn LED, tấm sapphire được sử dụng làm chất nền cho sự phát triển của tinh thể gallium nitride (GaN), tinh thể này phát ra ánh sáng khi có dòng điện chạy qua.Sapphire là vật liệu nền lý tưởng cho sự phát triển của GaN vì nó có cấu trúc tinh thể và hệ số giãn nở nhiệt tương tự GaN, giúp giảm thiểu các khuyết tật và cải thiện chất lượng tinh thể.
Trong quang học, tấm sapphire được sử dụng làm cửa sổ và thấu kính trong môi trường áp suất và nhiệt độ cao, cũng như trong hệ thống hình ảnh hồng ngoại, vì độ trong suốt và độ cứng cao của chúng.
Sự chỉ rõ
| Mục | Tấm sapphire 4 inch mặt phẳng C (0001) 650μm | |
| Vật liệu pha lê | 99,999%, Độ tinh khiết cao, Al2O3 đơn tinh thể | |
| Cấp | Prime, Epi-Sẵn sàng | |
| Định hướng bề mặt | Mặt phẳng C (0001) | |
| Góc lệch mặt phẳng C về phía trục M 0,2 +/- 0,1° | ||
| Đường kính | 100,0 mm +/- 0,1 mm | |
| độ dày | 650 mm +/- 25 mm | |
| Định hướng phẳng chính | Mặt phẳng A(11-20) +/- 0,2° | |
| Chiều dài phẳng chính | 30,0 mm +/- 1,0 mm | |
| Đánh bóng một mặt | Mặt trước | Epi-đánh bóng, Ra < 0,2 nm (bằng AFM) |
| (SSP) | Bề mặt sau | Đất mịn, Ra = 0,8 μm đến 1,2 μm |
| Đánh bóng hai mặt | Mặt trước | Epi-đánh bóng, Ra < 0,2 nm (bằng AFM) |
| (DSP) | Bề mặt sau | Epi-đánh bóng, Ra < 0,2 nm (bằng AFM) |
| TTV | < 20 mm | |
| CÂY CUNG | < 20 mm | |
| LÀM CONG | < 20 mm | |
| Làm sạch / Đóng gói | Làm sạch phòng sạch và đóng gói chân không lớp 100, | |
| 25 miếng trong một bao bì cassette hoặc bao bì một mảnh. | ||
Đóng gói & Vận chuyển
Nói chung, chúng tôi cung cấp gói bằng hộp băng 25 chiếc;chúng tôi cũng có thể đóng gói bằng thùng chứa wafer đơn dưới phòng vệ sinh cấp 100 theo yêu cầu của khách hàng.
Sơ đồ chi tiết
