150mm 6 inch 0,7mm 0,5mm Sapphire Chất nền wafer Carrier C-Plane SSP / DSP

150mm 6 inch 0,7mm 0,5mm Tấm nền wafer Sapphire C-Plane SSP/DSP Hình ảnh nổi bật

Mô tả ngắn:

Tất cả những điều trên là mô tả chính xác về tinh thể sapphire.Hiệu suất tuyệt vời của tinh thể sapphire khiến nó được sử dụng rộng rãi trong các lĩnh vực kỹ thuật cao cấp.Với sự phát triển nhanh chóng của ngành công nghiệp LED, nhu cầu về vật liệu tinh thể sapphire cũng ngày càng tăng.

Gửi email cho chúng tôi

Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Các ứng dụng

Các ứng dụng cho tấm sapphire 6 inch bao gồm:

1. Sản xuất đèn LED: tấm sapphire có thể được sử dụng làm chất nền của chip LED, độ cứng và tính dẫn nhiệt của nó có thể cải thiện độ ổn định và tuổi thọ của chip LED.

2. Sản xuất laser: Tấm wafer sapphire cũng có thể được sử dụng làm chất nền của laser, giúp cải thiện hiệu suất của laser và kéo dài tuổi thọ.

3. Sản xuất chất bán dẫn: Tấm sapphire được sử dụng rộng rãi trong sản xuất các thiết bị điện tử và quang điện tử, bao gồm tổng hợp quang học, pin mặt trời, thiết bị điện tử tần số cao, v.v.

4. Các ứng dụng khác: Tấm wafer sapphire cũng có thể được sử dụng để sản xuất màn hình cảm ứng, thiết bị quang học, pin mặt trời màng mỏng và các sản phẩm công nghệ cao khác.

Sự chỉ rõ

Vật liệu	Tinh thể đơn Al2O3 có độ tinh khiết cao, tấm sapphire.
Kích thước	150 mm +/- 0,05 mm, 6 inch
độ dày	1300 +/- 25 ừm
Định hướng	Mặt phẳng C (0001) so với mặt phẳng M (1-100) 0,2 +/- 0,05 độ
Hướng phẳng chính	Một mặt phẳng +/- 1 độ
Chiều dài phẳng chính	47,5 mm +/- 1 mm
Tổng biến thiên độ dày (TTV)	<20 ừm
Cây cung	<25 ừm
Làm cong	<25 ừm
Hệ số giãn nở nhiệt	6,66 x 10-6/°C song song với trục C, 5 x 10-6/°C vuông góc với trục C
Độ bền điện môi	4,8 x 105 V/cm
Hằng số điện môi	11,5 (1 MHz) dọc theo trục C, 9,3 (1 MHz) vuông góc với trục C
Tiếp tuyến tổn thất điện môi (hay còn gọi là hệ số tiêu tán)	nhỏ hơn 1 x 10-4
Dẫn nhiệt	40 W/(mK) ở 20oC
đánh bóng	đánh bóng một mặt (SSP) hoặc đánh bóng hai mặt (DSP) Ra < 0,5 nm (bằng AFM).Mặt sau của tấm wafer SSP được nghiền mịn đến Ra = 0,8 - 1,2 um.
Truyền	88% +/-1 % @460nm