Mẫu AlN 50,8mm/100mm trên mẫu NPSS/FSS AlN trên sapphire

Mô tả ngắn:

AlN-On-Sapphire đề cập đến sự kết hợp của các vật liệu trong đó màng nhôm nitrit được trồng trên nền Sapphire.Trong cấu trúc này, màng nhôm nitrit chất lượng cao có thể được phát triển bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học (CVD) hoặc lắng đọng hơi hóa học hữu cơ (MOCVD), điều này làm cho màng nhôm nitrit và chất nền sapphire có sự kết hợp tốt.Ưu điểm của cấu trúc này là nhôm nitride có tính dẫn nhiệt cao, độ ổn định hóa học cao và tính chất quang học tuyệt vời, trong khi chất nền sapphire có tính chất cơ, nhiệt tuyệt vời và độ trong suốt.


Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

AlN-Trên-Sapphire

AlN-On-Sapphire có thể được sử dụng để chế tạo nhiều loại thiết bị quang điện, chẳng hạn như:
1. Chip LED: Chip LED thường được làm bằng màng nhôm nitrit và các vật liệu khác.Hiệu suất và độ ổn định của đèn LED có thể được cải thiện bằng cách sử dụng tấm bán dẫn AlN-On-Sapphire làm chất nền của chip LED.
2. Laser: Tấm wafer AlN-On-Sapphire cũng có thể được sử dụng làm chất nền cho laser, loại laser thường được sử dụng trong y tế, truyền thông và xử lý vật liệu.
3. Pin mặt trời: Việc sản xuất pin mặt trời đòi hỏi phải sử dụng các vật liệu như nhôm nitrit.AlN-On-Sapphire làm chất nền có thể cải thiện hiệu quả và tuổi thọ của pin mặt trời.
4. Các thiết bị quang điện tử khác: Tấm wafer AlN-On-Sapphire cũng có thể được sử dụng để sản xuất bộ tách sóng quang, thiết bị quang điện tử và các thiết bị quang điện tử khác.

Tóm lại, tấm wafer AlN-On-Sapphire được sử dụng rộng rãi trong lĩnh vực quang điện do tính dẫn nhiệt cao, độ ổn định hóa học cao, tổn thất thấp và tính chất quang học tuyệt vời.

Mẫu AlN 50,8mm/100mm trên NPSS/FSS

Mục Bình luận
Sự miêu tả Mẫu AlN-on-NPSS Mẫu AlN-on-FSS
Đường kính wafer 50,8mm, 100mm
Cơ chất NPSS mặt phẳng c c-mặt phẳng Sapphire (FSS)
Độ dày bề mặt Sapphire phẳng phẳng 50,8mm, 100mmc (FSS)100mm : 650 um
Độ dày của lớp epi AIN 3~4 um (mục tiêu: 3,3um)
Độ dẫn nhiệt cách nhiệt

Bề mặt

Khi trưởng thành
RMS<1nm RMS<2nm
Mặt sau xay
FWHM(002)XRC < 150 giây cung < 150 giây cung
FWHM(102)XRC < 300 giây < 300 giây
Loại trừ cạnh < 2mm < 3mm
Hướng phẳng chính a-mặt phẳng+0,1°
Chiều dài phẳng chính 50,8mm: 16+/-1mm 100mm: 30+/-1mm
Bưu kiện Đóng gói trong hộp vận chuyển hoặc hộp đựng wafer đơn

Sơ đồ chi tiết

Mẫu FSS AlN trên sapphire3
Mẫu FSS AlN trên sapphire4

  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Viết tin nhắn của bạn ở đây và gửi cho chúng tôi