Tấm wafer nền SiC 4H-N 8 inch Silicon Carbide giả cấp nghiên cứu độ dày 500um

Khi lựa chọn wafer và đế silicon carbide (SiC), có một số yếu tố cần cân nhắc. Dưới đây là một số tiêu chí quan trọng:

Loại vật liệu: Xác định loại vật liệu SiC phù hợp với ứng dụng của bạn, chẳng hạn như 4H-SiC hoặc 6H-SiC. Cấu trúc tinh thể được sử dụng phổ biến nhất là 4H-SiC.

Loại pha tạp: Quyết định xem bạn cần đế SiC pha tạp hay không pha tạp. Các loại pha tạp phổ biến là loại N (pha tạp n) hoặc loại P (pha tạp p), tùy thuộc vào yêu cầu cụ thể của bạn.

Chất lượng tinh thể: Đánh giá chất lượng tinh thể của tấm wafer hoặc đế SiC. Chất lượng mong muốn được xác định bởi các thông số như số lượng khuyết tật, định hướng tinh thể và độ nhám bề mặt.

Đường kính wafer: Chọn kích thước wafer phù hợp dựa trên ứng dụng của bạn. Các kích thước phổ biến bao gồm 2 inch, 3 inch, 4 inch và 6 inch. Đường kính càng lớn, bạn càng có thể đạt được nhiều sản lượng hơn trên mỗi wafer.

Độ dày: Cân nhắc độ dày mong muốn của tấm wafer hoặc đế SiC. Độ dày thông thường dao động từ vài micromet đến vài trăm micromet.

Định hướng: Xác định định hướng tinh thể phù hợp với yêu cầu ứng dụng của bạn. Các định hướng phổ biến bao gồm (0001) cho 4H-SiC và (0001) hoặc (0001̅) cho 6H-SiC.

Độ hoàn thiện bề mặt: Đánh giá độ hoàn thiện bề mặt của tấm wafer hoặc đế SiC. Bề mặt phải nhẵn, bóng và không có vết xước hoặc tạp chất.

Uy tín nhà cung cấp: Chọn nhà cung cấp uy tín, có kinh nghiệm dày dặn trong sản xuất wafer và đế SiC chất lượng cao. Hãy cân nhắc các yếu tố như năng lực sản xuất, kiểm soát chất lượng và đánh giá của khách hàng.

Chi phí: Cân nhắc đến các tác động về chi phí, bao gồm giá cho mỗi tấm wafer hoặc chất nền và bất kỳ chi phí tùy chỉnh bổ sung nào.

Điều quan trọng là phải đánh giá cẩn thận các yếu tố này và tham khảo ý kiến của các chuyên gia hoặc nhà cung cấp trong ngành để đảm bảo rằng các tấm wafer và chất nền SiC được chọn đáp ứng các yêu cầu ứng dụng cụ thể của bạn.