Tấm wafer nền SiC 4H-N 8 inch Silicon Carbide Dummy Lớp nghiên cứu có độ dày 500um

Khi chọn tấm wafer và chất nền silic cacbua (SiC), có một số yếu tố cần xem xét. Dưới đây là một số tiêu chí quan trọng:

Loại vật liệu: Xác định loại vật liệu SiC phù hợp với ứng dụng của bạn, chẳng hạn như 4H-SiC hoặc 6H-SiC. Cấu trúc tinh thể được sử dụng phổ biến nhất là 4H-SiC.

Loại pha tạp: Quyết định xem bạn cần chất nền SiC có pha tạp hay không pha tạp. Các loại doping phổ biến là loại N (pha tạp n) hoặc loại P (pha tạp p), tùy thuộc vào yêu cầu cụ thể của bạn.

Chất lượng tinh thể: Đánh giá chất lượng tinh thể của tấm hoặc chất nền SiC. Chất lượng mong muốn được xác định bởi các thông số như số lượng khuyết tật, định hướng tinh thể và độ nhám bề mặt.

Đường kính wafer: Chọn kích thước wafer thích hợp dựa trên ứng dụng của bạn. Các kích thước phổ biến bao gồm 2 inch, 3 inch, 4 inch và 6 inch. Đường kính càng lớn thì năng suất thu được trên mỗi tấm wafer càng cao.

Độ dày: Xem xét độ dày mong muốn của tấm wafer hoặc chất nền SiC. Các tùy chọn độ dày điển hình nằm trong khoảng từ vài micromet đến vài trăm micromet.

Định hướng: Xác định hướng tinh thể phù hợp với yêu cầu ứng dụng của bạn. Các hướng phổ biến bao gồm (0001) cho 4H-SiC và (0001) hoặc (0001̅) cho 6H-SiC.

Bề mặt hoàn thiện: Đánh giá độ hoàn thiện bề mặt của tấm wafer hoặc chất nền SiC. Bề mặt phải mịn, đánh bóng và không có vết trầy xước hoặc chất gây ô nhiễm.

Danh tiếng của nhà cung cấp: Chọn nhà cung cấp uy tín, có nhiều kinh nghiệm trong việc sản xuất tấm wafer và chất nền SiC chất lượng cao. Xem xét các yếu tố như khả năng sản xuất, kiểm soát chất lượng và đánh giá của khách hàng.

Chi phí: Xem xét các tác động về mặt chi phí, bao gồm giá mỗi tấm bán dẫn hoặc chất nền và bất kỳ chi phí tùy chỉnh bổ sung nào.

Điều quan trọng là phải đánh giá cẩn thận các yếu tố này và tham khảo ý kiến ​​của các chuyên gia hoặc nhà cung cấp trong ngành để đảm bảo rằng tấm wafer và chất nền SiC đã chọn đáp ứng các yêu cầu ứng dụng cụ thể của bạn.