Tấm nền SiC 4H-N 8 inch Silicon Carbide Dummy Cấp nghiên cứu độ dày 500um

Khi lựa chọn wafer và chất nền silicon carbide (SiC), có một số yếu tố cần xem xét. Sau đây là một số tiêu chí quan trọng:

Loại vật liệu: Xác định loại vật liệu SiC phù hợp với ứng dụng của bạn, chẳng hạn như 4H-SiC hoặc 6H-SiC. Cấu trúc tinh thể được sử dụng phổ biến nhất là 4H-SiC.

Loại pha tạp: Quyết định xem bạn cần chất nền SiC pha tạp hay không pha tạp. Các loại pha tạp phổ biến là loại N (n-pha tạp) hoặc loại P (p-pha tạp), tùy thuộc vào yêu cầu cụ thể của bạn.

Chất lượng tinh thể: Đánh giá chất lượng tinh thể của tấm wafer hoặc chất nền SiC. Chất lượng mong muốn được xác định bởi các thông số như số lượng khuyết tật, hướng tinh thể và độ nhám bề mặt.

Đường kính wafer: Chọn kích thước wafer phù hợp dựa trên ứng dụng của bạn. Các kích thước phổ biến bao gồm 2 inch, 3 inch, 4 inch và 6 inch. Đường kính càng lớn, bạn có thể đạt được năng suất càng cao trên mỗi wafer.

Độ dày: Xem xét độ dày mong muốn của các tấm wafer hoặc chất nền SiC. Các tùy chọn độ dày thông thường dao động từ vài micromet đến vài trăm micromet.

Định hướng: Xác định định hướng tinh thể phù hợp với yêu cầu của ứng dụng. Các định hướng phổ biến bao gồm (0001) cho 4H-SiC và (0001) hoặc (0001̅) cho 6H-SiC.

Hoàn thiện bề mặt: Đánh giá độ hoàn thiện bề mặt của tấm wafer hoặc chất nền SiC. Bề mặt phải nhẵn, bóng và không có vết xước hoặc chất bẩn.

Uy tín của nhà cung cấp: Chọn một nhà cung cấp có uy tín với nhiều kinh nghiệm trong sản xuất wafer và chất nền SiC chất lượng cao. Xem xét các yếu tố như khả năng sản xuất, kiểm soát chất lượng và đánh giá của khách hàng.

Chi phí: Xem xét các tác động về chi phí, bao gồm giá cho mỗi tấm wafer hoặc chất nền và bất kỳ chi phí tùy chỉnh bổ sung nào.

Điều quan trọng là phải đánh giá cẩn thận các yếu tố này và tham khảo ý kiến ​​của các chuyên gia hoặc nhà cung cấp trong ngành để đảm bảo rằng các tấm SiC và chất nền được chọn đáp ứng các yêu cầu ứng dụng cụ thể của bạn.