Thỏi bán cách điện Silicon Carbide 4H-SiC, loại dùng thử, kích thước 6 inch.
Của cải
1. Tính chất vật lý và cấu trúc
●Loại vật liệu: Cacbua silic (SiC)
●Loại đa hình: 4H-SiC, cấu trúc tinh thể lục giác
● Đường kính: 6 inch (150 mm)
● Độ dày: Có thể tùy chỉnh (thường từ 5-15 mm cho loại mẫu thử)
●Hướng tinh thể:
oChính: [0001] (Mặt phẳng C)
Tùy chọn phụ: Góc lệch trục 4° để tối ưu hóa sự phát triển màng mỏng.
●Hướng phẳng chính: (10-10) ± 5°
●Hướng mặt phẳng phụ: Xoay 90° ngược chiều kim đồng hồ so với mặt phẳng chính ± 5°
2. Tính chất điện
●Điện trở suất:
Bán cách điện (>106^66 Ω·cm), lý tưởng để giảm thiểu điện dung ký sinh.
●Loại doping:
Bị pha tạp ngoài ý muốn, dẫn đến điện trở suất cao và độ ổn định kém trong nhiều điều kiện hoạt động khác nhau.
3. Tính chất nhiệt
● Độ dẫn nhiệt: 3,5-4,9 W/cm·K, cho phép tản nhiệt hiệu quả trong các hệ thống công suất cao.
●Hệ số giãn nở nhiệt: 4,2×10−64,2 \times 10^{-6}4,2×10−6/K, đảm bảo độ ổn định kích thước trong quá trình gia công ở nhiệt độ cao.
4. Tính chất quang học
●Khe hở năng lượng: Khe hở năng lượng rộng 3,26 eV, cho phép hoạt động ở điện áp và nhiệt độ cao.
● Độ trong suốt: Độ trong suốt cao đối với tia cực tím và ánh sáng nhìn thấy, hữu ích cho việc kiểm tra quang điện tử.
5. Tính chất cơ học
● Độ cứng: Thang Mohs 9, chỉ đứng sau kim cương, đảm bảo độ bền trong quá trình gia công.
●Mật độ khuyết tật:
Được kiểm soát để giảm thiểu tối đa các khuyết tật vĩ mô, đảm bảo chất lượng đủ tốt cho các ứng dụng cấp độ mẫu.
● Độ phẳng: Tính đồng nhất với các sai lệch
| Tham số | Chi tiết | Đơn vị |
| Cấp | Điểm giả | |
| Đường kính | 150,0 ± 0,5 | mm |
| Định hướng tấm bán dẫn | Trên trục: <0001> ± 0,5° | bằng cấp |
| Điện trở suất | > 1E5 | Ω·cm |
| Định hướng phẳng chính | {10-10} ± 5,0° | bằng cấp |
| Chiều dài phẳng chính | Vết khuyết | |
| Vết nứt (Kiểm tra bằng ánh sáng cường độ cao) | < 3 mm theo hướng xuyên tâm | mm |
| Tấm lục giác (Kiểm tra bằng ánh sáng cường độ cao) | Tổng diện tích tích lũy ≤ 5% | % |
| Các khu vực đa hình (Kiểm tra bằng ánh sáng cường độ cao) | Tổng diện tích tích lũy ≤ 10% | % |
| Mật độ vi ống | < 50 | cm−2^-2−2 |
| Sứt mẻ cạnh | Được phép 3 cái, mỗi cái ≤ 3 mm | mm |
| Ghi chú | Cắt lát với độ dày < 1 mm, > 70% (không tính hai đầu) đáp ứng các yêu cầu trên. |
Ứng dụng
1. Xây dựng nguyên mẫu và nghiên cứu
Thỏi SiC 4H loại mẫu thử 6 inch là vật liệu lý tưởng cho việc tạo mẫu và nghiên cứu, cho phép các nhà sản xuất và phòng thí nghiệm:
●Kiểm tra các thông số quy trình trong lắng đọng hơi hóa học (CVD) hoặc lắng đọng hơi vật lý (PVD).
● Phát triển và hoàn thiện các kỹ thuật khắc, đánh bóng và cắt lát bán dẫn.
●Khám phá các thiết kế thiết bị mới trước khi chuyển sang sử dụng vật liệu chất lượng sản xuất.
2. Hiệu chuẩn và kiểm tra thiết bị
Tính chất bán cách điện khiến thỏi kim loại này trở nên vô cùng quý giá cho:
●Đánh giá và hiệu chỉnh các đặc tính điện của các thiết bị công suất cao và tần số cao.
● Mô phỏng các điều kiện hoạt động của MOSFET, IGBT hoặc điốt trong môi trường thử nghiệm.
●Đóng vai trò là chất thay thế tiết kiệm chi phí cho các chất nền có độ tinh khiết cao trong giai đoạn phát triển ban đầu.
3. Điện tử công suất
Đặc tính dẫn nhiệt cao và dải năng lượng rộng của 4H-SiC cho phép hoạt động hiệu quả trong các thiết bị điện tử công suất, bao gồm:
●Nguồn điện cao áp.
● Bộ biến tần cho xe điện (EV).
● Hệ thống năng lượng tái tạo, chẳng hạn như bộ biến tần năng lượng mặt trời và tua bin gió.
4. Ứng dụng tần số vô tuyến (RF)
Đặc tính tổn hao điện môi thấp và độ linh động điện tử cao của 4H-SiC khiến nó phù hợp cho:
● Bộ khuếch đại RF và bóng bán dẫn trong cơ sở hạ tầng truyền thông.
● Hệ thống radar tần số cao dành cho các ứng dụng hàng không vũ trụ và quốc phòng.
●Các linh kiện mạng không dây dành cho công nghệ 5G mới nổi.
5. Thiết bị chống bức xạ
Nhờ khả năng chống lại các khuyết tật do bức xạ gây ra vốn có, vật liệu bán cách điện 4H-SiC rất lý tưởng cho:
●Thiết bị thám hiểm không gian, bao gồm thiết bị điện tử vệ tinh và hệ thống điện.
●Thiết bị điện tử chịu được bức xạ dùng cho giám sát và điều khiển hạt nhân.
●Ứng dụng quốc phòng đòi hỏi độ bền bỉ trong môi trường khắc nghiệt.
6. Quang điện tử
Tính trong suốt quang học và dải năng lượng rộng của 4H-SiC cho phép nó được sử dụng trong:
● Đầu dò quang UV và đèn LED công suất cao.
●Kiểm tra các lớp phủ quang học và các phương pháp xử lý bề mặt.
●Thiết kế nguyên mẫu các linh kiện quang học cho các cảm biến tiên tiến.
Ưu điểm của vật liệu cấp độ giả
Hiệu quả chi phí:
Vật liệu loại dùng cho nghiên cứu hoặc sản xuất là một lựa chọn tiết kiệm hơn, lý tưởng cho việc thử nghiệm thường xuyên và tinh chỉnh quy trình.
Khả năng tùy chỉnh:
Kích thước và hướng tinh thể có thể tùy chỉnh đảm bảo khả năng tương thích với nhiều ứng dụng khác nhau.
Khả năng mở rộng:
Đường kính 6 inch phù hợp với tiêu chuẩn ngành, cho phép dễ dàng mở rộng quy mô để đáp ứng các quy trình sản xuất hàng loạt.
Độ bền vững:
Độ bền cơ học cao và tính ổn định nhiệt tốt giúp thỏi kim loại bền bỉ và đáng tin cậy trong nhiều điều kiện thí nghiệm khác nhau.
Tính linh hoạt:
Thích hợp cho nhiều ngành công nghiệp, từ hệ thống năng lượng đến truyền thông và quang điện tử.
Phần kết luận
Thỏi silicon carbide (4H-SiC) bán cách điện 6 inch, loại mẫu thử, cung cấp một nền tảng đáng tin cậy và linh hoạt cho nghiên cứu, tạo mẫu và thử nghiệm trong các lĩnh vực công nghệ tiên tiến. Các đặc tính nhiệt, điện và cơ học vượt trội, kết hợp với giá cả phải chăng và khả năng tùy chỉnh, làm cho nó trở thành vật liệu không thể thiếu cho cả giới học thuật và công nghiệp. Từ điện tử công suất đến hệ thống RF và các thiết bị chịu bức xạ, thỏi này hỗ trợ đổi mới ở mọi giai đoạn phát triển.
Để biết thêm thông tin chi tiết về thông số kỹ thuật hoặc yêu cầu báo giá, vui lòng liên hệ trực tiếp với chúng tôi. Đội ngũ kỹ thuật của chúng tôi sẵn sàng hỗ trợ bạn với các giải pháp phù hợp với nhu cầu của bạn.
Sơ đồ chi tiết
