6 trong Thỏi bán cách điện Silicon Carbide 4H-SiC, Lớp giả

Mô tả ngắn gọn:

Silicon Carbide (SiC) đang cách mạng hóa ngành công nghiệp bán dẫn, đặc biệt là trong các ứng dụng công suất cao, tần số cao và chống bức xạ. Thỏi bán cách điện 4H-SiC 6 inch, được cung cấp ở dạng giả, là vật liệu thiết yếu cho quá trình tạo mẫu, nghiên cứu và hiệu chuẩn. Với dải tần rộng, độ dẫn nhiệt tuyệt vời và độ bền cơ học, phôi này đóng vai trò là lựa chọn tiết kiệm chi phí để thử nghiệm và tối ưu hóa quy trình mà không ảnh hưởng đến chất lượng cơ bản cần thiết cho sự phát triển nâng cao. Sản phẩm này phục vụ cho nhiều ứng dụng khác nhau, bao gồm điện tử công suất, thiết bị tần số vô tuyến (RF) và quang điện tử, khiến nó trở thành một công cụ vô giá cho các tổ chức nghiên cứu và công nghiệp.


Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Của cải

1. Đặc tính vật lý và cấu trúc
●Loại vật liệu: Silicon Carbide (SiC)
●Polytype: 4H-SiC, cấu trúc tinh thể lục giác
●Đường kính: 6 inch (150 mm)
●Độ dày: Có thể định cấu hình (5-15 mm điển hình cho loại giả)
●Định hướng tinh thể:
oPrimary: [0001] (C-plane)
oTùy chọn phụ: Trục lệch 4° để tăng trưởng epiticular được tối ưu hóa
●Hướng phẳng chính: (10-10) ± 5°
●Hướng phẳng thứ cấp: 90° ngược chiều kim đồng hồ so với mặt phẳng chính ± 5°

2. Tính chất điện
●Điện trở suất:
oBán cách điện (>106^66 Ω·cm), lý tưởng để giảm thiểu điện dung ký sinh.
●Loại doping:
oĐược pha tạp không chủ ý, dẫn đến điện trở suất cao và ổn định trong nhiều điều kiện vận hành.

3. Tính chất nhiệt
●Độ dẫn nhiệt: 3,5-4,9 W/cm·K, giúp tản nhiệt hiệu quả trong các hệ thống công suất cao.
●Hệ số giãn nở nhiệt: 4,2×10−64,2 \times 10^{-6}4,2×10−6/K, đảm bảo độ ổn định kích thước trong quá trình xử lý ở nhiệt độ cao.

4. Tính chất quang học
●Bandgap: Bandgap rộng 3,26 eV, cho phép hoạt động ở điện áp và nhiệt độ cao.
●Độ trong suốt: Độ trong suốt cao đối với tia UV và các bước sóng khả kiến, hữu ích cho việc kiểm tra quang điện tử.

5. Tính chất cơ học
●Độ cứng: Mohs thang 9, chỉ đứng sau kim cương, đảm bảo độ bền trong quá trình gia công.
●Mật độ khuyết tật:
oĐược kiểm soát các lỗi vĩ mô tối thiểu, đảm bảo đủ chất lượng cho các ứng dụng cấp giả.
●Độ phẳng: Tính đồng nhất có độ lệch

tham số

Chi tiết

Đơn vị

Cấp Lớp giả  
Đường kính 150,0 ± 0,5 mm
Định hướng wafer Trên trục: <0001> ± 0,5° bằng cấp
Điện trở suất > 1E5 Ω·cm
Định hướng phẳng chính {10-10} ± 5,0° bằng cấp
Chiều dài phẳng chính Notch  
Vết nứt (Kiểm tra bằng ánh sáng cường độ cao) < 3 mm theo hướng xuyên tâm mm
Tấm lục giác (Kiểm tra bằng ánh sáng cường độ cao) Diện tích tích lũy 5% %
Khu vực Polytype (Kiểm tra ánh sáng cường độ cao) Diện tích tích lũy ≤ 10% %
Mật độ micropipe < 50 cm−2^-2−2
sứt mẻ cạnh Cho phép 3, mỗi cái 3 mm mm
Ghi chú Độ dày lát cắt < 1 mm, > 70% (không bao gồm 2 đầu) đáp ứng yêu cầu trên  

Ứng dụng

1. Nguyên mẫu và nghiên cứu
Thỏi 4H-SiC 6 inch cấp giả là vật liệu lý tưởng để tạo mẫu và nghiên cứu, cho phép các nhà sản xuất và phòng thí nghiệm:
●Thử nghiệm các thông số quy trình trong Lắng đọng hơi hóa học (CVD) hoặc Lắng đọng hơi vật lý (PVD).
●Phát triển và cải tiến các kỹ thuật khắc, đánh bóng và cắt wafer.
●Khám phá các thiết kế thiết bị mới trước khi chuyển sang vật liệu cấp sản xuất.

2. Hiệu chuẩn và kiểm tra thiết bị
Các đặc tính bán cách điện làm cho thỏi này trở nên vô giá đối với:
●Đánh giá và hiệu chỉnh các đặc tính điện của các thiết bị công suất cao và tần số cao.
●Mô phỏng các điều kiện hoạt động của MOSFET, IGBT hoặc điốt trong môi trường thử nghiệm.
●Là giải pháp thay thế hiệu quả về mặt chi phí cho các chất nền có độ tinh khiết cao trong quá trình phát triển ở giai đoạn đầu.

3. Điện tử công suất
Độ dẫn nhiệt cao và đặc tính vùng cấm rộng của 4H-SiC cho phép vận hành hiệu quả trong các thiết bị điện tử công suất, bao gồm:
●Nguồn điện cao thế.
●Bộ biến tần xe điện (EV).
●Các hệ thống năng lượng tái tạo như bộ biến tần năng lượng mặt trời và tua-bin gió.

4. Ứng dụng tần số vô tuyến (RF)
Tổn thất điện môi thấp và độ linh động điện tử cao của 4H-SiC khiến nó phù hợp với:
●Bộ khuếch đại RF và bóng bán dẫn trong cơ sở hạ tầng truyền thông.
●Hệ thống radar tần số cao dành cho các ứng dụng hàng không vũ trụ và quốc phòng.
●Các thành phần mạng không dây dành cho công nghệ 5G mới nổi.

5. Thiết bị chống bức xạ
Do khả năng chống lại các khuyết tật do bức xạ vốn có, 4H-SiC bán cách điện rất lý tưởng cho:
●Thiết bị thám hiểm không gian, bao gồm hệ thống điện và điện tử vệ tinh.
●Thiết bị điện tử được tăng cường bức xạ để giám sát và kiểm soát hạt nhân.
●Các ứng dụng quốc phòng đòi hỏi độ bền cao trong môi trường khắc nghiệt.

6. Quang điện tử
Độ trong suốt quang học và dải thông rộng của 4H-SiC cho phép sử dụng nó trong:
●Bộ tách sóng quang UV và đèn LED công suất cao.
●Thử nghiệm lớp phủ quang học và xử lý bề mặt.
●Tạo nguyên mẫu các thành phần quang học cho cảm biến tiên tiến.

Ưu điểm của vật liệu cấp giả

Hiệu quả chi phí:
Cấp độ giả là một giải pháp thay thế hợp lý hơn cho các vật liệu cấp nghiên cứu hoặc cấp sản xuất, khiến nó trở nên lý tưởng cho việc kiểm tra thường xuyên và sàng lọc quy trình.

Khả năng tùy chỉnh:
Kích thước có thể định cấu hình và hướng tinh thể đảm bảo khả năng tương thích với nhiều ứng dụng.

Khả năng mở rộng:
Đường kính 6 inch phù hợp với tiêu chuẩn ngành, cho phép mở rộng quy mô liền mạch cho các quy trình cấp sản xuất.

Độ bền:
Độ bền cơ học cao và độ ổn định nhiệt làm cho phôi bền và đáng tin cậy trong các điều kiện thí nghiệm khác nhau.

Tính linh hoạt:
Thích hợp cho nhiều ngành công nghiệp, từ hệ thống năng lượng đến truyền thông và quang điện tử.

Phần kết luận

Thỏi bán cách nhiệt Silicon Carbide (4H-SiC) 6 inch, loại giả, cung cấp một nền tảng linh hoạt và đáng tin cậy để nghiên cứu, tạo mẫu và thử nghiệm trong các lĩnh vực công nghệ tiên tiến. Các đặc tính nhiệt, điện và cơ học đặc biệt của nó, kết hợp với khả năng chi trả và khả năng tùy chỉnh, khiến nó trở thành vật liệu không thể thiếu cho cả giới học thuật và ngành công nghiệp. Từ thiết bị điện tử công suất đến hệ thống RF và các thiết bị được làm cứng bằng bức xạ, thỏi này hỗ trợ sự đổi mới ở mọi giai đoạn phát triển.
Để biết thêm thông số kỹ thuật chi tiết hoặc yêu cầu báo giá, vui lòng liên hệ trực tiếp với chúng tôi. Đội ngũ kỹ thuật của chúng tôi sẵn sàng hỗ trợ các giải pháp phù hợp để đáp ứng yêu cầu của bạn.

Sơ đồ chi tiết

Phôi SiC06
Thỏi SiC12
Phôi SiC05
Thỏi SiC10

  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Viết tin nhắn của bạn ở đây và gửi cho chúng tôi