Thỏi bán cách điện Silicon Carbide 4H-SiC 6 inch, Cấp độ giả
Của cải
1. Tính chất vật lý và cấu trúc
●Loại vật liệu: Silicon Carbide (SiC)
●Polytype: 4H-SiC, cấu trúc tinh thể lục giác
●Đường kính: 6 inch (150 mm)
●Độ dày: Có thể tùy chỉnh (5-15 mm là độ dày tiêu chuẩn cho lớp giả)
●Hướng tinh thể:
oChính: [0001] (mặt phẳng C)
oTùy chọn thứ cấp: Ngoài trục 4° để tăng trưởng epitaxial tối ưu
●Hướng phẳng chính: (10-10) ± 5°
●Hướng mặt phẳng thứ cấp: 90° ngược chiều kim đồng hồ từ mặt phẳng chính ± 5°
2. Tính chất điện
●Điện trở suất:
oBán cách điện (>106^66 Ω·cm), lý tưởng để giảm thiểu điện dung ký sinh.
●Loại doping:
oĐược pha tạp một cách vô ý, tạo ra điện trở suất cao và độ ổn định trong nhiều điều kiện hoạt động.
3. Tính chất nhiệt
●Độ dẫn nhiệt: 3,5-4,9 W/cm·K, cho phép tản nhiệt hiệu quả trong các hệ thống công suất cao.
●Hệ số giãn nở nhiệt: 4,2×10−64,2 \times 10^{-6}4,2×10−6/K, đảm bảo độ ổn định về kích thước trong quá trình xử lý ở nhiệt độ cao.
4. Tính chất quang học
●Khoảng cách dải tần: Khoảng cách dải tần rộng 3,26 eV, cho phép hoạt động ở điện áp và nhiệt độ cao.
●Độ trong suốt: Độ trong suốt cao đối với tia UV và bước sóng khả kiến, hữu ích cho thử nghiệm quang điện tử.
5. Tính chất cơ học
● Độ cứng: Thang độ cứng Mohs 9, chỉ đứng sau kim cương, đảm bảo độ bền trong quá trình gia công.
●Mật độ khuyết tật:
oĐược kiểm soát để giảm thiểu tối đa các khuyết tật vĩ mô, đảm bảo chất lượng đủ cho các ứng dụng cấp giả.
●Độ phẳng: Sự đồng nhất với độ lệch
| Tham số | Chi tiết | Đơn vị |
| Cấp | Điểm giả | |
| Đường kính | 150,0 ± 0,5 | mm |
| Định hướng wafer | Trên trục: <0001> ± 0,5° | bằng cấp |
| Điện trở suất | > 1E5 | Ω·cm |
| Định hướng phẳng chính | {10-10} ± 5,0° | bằng cấp |
| Chiều dài phẳng chính | khía | |
| Các vết nứt (Kiểm tra bằng ánh sáng cường độ cao) | < 3 mm theo bán kính | mm |
| Tấm lục giác (Kiểm tra bằng ánh sáng cường độ cao) | Diện tích tích lũy ≤ 5% | % |
| Khu vực Polytype (Kiểm tra ánh sáng cường độ cao) | Diện tích tích lũy ≤ 10% | % |
| Mật độ ống vi mô | < 50 | cm−2^-2−2 |
| Mẻ cạnh | 3 cho phép, mỗi ≤ 3 mm | mm |
| Ghi chú | Độ dày lát cắt wafer < 1 mm, > 70% (không bao gồm hai đầu) đáp ứng các yêu cầu trên |
Ứng dụng
1. Nguyên mẫu và nghiên cứu
Thỏi 4H-SiC 6 inch cấp giả là vật liệu lý tưởng để tạo mẫu và nghiên cứu, cho phép các nhà sản xuất và phòng thí nghiệm:
●Kiểm tra các thông số quy trình bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học (CVD) hoặc lắng đọng hơi vật lý (PVD).
●Phát triển và cải tiến các kỹ thuật khắc, đánh bóng và cắt lát wafer.
●Khám phá các thiết kế thiết bị mới trước khi chuyển sang vật liệu sản xuất.
2. Hiệu chuẩn và kiểm tra thiết bị
Tính chất bán cách điện làm cho thỏi này trở nên vô giá đối với:
●Đánh giá và hiệu chuẩn các tính chất điện của các thiết bị công suất cao và tần số cao.
●Mô phỏng các điều kiện hoạt động cho MOSFET, IGBT hoặc diode trong môi trường thử nghiệm.
●Là giải pháp thay thế tiết kiệm chi phí cho các chất nền có độ tinh khiết cao trong giai đoạn phát triển ban đầu.
3. Điện tử công suất
Độ dẫn nhiệt cao và đặc tính khoảng cách dải rộng của 4H-SiC cho phép hoạt động hiệu quả trong thiết bị điện tử công suất, bao gồm:
●Nguồn điện cao thế.
●Biến tần cho xe điện (EV).
●Hệ thống năng lượng tái tạo, chẳng hạn như biến tần năng lượng mặt trời và tua bin gió.
4. Ứng dụng tần số vô tuyến (RF)
Độ tổn thất điện môi thấp và độ linh động electron cao của 4H-SiC làm cho nó phù hợp với:
●Bộ khuếch đại RF và bóng bán dẫn trong cơ sở hạ tầng truyền thông.
●Hệ thống radar tần số cao dành cho ứng dụng hàng không vũ trụ và quốc phòng.
●Các thành phần mạng không dây cho công nghệ 5G mới nổi.
5. Thiết bị chống bức xạ
Do có khả năng chống lại các khuyết tật do bức xạ gây ra, vật liệu bán cách điện 4H-SiC lý tưởng cho:
●Thiết bị thám hiểm không gian, bao gồm hệ thống điện tử và năng lượng vệ tinh.
●Thiết bị điện tử chịu được bức xạ để giám sát và kiểm soát hạt nhân.
●Các ứng dụng quốc phòng đòi hỏi sự bền bỉ trong môi trường khắc nghiệt.
6. Quang điện tử
Độ trong suốt quang học và khoảng cách băng thông rộng của 4H-SiC cho phép sử dụng trong:
●Máy dò quang UV và đèn LED công suất cao.
●Kiểm tra lớp phủ quang học và xử lý bề mặt.
●Tạo mẫu linh kiện quang học cho các cảm biến tiên tiến.
Ưu điểm của vật liệu giả
Hiệu quả chi phí:
Vật liệu giả là giải pháp thay thế hợp lý hơn cho vật liệu nghiên cứu hoặc sản xuất, lý tưởng cho việc thử nghiệm thường xuyên và tinh chỉnh quy trình.
Khả năng tùy chỉnh:
Kích thước và hướng tinh thể có thể tùy chỉnh đảm bảo khả năng tương thích với nhiều ứng dụng khác nhau.
Khả năng mở rộng:
Đường kính 6 inch phù hợp với tiêu chuẩn công nghiệp, cho phép mở rộng quy mô liền mạch theo các quy trình sản xuất.
Độ bền:
Độ bền cơ học và độ ổn định nhiệt cao làm cho thỏi bền và đáng tin cậy trong nhiều điều kiện thử nghiệm khác nhau.
Tính linh hoạt:
Phù hợp với nhiều ngành công nghiệp, từ hệ thống năng lượng đến truyền thông và quang điện tử.
Phần kết luận
Thỏi bán cách điện Silicon Carbide (4H-SiC) 6 inch, loại giả, cung cấp một nền tảng đáng tin cậy và linh hoạt cho nghiên cứu, tạo mẫu và thử nghiệm trong các lĩnh vực công nghệ tiên tiến. Các đặc tính nhiệt, điện và cơ học đặc biệt của nó, kết hợp với khả năng chi trả và khả năng tùy chỉnh, khiến nó trở thành vật liệu không thể thiếu cho cả học viện và công nghiệp. Từ điện tử công suất đến hệ thống RF và các thiết bị chịu bức xạ, thỏi này hỗ trợ sự đổi mới ở mọi giai đoạn phát triển.
Để biết thông số kỹ thuật chi tiết hơn hoặc yêu cầu báo giá, vui lòng liên hệ trực tiếp với chúng tôi. Đội ngũ kỹ thuật của chúng tôi sẵn sàng hỗ trợ các giải pháp phù hợp để đáp ứng yêu cầu của bạn.
Sơ đồ chi tiết
