6 inch-8 inch LN-on-Si Độ dày của vật liệu nền composite 0,3-50 μm Si/SiC/Sapphire
Thông số kỹ thuật
| 0,3-50μm LN/LT trên chất cách điện | |
| Lớp trên cùng | |
| Đường kính | 6-8 inch |
| Định hướng | X, Z, Y-42, v.v. |
| Nguyên vật liệu | Trung úy, Hạ sĩ |
| Độ dày | 0,3-50μm |
| Chất nền (Tùy chỉnh) | |
| Vật liệu | Si, SiC, Sapphire, Spinel, Thạch anh |
Các tính năng chính
Tấm nền composite LN-on-Si có kích thước từ 6 inch đến 8 inch được phân biệt bởi các đặc tính vật liệu độc đáo và các thông số có thể điều chỉnh, cho phép ứng dụng rộng rãi trong các ngành công nghiệp bán dẫn và quang điện tử:
1. Khả năng tương thích với wafer lớn: Kích thước wafer từ 6 inch đến 8 inch đảm bảo tích hợp liền mạch với các dây chuyền sản xuất chất bán dẫn hiện có (ví dụ: quy trình CMOS), giúp giảm chi phí sản xuất và cho phép sản xuất hàng loạt.
2. Chất lượng tinh thể cao: Các kỹ thuật liên kết hoặc epitaxial tối ưu đảm bảo mật độ khuyết tật thấp trong màng mỏng LN, khiến màng này trở nên lý tưởng cho các bộ điều biến quang hiệu suất cao, bộ lọc sóng âm bề mặt (SAW) và các thiết bị chính xác khác.
3. Độ dày có thể điều chỉnh (0,3–50 μm): Các lớp LN siêu mỏng (<1 μm) phù hợp với chip quang tử tích hợp, trong khi các lớp dày hơn (10–50 μm) hỗ trợ các thiết bị RF công suất cao hoặc cảm biến áp điện.
4. Nhiều lựa chọn về chất nền: Ngoài Si, SiC (độ dẫn nhiệt cao) hoặc sapphire (cách điện cao) có thể được lựa chọn làm vật liệu nền để đáp ứng nhu cầu của các ứng dụng tần số cao, nhiệt độ cao hoặc công suất cao.
5. Độ ổn định về nhiệt và cơ học: Chất nền silicon cung cấp khả năng hỗ trợ cơ học mạnh mẽ, giảm thiểu cong vênh hoặc nứt trong quá trình xử lý và cải thiện năng suất thiết bị.
Những đặc tính này đưa chất nền composite LN-on-Si có kích thước từ 6 đến 8 inch trở thành vật liệu được ưa chuộng cho các công nghệ tiên tiến như truyền thông 5G, LiDAR và quang học lượng tử.
Ứng dụng chính
Tấm nền composite LN-on-Si có kích thước từ 6 đến 8 inch được sử dụng rộng rãi trong các ngành công nghiệp công nghệ cao do có các đặc tính quang điện, áp điện và âm học đặc biệt:
1. Truyền thông quang học và quang tử tích hợp: Cho phép sử dụng bộ điều biến quang điện tốc độ cao, ống dẫn sóng và mạch tích hợp quang tử (PIC), giải quyết nhu cầu về băng thông của các trung tâm dữ liệu và mạng cáp quang.
Thiết bị RF 2,5G/6G: Hệ số áp điện cao của LN làm cho nó trở nên lý tưởng cho các bộ lọc sóng âm bề mặt (SAW) và sóng âm khối (BAW), tăng cường xử lý tín hiệu trong các trạm gốc 5G và thiết bị di động.
3. MEMS và cảm biến: Hiệu ứng áp điện của LN trên Si tạo điều kiện thuận lợi cho các máy đo gia tốc, cảm biến sinh học và đầu dò siêu âm có độ nhạy cao phục vụ cho các ứng dụng y tế và công nghiệp.
4. Công nghệ lượng tử: Là vật liệu quang học phi tuyến tính, màng mỏng LN được sử dụng trong các nguồn sáng lượng tử (ví dụ: cặp photon rối) và chip lượng tử tích hợp.
5. Tia laser và quang học phi tuyến tính: Các lớp LN siêu mỏng cho phép tạo ra các thiết bị tạo sóng hài bậc hai (SHG) và dao động tham số quang học (OPO) hiệu quả để xử lý bằng tia laser và phân tích quang phổ.
Chất nền composite LN-on-Si chuẩn hóa có kích thước 6 inch đến 8 inch cho phép sản xuất các thiết bị này tại các nhà máy sản xuất wafer quy mô lớn, giúp giảm đáng kể chi phí sản xuất.
Tùy chỉnh và dịch vụ
Chúng tôi cung cấp dịch vụ hỗ trợ kỹ thuật toàn diện và dịch vụ tùy chỉnh cho vật liệu nền composite LN-on-Si từ 6 inch đến 8 inch để đáp ứng các nhu cầu sản xuất và R&D đa dạng:
1. Chế tạo tùy chỉnh: Độ dày màng LN (0,3–50 μm), hướng tinh thể (cắt X/cắt Y) và vật liệu nền (Si/SiC/sapphire) có thể được điều chỉnh để tối ưu hóa hiệu suất thiết bị.
2. Xử lý cấp wafer: Cung cấp số lượng lớn wafer 6 inch và 8 inch, bao gồm các dịch vụ hậu cần như cắt hạt lựu, đánh bóng và phủ, đảm bảo chất nền sẵn sàng để tích hợp thiết bị.
3. Tư vấn kỹ thuật và thử nghiệm: Đặc tính vật liệu (ví dụ: XRD, AFM), thử nghiệm hiệu suất quang điện và hỗ trợ mô phỏng thiết bị để đẩy nhanh quá trình xác nhận thiết kế.
Sứ mệnh của chúng tôi là thiết lập vật liệu nền composite LN-on-Si có kích thước từ 6 inch đến 8 inch làm giải pháp vật liệu cốt lõi cho các ứng dụng quang điện tử và bán dẫn, cung cấp hỗ trợ toàn diện từ khâu R&D đến sản xuất hàng loạt.
Phần kết luận
Tấm nền composite LN-on-Si 6 inch đến 8 inch, với kích thước wafer lớn, chất lượng vật liệu vượt trội và tính linh hoạt, đang thúc đẩy những tiến bộ trong truyền thông quang học, RF 5G và công nghệ lượng tử. Cho dù là sản xuất khối lượng lớn hay các giải pháp tùy chỉnh, chúng tôi cung cấp các tấm nền đáng tin cậy và các dịch vụ bổ sung để thúc đẩy đổi mới công nghệ.
