Chất nền SiC 3 inch Dia76.2mm HPSI Prime Research và cấp Dummy

Chất nền dẫn điện: đề cập đến điện trở suất của chất nền cacbua silic 15 ~ 30mΩ-cm. Tấm wafer epiticular silicon cacbua được phát triển từ chất nền cacbua silic dẫn điện có thể được chế tạo thêm thành các thiết bị điện, được sử dụng rộng rãi trong các phương tiện năng lượng mới, quang điện, lưới điện thông minh và vận tải đường sắt.

Chất nền bán cách điện dùng để chỉ chất nền cacbua silic có điện trở suất cao hơn 100000Ω-cm, chủ yếu được sử dụng trong sản xuất thiết bị tần số vô tuyến vi sóng gali nitrit, là cơ sở của lĩnh vực truyền thông không dây.

Nó là một thành phần cơ bản trong lĩnh vực truyền thông không dây.

Chất nền dẫn điện và bán cách điện bằng cacbua silic được sử dụng trong nhiều loại thiết bị điện tử và thiết bị điện, bao gồm nhưng không giới hạn ở những loại sau:

Thiết bị bán dẫn công suất cao (dẫn điện): Chất nền cacbua silic có cường độ trường phân hủy và độ dẫn nhiệt cao, thích hợp để sản xuất bóng bán dẫn, điốt công suất cao và các thiết bị khác.

Thiết bị điện tử RF (bán cách điện): Chất nền Silicon Carbide có tốc độ chuyển mạch và khả năng chịu công suất cao, thích hợp cho các ứng dụng như bộ khuếch đại công suất RF, thiết bị vi sóng và công tắc tần số cao.

Thiết bị quang điện tử (bán cách điện): Chất nền cacbua silic có khe năng lượng rộng và độ ổn định nhiệt cao, thích hợp để chế tạo điốt quang, pin mặt trời, điốt laser và các thiết bị khác.

Cảm biến nhiệt độ (dẫn điện): Chất nền cacbua silic có tính dẫn nhiệt và ổn định nhiệt cao, thích hợp để sản xuất cảm biến nhiệt độ cao và dụng cụ đo nhiệt độ.

Quy trình sản xuất và ứng dụng chất nền dẫn điện và bán cách điện bằng silicon cacbua có nhiều lĩnh vực và tiềm năng, mang đến những khả năng mới cho sự phát triển của các thiết bị điện tử và thiết bị điện.