Chất nền SiC 3 inch Dia76.2mm HPSI Prime Research và Dummy grade

Chất nền dẫn điện: chỉ điện trở suất của chất nền silicon carbide 15~30mΩ-cm. Tấm wafer epitaxial silicon carbide được phát triển từ chất nền silicon carbide dẫn điện có thể được chế tạo thành các thiết bị điện, được sử dụng rộng rãi trong xe năng lượng mới, quang điện, lưới điện thông minh và vận tải đường sắt.

Chất nền bán cách điện là chất nền silicon carbide có điện trở suất cao hơn 100000Ω-cm, chủ yếu được sử dụng trong sản xuất thiết bị tần số vô tuyến vi sóng gali nitride, là cơ sở của lĩnh vực truyền thông không dây.

Đây là thành phần cơ bản trong lĩnh vực truyền thông không dây.

Chất nền dẫn điện và bán cách điện silicon carbide được sử dụng trong nhiều loại thiết bị điện tử và thiết bị điện, bao gồm nhưng không giới hạn ở những thiết bị sau:

Thiết bị bán dẫn công suất cao (dẫn điện): Chất nền silicon carbide có cường độ trường đánh thủng và độ dẫn nhiệt cao, thích hợp để sản xuất bóng bán dẫn và điốt công suất cao cũng như các thiết bị khác.

Thiết bị điện tử RF (bán cách điện): Chất nền Silicon Carbide có tốc độ chuyển mạch và khả năng chịu công suất cao, phù hợp cho các ứng dụng như bộ khuếch đại công suất RF, thiết bị vi sóng và công tắc tần số cao.

Thiết bị quang điện tử (bán cách điện): Chất nền silicon carbide có khoảng cách năng lượng rộng và độ ổn định nhiệt cao, thích hợp để chế tạo điốt quang, pin mặt trời, điốt laser và các thiết bị khác.

Cảm biến nhiệt độ (dẫn điện): Chất nền silicon carbide có độ dẫn nhiệt và độ ổn định nhiệt cao, thích hợp để sản xuất cảm biến nhiệt độ cao và dụng cụ đo nhiệt độ.

Quá trình sản xuất và ứng dụng của chất nền dẫn điện và bán cách điện silicon carbide có nhiều lĩnh vực và tiềm năng, mang đến nhiều khả năng mới cho việc phát triển các thiết bị điện tử và thiết bị điện.