AlN trên FSS 2 inch 4 inch NPSS/FSS Mẫu AlN cho khu vực bán dẫn

Mô tả ngắn gọn:

Tấm wafer AlN trên FSS (Chất nền linh hoạt) mang đến sự kết hợp độc đáo giữa độ dẫn nhiệt, độ bền cơ học và đặc tính cách điện vượt trội của Nhôm Nitride (AlN), cùng với độ linh hoạt của chất nền hiệu suất cao. Các tấm wafer 2 inch và 4 inch này được thiết kế đặc biệt cho các ứng dụng bán dẫn tiên tiến, đặc biệt là khi việc quản lý nhiệt và tính linh hoạt của thiết bị là yếu tố then chốt. Với tùy chọn nền NPSS (Chất nền không đánh bóng) và FSS (Chất nền linh hoạt), các mẫu AlN này lý tưởng cho các ứng dụng trong điện tử công suất, thiết bị RF và hệ thống điện tử linh hoạt, nơi độ dẫn nhiệt cao và tích hợp linh hoạt là chìa khóa để cải thiện hiệu suất và độ tin cậy của thiết bị.


Đặc trưng

Của cải

Thành phần vật liệu:
Nhôm nitride (AlN) – Lớp gốm hiệu suất cao màu trắng có khả năng dẫn nhiệt tuyệt vời (thường là 200-300 W/m·K), cách điện tốt và độ bền cơ học cao.
Chất nền linh hoạt (FSS) – Màng polyme linh hoạt (như Polyimide, PET, v.v.) có độ bền và khả năng uốn cong mà không ảnh hưởng đến chức năng của lớp AlN.

Kích thước wafer có sẵn:
2 inch (50,8mm)
4 inch (100mm)

Độ dày:
Lớp AlN: 100-2000nm
Độ dày nền FSS: 50µm-500µm (có thể tùy chỉnh theo yêu cầu)

Tùy chọn hoàn thiện bề mặt:
NPSS (Non-Elated Substrate) – Bề mặt nền chưa được đánh bóng, phù hợp với một số ứng dụng yêu cầu bề mặt nhám hơn để có độ bám dính hoặc tích hợp tốt hơn.
FSS (Chất nền linh hoạt) – Màng phim linh hoạt được đánh bóng hoặc không đánh bóng, có tùy chọn bề mặt nhẵn hoặc có kết cấu, tùy thuộc vào nhu cầu ứng dụng cụ thể.

Tính chất điện:
Cách điện – Tính chất cách điện của AlN khiến nó trở nên lý tưởng cho các ứng dụng bán dẫn công suất cao và điện áp cao.
Hằng số điện môi: ~9,5
Độ dẫn nhiệt: 200-300 W/m·K (tùy thuộc vào cấp độ và độ dày AlN cụ thể)

Tính chất cơ học:
Tính linh hoạt: AlN được lắng đọng trên chất nền linh hoạt (FSS) cho phép uốn cong và linh hoạt.
Độ cứng bề mặt: AlN có độ bền cao và chống lại hư hỏng vật lý trong điều kiện hoạt động bình thường.

Ứng dụng

Thiết bị công suất cao: Lý tưởng cho các thiết bị điện tử công suất yêu cầu tản nhiệt cao, chẳng hạn như bộ biến đổi công suất, bộ khuếch đại RF và mô-đun LED công suất cao.

Linh kiện RF và Vi sóng: Thích hợp cho các thành phần như ăng-ten, bộ lọc và bộ cộng hưởng, nơi cần cả độ dẫn nhiệt và tính linh hoạt về mặt cơ học.

Điện tử linh hoạt: Hoàn hảo cho các ứng dụng mà thiết bị cần phải phù hợp với bề mặt không phẳng hoặc yêu cầu thiết kế nhẹ, linh hoạt (ví dụ: thiết bị đeo, cảm biến linh hoạt).

Bao bì bán dẫn: Được sử dụng làm chất nền trong bao bì bán dẫn, cung cấp khả năng tản nhiệt trong các ứng dụng tạo ra nhiệt độ cao.

Đèn LED và Quang điện tử: Dành cho các thiết bị yêu cầu hoạt động ở nhiệt độ cao với khả năng tản nhiệt mạnh mẽ.

Bảng tham số

Tài sản

Giá trị hoặc Phạm vi

Kích thước wafer 2 inch (50,8mm), 4 inch (100mm)
Độ dày lớp AlN 100nm – 2000nm
Độ dày nền FSS 50µm – 500µm (có thể tùy chỉnh)
Độ dẫn nhiệt 200 – 300 W/m·K
Tính chất điện Cách điện (Hằng số điện môi: ~9,5)
Hoàn thiện bề mặt Đã đánh bóng hoặc chưa đánh bóng
Loại chất nền NPSS (Chất nền không đánh bóng), FSS (Chất nền linh hoạt)
Tính linh hoạt cơ học Độ linh hoạt cao, lý tưởng cho các thiết bị điện tử linh hoạt
Màu sắc Trắng đến trắng ngà (tùy thuộc vào chất nền)

Ứng dụng

●Điện tử công suất:Sự kết hợp giữa độ dẫn nhiệt cao và tính linh hoạt khiến những tấm wafer này trở nên hoàn hảo cho các thiết bị điện như bộ biến đổi điện, bóng bán dẫn và bộ điều chỉnh điện áp đòi hỏi khả năng tản nhiệt hiệu quả.
●Thiết bị RF/Lò vi sóng:Do tính chất nhiệt vượt trội và độ dẫn điện thấp của AlN, các tấm wafer này được sử dụng trong các thành phần RF như bộ khuếch đại, bộ dao động và ăng-ten.
●Thiết bị điện tử linh hoạt:Tính linh hoạt của lớp FSS kết hợp với khả năng quản lý nhiệt tuyệt vời của AlN khiến nó trở thành lựa chọn lý tưởng cho các thiết bị điện tử và cảm biến đeo được.
●Bao bì bán dẫn:Được sử dụng cho bao bì bán dẫn hiệu suất cao, trong đó khả năng tản nhiệt hiệu quả và độ tin cậy là rất quan trọng.
●Ứng dụng LED và quang điện tử:Nhôm Nitride là vật liệu tuyệt vời cho việc đóng gói đèn LED và các thiết bị quang điện tử khác yêu cầu khả năng chịu nhiệt cao.

Hỏi & Đáp (Câu hỏi thường gặp)

Câu hỏi 1: Lợi ích của việc sử dụng AlN trên tấm wafer FSS là gì?

A1: AlN trên wafer FSS kết hợp tính dẫn nhiệt và cách điện cao của AlN với độ linh hoạt cơ học của nền polymer. Điều này cho phép cải thiện khả năng tản nhiệt trong các hệ thống điện tử linh hoạt, đồng thời duy trì tính toàn vẹn của thiết bị trong điều kiện uốn cong và kéo giãn.

Câu hỏi 2: Có những kích thước nào cho AlN trên tấm wafer FSS?

A2: Chúng tôi cung cấp2 inch4 inchKích thước wafer. Có thể thảo luận về kích thước tùy chỉnh theo yêu cầu để đáp ứng nhu cầu ứng dụng cụ thể của bạn.

Q3: Tôi có thể tùy chỉnh độ dày của lớp AlN không?

A3: Vâng,Độ dày lớp AlNcó thể được tùy chỉnh, với phạm vi điển hình từ100nm đến 2000nmtùy thuộc vào yêu cầu ứng dụng của bạn.

Sơ đồ chi tiết

AlN trên FSS01
AlN trên FSS02
AlN trên FSS03
AlN trên FSS06 - 副本

  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Viết tin nhắn của bạn ở đây và gửi cho chúng tôi