AlN trên FSS 2 inch 4 inch NPSS/FSS Mẫu AlN cho khu vực bán dẫn

Mô tả ngắn gọn:

Các tấm wafer AlN trên FSS (Flexible Substrate) cung cấp sự kết hợp độc đáo giữa độ dẫn nhiệt, độ bền cơ học và đặc tính cách điện đặc biệt của Nhôm Nitride (AlN), kết hợp với tính linh hoạt của một tấm wafer hiệu suất cao. Các tấm wafer 2 inch và 4 inch này được thiết kế riêng cho các ứng dụng bán dẫn tiên tiến, đặc biệt là khi quản lý nhiệt và tính linh hoạt của thiết bị là rất quan trọng. Với tùy chọn NPSS (Non-Polished Substrate) và FSS (Flexible Substrate) làm cơ sở, các mẫu AlN này lý tưởng cho các ứng dụng trong điện tử công suất, thiết bị RF và hệ thống điện tử linh hoạt, khi độ dẫn nhiệt cao và tích hợp linh hoạt là chìa khóa để cải thiện hiệu suất và độ tin cậy của thiết bị.


Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Của cải

Thành phần vật liệu:
Nhôm nitride (AlN) – Lớp gốm hiệu suất cao màu trắng, có khả năng dẫn nhiệt tuyệt vời (thường là 200-300 W/m·K), cách điện tốt và độ bền cơ học cao.
Chất nền linh hoạt (FSS) – Màng polyme linh hoạt (như Polyimide, PET, v.v.) có độ bền và khả năng uốn cong mà không ảnh hưởng đến chức năng của lớp AlN.

Kích thước wafer có sẵn:
2 inch (50,8mm)
4 inch (100mm)

Độ dày:
Lớp AlN: 100-2000nm
Độ dày lớp nền FSS: 50µm-500µm (có thể tùy chỉnh theo yêu cầu)

Tùy chọn hoàn thiện bề mặt:
NPSS (Non-Polished Substrate) – Bề mặt nền chưa được đánh bóng, phù hợp với một số ứng dụng yêu cầu bề mặt nhám hơn để có độ bám dính hoặc tích hợp tốt hơn.
FSS (Chất nền mềm) – Lớp màng mềm được đánh bóng hoặc không được đánh bóng, có tùy chọn bề mặt nhẵn hoặc có kết cấu, tùy thuộc vào nhu cầu ứng dụng cụ thể.

Tính chất điện:
Cách điện – Tính chất cách điện của AlN làm cho nó trở nên lý tưởng cho các ứng dụng bán dẫn điện áp cao và công suất lớn.
Hằng số điện môi: ~9,5
Độ dẫn nhiệt: 200-300 W/m·K (tùy thuộc vào cấp độ và độ dày AlN cụ thể)

Tính chất cơ học:
Tính linh hoạt: AlN được lắng đọng trên chất nền linh hoạt (FSS) cho phép uốn cong và linh hoạt.
Độ cứng bề mặt: AlN có độ bền cao và chống lại hư hỏng vật lý trong điều kiện hoạt động bình thường.

Ứng dụng

Thiết bị công suất cao: Thích hợp cho các thiết bị điện tử công suất yêu cầu tản nhiệt cao, chẳng hạn như bộ chuyển đổi nguồn, bộ khuếch đại RF và mô-đun LED công suất cao.

Linh kiện RF và Vi sóng: Thích hợp cho các thành phần như ăng-ten, bộ lọc và bộ cộng hưởng, nơi cần cả độ dẫn nhiệt và tính linh hoạt cơ học.

Thiết bị điện tử linh hoạt: Hoàn hảo cho các ứng dụng mà thiết bị cần phù hợp với bề mặt không phẳng hoặc yêu cầu thiết kế nhẹ, linh hoạt (ví dụ: thiết bị đeo được, cảm biến linh hoạt).

Bao bì bán dẫn: Được sử dụng làm chất nền trong bao bì bán dẫn, cung cấp khả năng tản nhiệt trong các ứng dụng tạo ra nhiệt độ cao.

Đèn LED và quang điện tử: Dành cho các thiết bị yêu cầu hoạt động ở nhiệt độ cao với khả năng tản nhiệt mạnh mẽ.

Bảng tham số

Tài sản

Giá trị hoặc Phạm vi

Kích thước wafer 2 inch (50,8mm), 4 inch (100mm)
Độ dày lớp AlN 100nm – 2000nm
Độ dày của lớp nền FSS 50µm – 500µm (có thể tùy chỉnh)
Độ dẫn nhiệt 200 – 300 W/m·K
Tính chất điện Cách điện (Hằng số điện môi: ~9,5)
Hoàn thiện bề mặt Đã đánh bóng hoặc chưa đánh bóng
Loại chất nền NPSS (Chất nền không đánh bóng), FSS (Chất nền mềm dẻo)
Tính linh hoạt cơ học Độ linh hoạt cao, lý tưởng cho các thiết bị điện tử linh hoạt
Màu sắc Trắng đến trắng ngà (tùy thuộc vào chất nền)

Ứng dụng

●Điện tử công suất:Sự kết hợp giữa độ dẫn nhiệt cao và tính linh hoạt làm cho các tấm wafer này trở nên hoàn hảo cho các thiết bị điện như bộ chuyển đổi nguồn, bóng bán dẫn và bộ điều chỉnh điện áp đòi hỏi tản nhiệt hiệu quả.
●Thiết bị RF/Vi sóng:Do tính chất nhiệt vượt trội và độ dẫn điện thấp của AlN, các tấm wafer này được sử dụng trong các thành phần RF như bộ khuếch đại, bộ dao động và ăng-ten.
●Thiết bị điện tử linh hoạt:Tính linh hoạt của lớp FSS kết hợp với khả năng quản lý nhiệt tuyệt vời của AlN khiến nó trở thành lựa chọn lý tưởng cho các thiết bị điện tử và cảm biến đeo được.
● Bao bì bán dẫn:Được sử dụng cho bao bì bán dẫn hiệu suất cao, trong đó tản nhiệt hiệu quả và độ tin cậy là rất quan trọng.
●Ứng dụng LED và quang điện tử:Nhôm Nitride là vật liệu tuyệt vời cho việc đóng gói đèn LED và các thiết bị quang điện tử khác yêu cầu khả năng chịu nhiệt cao.

Hỏi & Đáp (Câu hỏi thường gặp)

Câu hỏi 1: Lợi ích của việc sử dụng AlN trên tấm wafer FSS là gì?

A1: AlN trên wafer FSS kết hợp tính dẫn nhiệt cao và tính cách điện của AlN với tính linh hoạt cơ học của chất nền polymer. Điều này cho phép tản nhiệt tốt hơn trong các hệ thống điện tử linh hoạt trong khi vẫn duy trì tính toàn vẹn của thiết bị trong điều kiện uốn cong và kéo giãn.

Câu hỏi 2: Có những kích thước nào cho AlN trên tấm wafer FSS?

A2: Chúng tôi cung cấp2 inch4 inchKích thước wafer. Có thể thảo luận về kích thước tùy chỉnh theo yêu cầu để đáp ứng nhu cầu ứng dụng cụ thể của bạn.

Câu hỏi 3: Tôi có thể tùy chỉnh độ dày của lớp AlN không?

A3: Vâng,Độ dày lớp AlNcó thể được tùy chỉnh, với phạm vi điển hình từ100nm đến 2000nmtùy thuộc vào yêu cầu ứng dụng của bạn.

Sơ đồ chi tiết

AlN trên FSS01
AlN trên FSS02
AlN trên FSS03
AlN trên FSS06 - 副本

  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Viết tin nhắn của bạn ở đây và gửi cho chúng tôi