Tấm nền SiC loại N tùy chỉnh đường kính 153/155mm cho mạch điện tử công suất

Hình ảnh minh họa: Đế mầm SiC loại N tùy chỉnh đường kính 153/155mm cho thiết bị điện tử công suất.

Mô tả ngắn gọn:

Các chất nền mầm cacbua silic (SiC) đóng vai trò là vật liệu nền tảng cho các chất bán dẫn thế hệ thứ ba, nổi bật với độ dẫn nhiệt cực cao, cường độ điện trường đánh thủng vượt trội và độ linh động điện tử cao. Những đặc tính này làm cho chúng trở nên không thể thiếu đối với các thiết bị điện tử công suất, thiết bị tần số vô tuyến (RF), xe điện (EV) và các ứng dụng năng lượng tái tạo. XKH chuyên nghiên cứu và phát triển cũng như sản xuất các chất nền mầm SiC chất lượng cao, sử dụng các kỹ thuật tăng trưởng tinh thể tiên tiến như vận chuyển hơi vật lý (PVT) và lắng đọng hơi hóa học ở nhiệt độ cao (HTCVD) để đảm bảo chất lượng tinh thể hàng đầu trong ngành.

Gửi email cho chúng tôi

Đặc trưng

Giới thiệu

XKH cung cấp các chất nền SiC kích thước 4 inch, 6 inch và 8 inch với khả năng tùy chỉnh pha tạp N-type/P-type, đạt mức điện trở suất 0,01-0,1 Ω·cm và mật độ sai lệch dưới 500 cm⁻², lý tưởng cho việc sản xuất MOSFET, điốt rào cản Schottky (SBD) và IGBT. Quy trình sản xuất tích hợp theo chiều dọc của chúng tôi bao gồm nuôi cấy tinh thể, cắt lát wafer, đánh bóng và kiểm tra, với năng lực sản xuất hàng tháng vượt quá 5.000 wafer để đáp ứng nhu cầu đa dạng của các viện nghiên cứu, nhà sản xuất chất bán dẫn và các công ty năng lượng tái tạo.

Ngoài ra, chúng tôi còn cung cấp các giải pháp tùy chỉnh, bao gồm:

Tùy chỉnh hướng tinh thể (4H-SiC, 6H-SiC)

Pha chế đặc biệt (Nhôm, Nitơ, Boron, v.v.)

Đánh bóng siêu mịn (Ra < 0,5 nm)

XKH hỗ trợ xử lý mẫu, tư vấn kỹ thuật và tạo mẫu thử nghiệm quy mô nhỏ để cung cấp các giải pháp nền SiC tối ưu.

Thông số kỹ thuật

tấm mầm silicon carbide
Đa hình	4H
Lỗi định hướng bề mặt	4° hướng về <11-20>±0,5º
Điện trở suất	tùy chỉnh
Đường kính	205±0,5mm
Độ dày	600±50μm
Độ nhám	CMP,Ra≤0,2nm
Mật độ vi ống	≤1 cái/cm2
Vết xước	≤5, Tổng chiều dài ≤2*Đường kính
Vết sứt/lõm ở cạnh	Không có
Khắc laser mặt trước	Không có
Vết xước	≤2, Tổng chiều dài ≤ Đường kính
Vết sứt/lõm ở cạnh	Không có
Khu vực đa dạng	Không có
Khắc laser mặt sau	1mm (tính từ mép trên)
Bờ rìa	Vát cạnh
Bao bì	Khay đựng nhiều tấm wafer

Các chất nền mầm SiC - Đặc điểm chính

1. Đặc tính vật lý vượt trội

• Độ dẫn nhiệt cao (~490 W/m·K), vượt trội đáng kể so với silicon (Si) và gallium arsenide (GaAs), lý tưởng cho việc làm mát các thiết bị có mật độ công suất cao.

• Cường độ điện trường đánh thủng (~3 MV/cm), cho phép hoạt động ổn định trong điều kiện điện áp cao, rất quan trọng đối với bộ biến tần xe điện và các mô-đun nguồn công nghiệp.

• Vùng cấm rộng (3,2 eV), giúp giảm dòng rò ở nhiệt độ cao và tăng độ tin cậy của thiết bị.

2. Chất lượng tinh thể vượt trội

• Công nghệ tăng trưởng lai PVT + HTCVD giảm thiểu các khuyết tật vi ống, duy trì mật độ lệch mạng dưới 500 cm⁻².

• Độ cong/vẹo của đế bán dẫn < 10 μm và độ nhám bề mặt Ra < 0,5 nm, đảm bảo tương thích với các quy trình in thạch bản chính xác cao và lắng đọng màng mỏng.

3. Các lựa chọn doping đa dạng

• Loại N (pha tạp nitơ): Điện trở suất thấp (0,01-0,02 Ω·cm), được tối ưu hóa cho các thiết bị RF tần số cao.

• Loại P (pha tạp nhôm): Lý tưởng cho MOSFET công suất và IGBT, giúp cải thiện khả năng di chuyển của hạt tải điện.

• SiC bán cách điện (pha tạp Vanadi): Điện trở suất > 10⁵ Ω·cm, được thiết kế riêng cho các mô-đun giao diện RF 5G.

4. Tính ổn định môi trường

• Chịu được nhiệt độ cao (>1600°C) và khả năng chống bức xạ, phù hợp cho ngành hàng không vũ trụ, thiết bị hạt nhân và các môi trường khắc nghiệt khác.

Các chất nền mầm SiC - Ứng dụng chính

1. Điện tử công suất

• Xe điện (EV): Được sử dụng trong bộ sạc trên xe (OBC) và bộ biến tần để cải thiện hiệu suất và giảm yêu cầu quản lý nhiệt.

• Hệ thống điện công nghiệp: Tăng cường hiệu suất của bộ biến tần quang điện và lưới điện thông minh, đạt hiệu suất chuyển đổi điện năng >99%.

2. Thiết bị RF

• Trạm gốc 5G: Các chất nền SiC bán cách điện cho phép sử dụng bộ khuếch đại công suất RF GaN-trên-SiC, hỗ trợ truyền tín hiệu tần số cao, công suất cao.

Truyền thông vệ tinh: Đặc tính tổn hao thấp làm cho nó phù hợp với các thiết bị sóng milimét.

3. Năng lượng tái tạo và lưu trữ năng lượng

• Năng lượng mặt trời: MOSFET SiC giúp tăng hiệu suất chuyển đổi DC-AC đồng thời giảm chi phí hệ thống.

• Hệ thống lưu trữ năng lượng (ESS): Tối ưu hóa bộ chuyển đổi hai chiều và kéo dài tuổi thọ pin.

4. Quốc phòng & Hàng không vũ trụ

• Hệ thống radar: Các thiết bị SiC công suất cao được sử dụng trong radar AESA (Active Electronically Scanned Array).

• Quản lý năng lượng tàu vũ trụ: Các chất nền SiC chống bức xạ rất quan trọng đối với các nhiệm vụ thám hiểm không gian sâu.

5. Nghiên cứu & Công nghệ mới nổi

• Điện toán lượng tử: SiC độ tinh khiết cao cho phép nghiên cứu qubit spin.

• Cảm biến nhiệt độ cao: Được sử dụng trong thăm dò dầu khí và giám sát lò phản ứng hạt nhân.

Chất nền mầm SiC - Dịch vụ XKH

1. Lợi thế của chuỗi cung ứng

• Sản xuất tích hợp theo chiều dọc: Kiểm soát hoàn toàn từ bột SiC độ tinh khiết cao đến tấm wafer thành phẩm, đảm bảo thời gian giao hàng từ 4-6 tuần đối với các sản phẩm tiêu chuẩn.

• Khả năng cạnh tranh về chi phí: Lợi thế quy mô cho phép định giá thấp hơn 15-20% so với đối thủ cạnh tranh, được hỗ trợ bởi các Thỏa thuận dài hạn (LTA).

2. Dịch vụ tùy chỉnh

• Định hướng tinh thể: 4H-SiC (tiêu chuẩn) hoặc 6H-SiC (ứng dụng chuyên biệt).

• Tối ưu hóa pha tạp: Điều chỉnh các đặc tính bán dẫn loại N/loại P/bán cách điện.

• Đánh bóng nâng cao: Đánh bóng CMP và xử lý bề mặt sẵn sàng cho lớp phủ epitaxy (Ra < 0,3 nm).

3. Hỗ trợ kỹ thuật

• Kiểm tra mẫu miễn phí: Bao gồm báo cáo đo XRD, AFM và hiệu ứng Hall.

• Hỗ trợ mô phỏng thiết bị: Hỗ trợ quá trình tăng trưởng màng mỏng và tối ưu hóa thiết kế thiết bị.

4. Phản ứng nhanh

• Sản xuất mẫu thử số lượng nhỏ: Đơn đặt hàng tối thiểu 10 tấm wafer, giao hàng trong vòng 3 tuần.

• Hệ thống hậu cần toàn cầu: Hợp tác với DHL và FedEx để giao hàng tận nơi.

5. Đảm bảo chất lượng

• Kiểm tra toàn diện quy trình: Bao gồm chụp ảnh X-quang (XRT) và phân tích mật độ khuyết tật.

• Chứng nhận quốc tế: Tuân thủ tiêu chuẩn IATF 16949 (tiêu chuẩn ô tô) và AEC-Q101.

Phần kết luận

Các chất nền SiC của XKH nổi bật về chất lượng tinh thể, sự ổn định chuỗi cung ứng và tính linh hoạt trong tùy chỉnh, phục vụ cho các ngành điện tử công suất, truyền thông 5G, năng lượng tái tạo và công nghệ quốc phòng. Chúng tôi tiếp tục phát triển công nghệ sản xuất hàng loạt SiC 8 inch để thúc đẩy ngành công nghiệp bán dẫn thế hệ thứ ba tiến lên.

Trước: Tấm/khay gốm SiC dùng cho giá đỡ wafer 4 inch 6 inch trong ICP.

Kế tiếp: Các chất nền tinh thể mầm SiC tùy chỉnh đường kính 205/203/208 mm loại 4H-N dành cho truyền thông quang học.