Các tấm wafer GaN-trên-SiC màng mỏng tùy chỉnh (100mm, 150mm) – Nhiều tùy chọn chất nền SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
Đặc trưng
●Độ dày lớp màng mỏng: Có thể tùy chỉnh từ1,0 µmĐẾN3,5 µmĐược tối ưu hóa cho hiệu suất công suất và tần số cao.
●Các tùy chọn chất nền SiCCó sẵn với nhiều loại chất nền SiC khác nhau, bao gồm:
- 4H-NVật liệu SiC 4H pha tạp Nitơ chất lượng cao, thích hợp cho các ứng dụng tần số cao, công suất cao.
- HPSIVật liệu SiC bán cách điện có độ tinh khiết cao, thích hợp cho các ứng dụng yêu cầu cách điện.
- 4H/6H-P: Kết hợp SiC 4H và 6H để đạt được sự cân bằng giữa hiệu suất cao và độ tin cậy.
●Kích thước waferCó sẵn tại100mmVà150mmĐường kính đa dạng mang lại tính linh hoạt trong việc thu nhỏ và tích hợp thiết bị.
●Điện áp đánh thủng caoCông nghệ GaN trên SiC cung cấp điện áp đánh thủng cao, cho phép hiệu suất mạnh mẽ trong các ứng dụng công suất cao.
● Độ dẫn nhiệt cao: Độ dẫn nhiệt vốn có của SiC (xấp xỉ) 490 W/m·KĐảm bảo khả năng tản nhiệt tuyệt vời cho các ứng dụng tiêu thụ nhiều điện năng.
Thông số kỹ thuật
| Tham số | Giá trị |
| Đường kính wafer | 100mm, 150mm |
| Độ dày lớp màng mỏng kết tinh | 1,0 µm – 3,5 µm (có thể tùy chỉnh) |
| Các loại chất nền SiC | 4H-N, HPSI, 4H/6H-P |
| Độ dẫn nhiệt của SiC | 490 W/m·K |
| Điện trở suất SiC | 4H-N: 10^6 Ω·cm,HPSI: Bán cách điện,4H/6H-P: Kết hợp 4H/6H |
| Độ dày lớp GaN | 1,0 µm – 2,0 µm |
| Nồng độ hạt tải điện GaN | 10^18 cm^-3 đến 10^19 cm^-3 (có thể tùy chỉnh) |
| Chất lượng bề mặt wafer | Độ nhám RMS: < 1 nm |
| Mật độ lệch mạng | < 1 x 10^6 cm^-2 |
| Cung bánh wafer | < 50 µm |
| Độ phẳng của tấm wafer | < 5 µm |
| Nhiệt độ hoạt động tối đa | 400°C (nhiệt độ điển hình cho các thiết bị GaN-trên-SiC) |
Ứng dụng
●Điện tử công suất:Các tấm wafer GaN trên SiC cung cấp hiệu suất cao và khả năng tản nhiệt tốt, lý tưởng cho các bộ khuếch đại công suất, thiết bị chuyển đổi điện năng và mạch biến tần được sử dụng trong xe điện, hệ thống năng lượng tái tạo và máy móc công nghiệp.
● Bộ khuếch đại công suất RF:Sự kết hợp giữa GaN và SiC là hoàn hảo cho các ứng dụng RF tần số cao, công suất cao như viễn thông, truyền thông vệ tinh và hệ thống radar.
●Hàng không vũ trụ và Quốc phòng:Các tấm bán dẫn này phù hợp với công nghệ hàng không vũ trụ và quốc phòng, đòi hỏi các thiết bị điện tử công suất cao và hệ thống truyền thông có thể hoạt động trong điều kiện khắc nghiệt.
●Ứng dụng trong ngành ô tô:Lý tưởng cho các hệ thống điện hiệu suất cao trong xe điện (EV), xe hybrid (HEV) và trạm sạc, cho phép chuyển đổi và điều khiển năng lượng hiệu quả.
●Hệ thống quân sự và radar:Các tấm wafer GaN trên SiC được sử dụng trong hệ thống radar nhờ hiệu suất cao, khả năng xử lý công suất và hiệu năng tản nhiệt tốt trong môi trường khắc nghiệt.
●Ứng dụng vi sóng và sóng milimét:Đối với các hệ thống truyền thông thế hệ tiếp theo, bao gồm cả 5G, GaN-on-SiC cung cấp hiệu suất tối ưu trong dải tần vi sóng và sóng milimét công suất cao.
Hỏi & Đáp
Câu 1: Việc sử dụng SiC làm chất nền cho GaN mang lại những lợi ích gì?
A1:Silicon Carbide (SiC) có độ dẫn nhiệt vượt trội, điện áp đánh thủng cao và độ bền cơ học tốt hơn so với các chất nền truyền thống như silicon. Điều này làm cho các tấm wafer GaN trên SiC trở nên lý tưởng cho các ứng dụng công suất cao, tần số cao và nhiệt độ cao. Chất nền SiC giúp tản nhiệt do các thiết bị GaN sinh ra, cải thiện độ tin cậy và hiệu suất.
Câu 2: Độ dày lớp màng mỏng kết tinh có thể được tùy chỉnh cho các ứng dụng cụ thể không?
A2:Đúng vậy, độ dày lớp màng mỏng có thể được tùy chỉnh trong một phạm vi nhất định.1,0 µm đến 3,5 µmTùy thuộc vào yêu cầu về công suất và tần số của ứng dụng, chúng tôi có thể điều chỉnh độ dày lớp GaN để tối ưu hóa hiệu suất cho các thiết bị cụ thể như bộ khuếch đại công suất, hệ thống RF hoặc mạch tần số cao.
Câu 3: Sự khác biệt giữa các chất nền SiC 4H-N, HPSI và 4H/6H-P là gì?
A3:
- 4H-NVật liệu 4H-SiC pha tạp nitơ thường được sử dụng cho các ứng dụng tần số cao đòi hỏi hiệu năng điện tử cao.
- HPSIVật liệu SiC bán cách điện có độ tinh khiết cao cung cấp khả năng cách điện, lý tưởng cho các ứng dụng yêu cầu độ dẫn điện tối thiểu.
- 4H/6H-P: Sự kết hợp giữa SiC 4H và 6H giúp cân bằng hiệu năng, mang lại sự kết hợp giữa hiệu suất cao và độ bền bỉ, phù hợp cho nhiều ứng dụng điện tử công suất khác nhau.
Câu 4: Các tấm wafer GaN-trên-SiC này có phù hợp cho các ứng dụng công suất cao như xe điện và năng lượng tái tạo không?
A4:Đúng vậy, các tấm wafer GaN-trên-SiC rất phù hợp cho các ứng dụng công suất cao như xe điện, năng lượng tái tạo và hệ thống công nghiệp. Điện áp đánh thủng cao, độ dẫn nhiệt cao và khả năng xử lý công suất của các thiết bị GaN-trên-SiC cho phép chúng hoạt động hiệu quả trong các mạch chuyển đổi và điều khiển năng lượng đòi hỏi khắt khe.
Câu 5: Mật độ sai lệch điển hình của các tấm bán dẫn này là bao nhiêu?
A5:Mật độ sai lệch cấu trúc của các tấm wafer GaN-trên-SiC này thường là< 1 x 10^6 cm^-2Điều này đảm bảo sự phát triển màng mỏng chất lượng cao, giảm thiểu khuyết tật và cải thiện hiệu suất cũng như độ tin cậy của thiết bị.
Câu 6: Tôi có thể yêu cầu kích thước wafer cụ thể hoặc loại chất nền SiC cụ thể không?
A6:Vâng, chúng tôi cung cấp các kích thước wafer tùy chỉnh (100mm và 150mm) và các loại chất nền SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) để đáp ứng nhu cầu cụ thể của ứng dụng của bạn. Vui lòng liên hệ với chúng tôi để biết thêm các tùy chọn tùy chỉnh và thảo luận về yêu cầu của bạn.
Câu 7: Các tấm wafer GaN trên SiC hoạt động như thế nào trong môi trường khắc nghiệt?
A7:Các tấm wafer GaN trên SiC rất lý tưởng cho các môi trường khắc nghiệt nhờ độ ổn định nhiệt cao, khả năng chịu công suất lớn và khả năng tản nhiệt tuyệt vời. Những tấm wafer này hoạt động tốt trong các điều kiện nhiệt độ cao, công suất cao và tần số cao thường gặp trong các ứng dụng hàng không vũ trụ, quốc phòng và công nghiệp.
Phần kết luận
Các tấm wafer GaN-trên-SiC màng mỏng tùy chỉnh của chúng tôi kết hợp các đặc tính tiên tiến của GaN và SiC để mang lại hiệu suất vượt trội trong các ứng dụng công suất cao và tần số cao. Với nhiều tùy chọn chất nền SiC và các lớp màng mỏng có thể tùy chỉnh, các tấm wafer này lý tưởng cho các ngành công nghiệp yêu cầu hiệu suất cao, quản lý nhiệt và độ tin cậy. Cho dù là cho điện tử công suất, hệ thống RF hay ứng dụng quốc phòng, các tấm wafer GaN-trên-SiC của chúng tôi đều cung cấp hiệu suất và tính linh hoạt mà bạn cần.
Sơ đồ chi tiết
