Tấm wafer Epitaxial GaN-on-SiC tùy chỉnh (100mm, 150mm) – Nhiều tùy chọn chất nền SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
Đặc trưng
●Độ dày lớp epitaxy: Có thể tùy chỉnh từ1,0 µmĐẾN3,5 µm, được tối ưu hóa cho hiệu suất công suất và tần số cao.
●Tùy chọn chất nền SiC: Có sẵn với nhiều loại nền SiC khác nhau, bao gồm:
- 4H-N: SiC 4H pha tạp nitơ chất lượng cao dành cho các ứng dụng tần số cao, công suất cao.
- HPSI: SiC bán cách điện có độ tinh khiết cao dành cho các ứng dụng yêu cầu cách điện.
- 4H/6H-P: Hỗn hợp 4H và 6H-SiC để cân bằng giữa hiệu suất cao và độ tin cậy.
●Kích thước wafer: Có sẵn trong100mmVà150mmđường kính để tăng tính linh hoạt trong việc mở rộng quy mô và tích hợp thiết bị.
●Điện áp đánh thủng cao: Công nghệ GaN trên SiC cung cấp điện áp đánh thủng cao, cho phép hiệu suất mạnh mẽ trong các ứng dụng công suất cao.
●Độ dẫn nhiệt cao: Độ dẫn nhiệt vốn có của SiC (khoảng 490 W/m·K) đảm bảo tản nhiệt tuyệt vời cho các ứng dụng tiêu thụ nhiều điện năng.
Thông số kỹ thuật
| Tham số | Giá trị |
| Đường kính wafer | 100mm, 150mm |
| Độ dày lớp epitaxial | 1,0 µm – 3,5 µm (có thể tùy chỉnh) |
| Các loại chất nền SiC | 4H-N, HPSI, 4H/6H-P |
| Độ dẫn nhiệt của SiC | 490 W/m·K |
| Điện trở suất SiC | 4H-N: 10^6 Ω·cm,HPSI: Bán cách điện,4H/6H-P: Hỗn hợp 4H/6H |
| Độ dày lớp GaN | 1,0 µm – 2,0 µm |
| Nồng độ chất mang GaN | 10^18 cm^-3 đến 10^19 cm^-3 (có thể tùy chỉnh) |
| Chất lượng bề mặt wafer | Độ nhám RMS: < 1nm |
| Mật độ trật khớp | < 1 x 10^6 cm^-2 |
| Cung wafer | < 50 µm |
| Độ phẳng của wafer | < 5 µm |
| Nhiệt độ hoạt động tối đa | 400°C (điển hình cho các thiết bị GaN-on-SiC) |
Ứng dụng
●Điện tử công suất:Tấm wafer GaN trên SiC có hiệu suất và khả năng tản nhiệt cao, lý tưởng cho bộ khuếch đại công suất, thiết bị chuyển đổi điện và mạch biến tần điện được sử dụng trong xe điện, hệ thống năng lượng tái tạo và máy móc công nghiệp.
●Bộ khuếch đại công suất RF:Sự kết hợp giữa GaN và SiC là lựa chọn hoàn hảo cho các ứng dụng RF công suất cao, tần số cao như viễn thông, truyền thông vệ tinh và hệ thống radar.
● Hàng không vũ trụ và Quốc phòng:Các tấm wafer này phù hợp với công nghệ hàng không vũ trụ và quốc phòng đòi hỏi hệ thống điện tử công suất cao và hệ thống truyền thông có thể hoạt động trong điều kiện khắc nghiệt.
●Ứng dụng ô tô:Lý tưởng cho hệ thống điện hiệu suất cao trong xe điện (EV), xe hybrid (HEV) và trạm sạc, cho phép chuyển đổi và kiểm soát điện năng hiệu quả.
●Hệ thống quân sự và radar:Tấm wafer GaN trên SiC được sử dụng trong hệ thống radar vì hiệu suất cao, khả năng xử lý điện năng và hiệu suất nhiệt trong môi trường khắc nghiệt.
●Ứng dụng của sóng vi ba và sóng milimet:Đối với các hệ thống truyền thông thế hệ tiếp theo, bao gồm 5G, GaN trên SiC cung cấp hiệu suất tối ưu trong dải sóng vi ba công suất cao và sóng milimet.
Hỏi & Đáp
Câu hỏi 1: Lợi ích của việc sử dụng SiC làm chất nền cho GaN là gì?
A1:Silicon Carbide (SiC) có độ dẫn nhiệt, điện áp đánh thủng cao và độ bền cơ học vượt trội so với các chất nền truyền thống như silicon. Điều này làm cho các tấm wafer GaN-on-SiC lý tưởng cho các ứng dụng công suất cao, tần số cao và nhiệt độ cao. Chất nền SiC giúp tản nhiệt do các thiết bị GaN tạo ra, cải thiện độ tin cậy và hiệu suất.
Câu hỏi 2: Độ dày của lớp epitaxial có thể được tùy chỉnh cho các ứng dụng cụ thể không?
A2:Có, độ dày của lớp epitaxial có thể được tùy chỉnh trong phạm vi1,0 µm đến 3,5 µm, tùy thuộc vào yêu cầu về công suất và tần số của ứng dụng của bạn. Chúng tôi có thể tùy chỉnh độ dày lớp GaN để tối ưu hóa hiệu suất cho các thiết bị cụ thể như bộ khuếch đại công suất, hệ thống RF hoặc mạch tần số cao.
Câu hỏi 3: Sự khác biệt giữa nền SiC 4H-N, HPSI và 4H/6H-P là gì?
A3:
- 4H-N: 4H-SiC pha tạp nitơ thường được sử dụng cho các ứng dụng tần số cao đòi hỏi hiệu suất điện tử cao.
- HPSI:SiC bán cách điện có độ tinh khiết cao cung cấp khả năng cách điện, lý tưởng cho các ứng dụng yêu cầu độ dẫn điện tối thiểu.
- 4H/6H-P:Sự kết hợp giữa 4H và 6H-SiC giúp cân bằng hiệu suất, mang lại sự kết hợp giữa hiệu suất cao và độ bền chắc, phù hợp với nhiều ứng dụng điện tử công suất khác nhau.
Câu hỏi 4: Những tấm wafer GaN trên SiC này có phù hợp cho các ứng dụng công suất cao như xe điện và năng lượng tái tạo không?
A4:Có, wafer GaN-on-SiC rất phù hợp cho các ứng dụng công suất cao như xe điện, năng lượng tái tạo và hệ thống công nghiệp. Điện áp đánh thủng cao, độ dẫn nhiệt cao và khả năng xử lý công suất của các thiết bị GaN-on-SiC cho phép chúng hoạt động hiệu quả trong các mạch điều khiển và chuyển đổi công suất đòi hỏi khắt khe.
Câu hỏi 5: Mật độ sai lệch điển hình của các tấm wafer này là bao nhiêu?
A5:Mật độ sai lệch của các tấm GaN-on-SiC này thường là< 1 x 10^6 cm^-2, đảm bảo sự phát triển epitaxial chất lượng cao, giảm thiểu khuyết tật và cải thiện hiệu suất cũng như độ tin cậy của thiết bị.
Q6: Tôi có thể yêu cầu kích thước wafer hoặc loại đế SiC cụ thể không?
A6:Có, chúng tôi cung cấp kích thước wafer tùy chỉnh (100mm và 150mm) và loại đế SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) để đáp ứng nhu cầu cụ thể của ứng dụng của bạn. Vui lòng liên hệ với chúng tôi để biết thêm các tùy chọn tùy chỉnh và thảo luận về yêu cầu của bạn.
Câu hỏi 7: Tấm wafer GaN trên SiC hoạt động như thế nào trong môi trường khắc nghiệt?
A7:Tấm wafer GaN-on-SiC lý tưởng cho các môi trường khắc nghiệt do có độ ổn định nhiệt cao, khả năng xử lý công suất cao và khả năng tản nhiệt tuyệt vời. Các tấm wafer này hoạt động tốt trong điều kiện nhiệt độ cao, công suất cao và tần số cao thường gặp trong các ứng dụng hàng không vũ trụ, quốc phòng và công nghiệp.
Phần kết luận
Tấm wafer Epitaxial GaN-on-SiC tùy chỉnh của chúng tôi kết hợp các đặc tính tiên tiến của GaN và SiC để cung cấp hiệu suất vượt trội trong các ứng dụng công suất cao và tần số cao. Với nhiều tùy chọn nền SiC và các lớp epitaxial tùy chỉnh, các tấm wafer này lý tưởng cho các ngành công nghiệp đòi hỏi hiệu suất cao, quản lý nhiệt và độ tin cậy. Cho dù là điện tử công suất, hệ thống RF hay ứng dụng quốc phòng, tấm wafer GaN-on-SiC của chúng tôi đều cung cấp hiệu suất và tính linh hoạt mà bạn cần.
Sơ đồ chi tiết
