Đế wafer sapphire Dia50.8×0.1/0.17/0.2/0.25/0.3mmt, sẵn sàng cho Epi-ready, DSP SSP

Mô tả ngắn gọn:

Tấm sapphire 2 inch là vật liệu rắn chất lượng cao với độ cứng cao, điểm nóng chảy cao và độ ổn định hóa học tốt.


Đặc trưng

Dưới đây là mô tả về tấm wafer sapphire 2 inch, ưu điểm tự nhiên, ứng dụng chung và chỉ số thông số wafer tiêu chuẩn của wafer sapphire 2 inch:

Mô tả sản phẩm: Tấm wafer sapphire 2 inch được tạo ra bằng cách cắt vật liệu tinh thể đơn sapphire thành hình dạng wafer silicon với bề mặt nhẵn và phẳng. Đây là vật liệu rất ổn định và bền bỉ, được sử dụng rộng rãi trong quang học, điện tử và quang tử.

Đặc tính và Ưu điểm

Độ cứng cao: Sapphire có độ cứng Mohs là 9, chỉ đứng sau kim cương, mang lại khả năng chống trầy xước và mài mòn tuyệt vời.

Điểm nóng chảy cao: Sapphire có điểm nóng chảy khoảng 2040°C, cho phép nó hoạt động trong môi trường nhiệt độ cao với độ ổn định nhiệt tuyệt vời.

Độ ổn định hóa học: Sapphire có độ ổn định hóa học tuyệt vời và khả năng chống lại axit, kiềm và khí ăn mòn, do đó phù hợp cho các ứng dụng trong nhiều môi trường khắc nghiệt.

Sử dụng chung

Ứng dụng quang học: Tấm sapphire có thể được sử dụng trong hệ thống laser, cửa sổ quang học, thấu kính, thiết bị quang học hồng ngoại, và nhiều ứng dụng khác. Nhờ độ trong suốt tuyệt vời, sapphire được sử dụng rộng rãi trong lĩnh vực quang học.

Ứng dụng điện tử: Tấm sapphire có thể được sử dụng trong sản xuất điốt, đèn LED, điốt laser và các thiết bị điện tử khác. Sapphire có khả năng dẫn nhiệt và cách điện tuyệt vời, phù hợp cho các thiết bị điện tử công suất cao.

Ứng dụng quang điện tử: Tấm wafer sapphire có thể được sử dụng để chế tạo cảm biến hình ảnh, bộ tách sóng quang và các thiết bị quang điện tử khác. Đặc tính tổn hao thấp và độ nhạy cao của sapphire làm cho nó trở nên lý tưởng cho các ứng dụng quang điện tử.

Thông số kỹ thuật tiêu chuẩn của tấm wafer:

Đường kính: 2 inch (khoảng 50,8 mm)

Độ dày: Các độ dày phổ biến bao gồm 0,5 mm, 1,0 mm và 2,0 mm. Các độ dày khác có thể được tùy chỉnh theo yêu cầu.

Độ nhám bề mặt: Nói chung Ra < 0,5 nm.

Đánh bóng hai mặt: độ phẳng thường nhỏ hơn 10 µm.

Các tấm wafer sapphire đơn tinh thể được đánh bóng hai mặt: các tấm wafer được đánh bóng ở cả hai mặt và có độ song song cao hơn, dành cho các ứng dụng đòi hỏi yêu cầu cao hơn.

Vui lòng lưu ý rằng các thông số cụ thể của sản phẩm có thể thay đổi tùy thuộc vào yêu cầu của nhà sản xuất và ứng dụng.

Sơ đồ chi tiết

Chất nền Sapphire Wafer sẵn sàng cho Epi-ready DSP SSP (1)
Chất nền Sapphire Wafer sẵn sàng cho Epi-ready DSP SSP (1)
Chất nền Sapphire Wafer Epi-ready DSP SSP (2)

  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Hãy viết tin nhắn của bạn vào đây và gửi cho chúng tôi.