Máy vuông trạm đôi thanh silicon đơn tinh thể gia công bề mặt phẳng 6/8/12 inch Ra≤0.5μm
Đặc điểm thiết bị:
(1) Xử lý đồng bộ trạm đôi
· Hiệu suất gấp đôi: Xử lý đồng thời hai thanh silicon (Ø6"-12") giúp tăng năng suất lên 40%-60% so với thiết bị Simplex.
· Điều khiển độc lập: Mỗi trạm có thể tự điều chỉnh các thông số cắt (độ căng, tốc độ nạp) để thích ứng với các thông số kỹ thuật thanh silicon khác nhau.
(2) Cắt chính xác cao
· Độ chính xác về kích thước: dung sai khoảng cách cạnh thanh vuông ±0,15mm, phạm vi ≤0,20mm.
· Chất lượng bề mặt: độ gãy của lưỡi cắt <0,5mm, giảm lượng mài tiếp theo.
(3) Kiểm soát thông minh
· Cắt thích ứng: theo dõi hình thái thanh silicon theo thời gian thực, điều chỉnh động đường cắt (như gia công thanh silicon cong).
· Khả năng truy xuất dữ liệu: ghi lại các thông số xử lý của từng thanh silicon để hỗ trợ kết nối hệ thống MES.
(4) Chi phí tiêu thụ thấp
· Lượng tiêu thụ dây kim cương: ≤0,06m/mm (chiều dài thanh silicon), đường kính dây ≤0,30mm.
· Tuần hoàn chất làm mát: Hệ thống lọc kéo dài tuổi thọ và giảm lượng chất thải lỏng.
Ưu điểm về công nghệ và phát triển:
(1) Tối ưu hóa công nghệ cắt
- Cắt nhiều đường: Sử dụng song song 100-200 đường cắt kim cương, tốc độ cắt ≥40mm/phút.
- Kiểm soát độ căng: Hệ thống điều chỉnh vòng kín (±1N) để giảm nguy cơ đứt dây.
(2) Mở rộng khả năng tương thích
- Thích ứng vật liệu: Hỗ trợ silicon đơn tinh thể loại P/N, tương thích với TOPCon, HJT và các thanh silicon pin hiệu suất cao khác.
- Kích thước linh hoạt: chiều dài thanh silicon 100-950mm, khoảng cách cạnh thanh vuông 166-233mm có thể điều chỉnh.
(3) Nâng cấp tự động hóa
- Robot nạp/dỡ: tự động nạp/dỡ thanh silicon, nhịp ≤3 phút.
- Chẩn đoán thông minh: Bảo trì dự đoán để giảm thời gian ngừng hoạt động ngoài kế hoạch.
(4) Lãnh đạo ngành
- Đế wafer: có thể xử lý silicon siêu mỏng ≥100μm bằng thanh vuông, tỷ lệ phân mảnh <0,5%.
- Tối ưu hóa mức tiêu thụ năng lượng: Mức tiêu thụ năng lượng trên một đơn vị thanh silicon giảm 30% (so với thiết bị truyền thống).
Thông số kỹ thuật:
Tên tham số | Giá trị chỉ số |
Số lượng thanh được xử lý | 2 cái/bộ |
Phạm vi chiều dài thanh xử lý | 100~950mm |
Phạm vi biên độ gia công | 166~233mm |
Tốc độ cắt | ≥40mm/phút |
Tốc độ dây kim cương | 0~35m/giây |
Đường kính kim cương | 0,30 mm hoặc ít hơn |
Tiêu thụ tuyến tính | 0,06 m/mm hoặc ít hơn |
Đường kính thanh tròn tương thích | Đường kính thanh vuông thành phẩm +2mm, Đảm bảo tỷ lệ đánh bóng thành công |
Kiểm soát vỡ tiên tiến | Cạnh thô ≤0.5mm, Không sứt mẻ, chất lượng bề mặt cao |
Độ đồng đều chiều dài cung | Phạm vi chiếu <1,5mm, Ngoại trừ sự biến dạng của thanh silicon |
Kích thước máy (máy đơn) | 4800×3020×3660mm |
Tổng công suất định mức | 56kW |
Trọng lượng chết của thiết bị | 12t |
Bảng chỉ số độ chính xác gia công:
Mục chính xác | Phạm vi dung sai |
Dung sai lề thanh vuông | ±0,15mm |
Phạm vi cạnh thanh vuông | ≤0,20mm |
Góc ở tất cả các cạnh của thanh vuông | 90°±0,05° |
Độ phẳng của thanh vuông | ≤0,15mm |
Robot lặp lại độ chính xác định vị | ±0,05mm |
Dịch vụ của XKH:
XKH cung cấp dịch vụ chu trình đầy đủ cho máy trạm kép silicon đơn tinh thể, bao gồm tùy chỉnh thiết bị (tương thích với thanh silicon lớn), đưa vào vận hành quy trình (tối ưu hóa thông số cắt), đào tạo vận hành và hỗ trợ sau bán hàng (cung cấp linh kiện chính, chẩn đoán từ xa), đảm bảo khách hàng đạt được năng suất cao (>99%) và chi phí sản xuất tiêu hao thấp, đồng thời cung cấp các nâng cấp kỹ thuật (như tối ưu hóa cắt AI). Thời gian giao hàng là 2-4 tháng.
Sơ đồ chi tiết



