Chất nền wafer epitaxial công suất cao GaAs wafer gali arsenide công suất laser bước sóng 905nm để điều trị y tế bằng laser
Các tính năng chính của tấm epitaxial laser GaAs bao gồm:
1. Tính di động điện tử cao: Gallium arsenide có tính di động điện tử cao, giúp cho tấm wafer epitaxial laser GaAs có ứng dụng tốt trong các thiết bị tần số cao và thiết bị điện tử tốc độ cao.
2. Phát quang chuyển tiếp dải cấm trực tiếp: Là vật liệu dải cấm trực tiếp, gali arsenide có thể chuyển đổi hiệu quả năng lượng điện thành năng lượng ánh sáng trong các thiết bị quang điện tử, khiến nó trở nên lý tưởng để sản xuất tia laser.
3. Bước sóng: Laser GaAs 905 thường hoạt động ở bước sóng 905 nm, phù hợp với nhiều ứng dụng, bao gồm cả y sinh học.
4. Hiệu suất cao: với hiệu suất chuyển đổi quang điện cao, có thể chuyển đổi hiệu quả năng lượng điện thành đầu ra laser.
5. Công suất đầu ra cao: Có thể đạt công suất đầu ra cao và phù hợp với các tình huống ứng dụng đòi hỏi nguồn sáng mạnh.
6. Hiệu suất nhiệt tốt: Vật liệu GaAs có độ dẫn nhiệt tốt, giúp giảm nhiệt độ hoạt động của tia laser và cải thiện độ ổn định.
7. Khả năng điều chỉnh rộng: Công suất đầu ra có thể được điều chỉnh bằng cách thay đổi dòng điện truyền động để thích ứng với các yêu cầu ứng dụng khác nhau.
Các ứng dụng chính của viên nén epitaxial laser GaAs bao gồm:
1. Truyền thông sợi quang: Tấm epitaxial laser GaAs có thể được sử dụng để sản xuất laser trong truyền thông sợi quang nhằm đạt được khả năng truyền tín hiệu quang tốc độ cao và khoảng cách xa.
2. Ứng dụng công nghiệp: Trong lĩnh vực công nghiệp, tấm epitaxial laser GaAs có thể được sử dụng để đo khoảng cách bằng laser, đánh dấu bằng laser và các ứng dụng khác.
3. VCSEL: Laser phát xạ bề mặt khoang thẳng đứng (VCSEL) là lĩnh vực ứng dụng quan trọng của tấm epitaxial laser GaAs, được sử dụng rộng rãi trong truyền thông quang học, lưu trữ quang học và cảm biến quang học.
4. Trường hồng ngoại và trường điểm: Tấm epitaxial laser GaAs cũng có thể được sử dụng để sản xuất laser hồng ngoại, máy phát điểm và các thiết bị khác, đóng vai trò quan trọng trong phát hiện hồng ngoại, hiển thị ánh sáng và các lĩnh vực khác.
Việc chế tạo tấm epitaxial laser GaAs chủ yếu phụ thuộc vào công nghệ phát triển epitaxial, bao gồm lắng đọng hơi hóa học kim loại hữu cơ (MOCVD), epitaxial chùm phân tử (MBE) và các phương pháp khác. Các kỹ thuật này có thể kiểm soát chính xác độ dày, thành phần và cấu trúc tinh thể của lớp epitaxial để thu được các tấm epitaxial laser GaAs chất lượng cao.
XKH cung cấp các tùy chỉnh tấm epitaxial GaAs với nhiều cấu trúc và độ dày khác nhau, bao gồm nhiều ứng dụng trong lĩnh vực truyền thông quang học, VCSEL, hồng ngoại và điểm sáng. Các sản phẩm của XKH được sản xuất bằng thiết bị MOCVD tiên tiến để đảm bảo hiệu suất và độ tin cậy cao. Về mặt hậu cần, XKH có nhiều kênh nguồn quốc tế, có thể xử lý linh hoạt số lượng đơn hàng và cung cấp các dịch vụ giá trị gia tăng như tinh chế và phân chia. Quy trình giao hàng hiệu quả đảm bảo giao hàng đúng hạn và đáp ứng các yêu cầu của khách hàng về chất lượng và thời gian giao hàng. Khách hàng có thể nhận được hỗ trợ kỹ thuật toàn diện và dịch vụ sau bán hàng sau khi nhận hàng để đảm bảo sản phẩm được đưa vào sử dụng suôn sẻ.
Sơ đồ chi tiết
