Tấm bán dẫn GaAs epitaxy laser 4 inch 6 inch VCSEL laser phát xạ bề mặt khoang dọc bước sóng 940nm đơn lớp

Tấm wafer epitaxy laser GaAs 4 inch 6 inch VCSEL laser phát xạ bề mặt khoang dọc bước sóng 940nm đơn lớp Hình ảnh nổi bật

Mô tả ngắn gọn:

Thiết kế theo yêu cầu của khách hàng: Mảng laser Gigabit Ethernet cho tấm wafer 6 inch độ đồng nhất cao, bước sóng quang học trung tâm 850/940nm, VCSEL giới hạn oxit hoặc cấy proton, liên kết dữ liệu số, chuột laser với đặc tính điện và quang học thấp, độ nhạy với nhiệt độ. VCSEL-940 Single Junction là laser phát xạ bề mặt khoang dọc (VCSEL) với bước sóng phát xạ điển hình khoảng 940 nanomet. Các laser như vậy thường bao gồm một giếng lượng tử đơn và có khả năng phát xạ ánh sáng hiệu quả. Bước sóng 940 nanomet nằm trong phổ hồng ngoại, phù hợp với nhiều ứng dụng. So với các loại laser khác, VCSEL có hiệu suất chuyển đổi điện quang cao hơn. Kích thước gói VCSEL tương đối nhỏ và dễ tích hợp. Ứng dụng rộng rãi của VCSEL-940 đã khiến nó đóng vai trò quan trọng trong công nghệ hiện đại.

Gửi email cho chúng tôi

Đặc trưng

Các đặc điểm chính của tấm màng mỏng GaAs được tạo ra bằng phương pháp lắng đọng laser bao gồm:

1. Cấu trúc đơn lớp: Loại laser này thường bao gồm một giếng lượng tử duy nhất, có thể cung cấp khả năng phát xạ ánh sáng hiệu quả.
2. Bước sóng: Bước sóng 940 nm nằm trong dải phổ hồng ngoại, phù hợp với nhiều ứng dụng khác nhau.
3. Hiệu suất cao: So với các loại laser khác, VCSEL có hiệu suất chuyển đổi điện quang cao.
4. Tính nhỏ gọn: Kích thước của VCSEL tương đối nhỏ và dễ tích hợp.

5. Dòng điện ngưỡng thấp và hiệu suất cao: Laser cấu trúc dị thể chôn ngầm thể hiện mật độ dòng điện ngưỡng phát laser cực thấp (ví dụ: 4mA/cm²) và hiệu suất lượng tử vi sai bên ngoài cao (ví dụ: 36%), với công suất đầu ra tuyến tính vượt quá 15mW.
6. Độ ổn định của chế độ sóng dẫn: Laser cấu trúc dị thể chìm có ưu điểm là độ ổn định của chế độ sóng dẫn nhờ cơ chế sóng dẫn hướng theo chỉ số khúc xạ và chiều rộng dải hoạt tính hẹp (khoảng 2μm).
7. Hiệu suất chuyển đổi quang điện tuyệt vời: Bằng cách tối ưu hóa quy trình tăng trưởng epitaxy, có thể đạt được hiệu suất lượng tử nội tại cao và hiệu suất chuyển đổi quang điện cao, giúp giảm tổn thất nội tại.
8. Độ tin cậy và tuổi thọ cao: Công nghệ tăng trưởng màng mỏng chất lượng cao có thể tạo ra các tấm màng mỏng với bề mặt đẹp và mật độ khuyết tật thấp, giúp nâng cao độ tin cậy và tuổi thọ của sản phẩm.
9. Phù hợp với nhiều ứng dụng: Tấm màng mỏng epitaxy diode laser dựa trên GAAS được sử dụng rộng rãi trong truyền thông cáp quang, các ứng dụng công nghiệp, hồng ngoại và quang điện tử và các lĩnh vực khác.

Các phương thức ứng dụng chính của tấm màng mỏng GaAs được tạo ra bằng phương pháp lắng đọng laser bao gồm:

1. Truyền thông quang học và truyền dữ liệu: Các tấm wafer GaAs kết tinh được sử dụng rộng rãi trong lĩnh vực truyền thông quang học, đặc biệt là trong các hệ thống truyền thông quang tốc độ cao, để sản xuất các thiết bị quang điện tử như laser và bộ dò.

2. Ứng dụng công nghiệp: Tấm màng mỏng GaAs kết tinh bằng laser cũng có những ứng dụng quan trọng trong công nghiệp, chẳng hạn như xử lý bằng laser, đo lường và cảm biến.

3. Thiết bị điện tử tiêu dùng: Trong lĩnh vực thiết bị điện tử tiêu dùng, các tấm bán dẫn GaAs được chế tạo bằng phương pháp epitaxy được sử dụng để sản xuất các laser phát xạ bề mặt khoang dọc (VCsel), được sử dụng rộng rãi trong điện thoại thông minh và các thiết bị điện tử tiêu dùng khác.

4. Ứng dụng tần số vô tuyến (RF): Vật liệu GaAs có những ưu điểm vượt trội trong lĩnh vực RF và được sử dụng để chế tạo các thiết bị RF hiệu suất cao.

5. Laser chấm lượng tử: Laser chấm lượng tử dựa trên GAAS được sử dụng rộng rãi trong lĩnh vực truyền thông, y tế và quân sự, đặc biệt là trong dải tần truyền thông quang 1,31µm.

6. Bộ chuyển mạch Q thụ động: Bộ hấp thụ GaAs được sử dụng cho các laser trạng thái rắn bơm bằng diode với bộ chuyển mạch Q thụ động, phù hợp cho gia công vi mô, đo khoảng cách và phẫu thuật vi mô.

Những ứng dụng này chứng minh tiềm năng của các tấm wafer GaAs epitaxy laser trong nhiều ứng dụng công nghệ cao.

XKH cung cấp các tấm wafer GaAs epitaxy với cấu trúc và độ dày khác nhau, được thiết kế riêng theo yêu cầu của khách hàng, phục vụ nhiều ứng dụng như VCSEL/HCSEL, WLAN, trạm gốc 4G/5G, v.v. Sản phẩm của XKH được sản xuất bằng thiết bị MOCVD tiên tiến để đảm bảo hiệu suất và độ tin cậy cao. Về logistics, chúng tôi có mạng lưới kênh phân phối quốc tế rộng khắp, có thể linh hoạt xử lý số lượng đơn đặt hàng và cung cấp các dịch vụ giá trị gia tăng như làm mỏng, phân đoạn, v.v. Quy trình giao hàng hiệu quả đảm bảo giao hàng đúng thời hạn và đáp ứng yêu cầu của khách hàng về chất lượng và thời gian giao hàng. Sau khi nhận hàng, khách hàng sẽ nhận được hỗ trợ kỹ thuật toàn diện và dịch vụ hậu mãi để đảm bảo sản phẩm được đưa vào sử dụng một cách suôn sẻ.