Tấm wafer epitaxial laser GaAs 4 inch 6 inch VCSEL khoang dọc phát xạ bề mặt laser bước sóng 940nm mối nối đơn
Các đặc điểm chính của tấm epitaxial laser GaAs bao gồm
1. Cấu trúc giao thoa đơn: Tia laser này thường được cấu tạo từ một giếng lượng tử đơn, có thể cung cấp khả năng phát xạ ánh sáng hiệu quả.
2. Bước sóng: Bước sóng 940 nm nằm trong dải quang phổ hồng ngoại, phù hợp với nhiều ứng dụng khác nhau.
3. Hiệu suất cao: So với các loại laser khác, VCSEL có hiệu suất chuyển đổi điện quang cao.
4. Tính gọn nhẹ: Gói VCSEL tương đối nhỏ và dễ tích hợp.
5. Dòng điện ngưỡng thấp và hiệu suất cao: Tia laser dị cấu trúc chôn ngầm thể hiện mật độ dòng điện ngưỡng phát laser cực thấp (ví dụ: 4mA/cm²) và hiệu suất lượng tử vi sai bên ngoài cao (ví dụ: 36%), với công suất đầu ra tuyến tính vượt quá 15mW.
6. Độ ổn định của chế độ ống dẫn sóng: Laser dị cấu trúc chôn có ưu điểm là độ ổn định của chế độ ống dẫn sóng do cơ chế ống dẫn sóng được dẫn hướng bằng chiết suất và chiều rộng dải hoạt động hẹp (khoảng 2μm).
7. Hiệu suất chuyển đổi quang điện tuyệt vời: Bằng cách tối ưu hóa quá trình phát triển epitaxial, có thể đạt được hiệu suất lượng tử bên trong và hiệu suất chuyển đổi quang điện cao để giảm tổn thất bên trong.
8. Độ tin cậy và tuổi thọ cao: công nghệ phát triển epitaxial chất lượng cao có thể tạo ra các tấm epitaxial có bề mặt đẹp và mật độ khuyết tật thấp, cải thiện độ tin cậy và tuổi thọ của sản phẩm.
9. Thích hợp cho nhiều ứng dụng khác nhau: Tấm epitaxial diode laser dựa trên GAAS được sử dụng rộng rãi trong truyền thông sợi quang, ứng dụng công nghiệp, hồng ngoại và máy dò quang và các lĩnh vực khác.
Các cách ứng dụng chính của tấm epitaxial laser GaAs bao gồm
1. Truyền thông quang học và truyền thông dữ liệu: Tấm wafer epitaxial GaAs được sử dụng rộng rãi trong lĩnh vực truyền thông quang học, đặc biệt là trong các hệ thống truyền thông quang học tốc độ cao, để sản xuất các thiết bị quang điện tử như laser và máy dò.
2. Ứng dụng công nghiệp: Tấm epitaxy laser GaAs cũng có những ứng dụng quan trọng trong các ứng dụng công nghiệp, chẳng hạn như xử lý laser, đo lường và cảm biến.
3. Điện tử tiêu dùng: Trong điện tử tiêu dùng, tấm wafer epitaxial GaAs được sử dụng để sản xuất VCsel (laser phát xạ bề mặt khoang dọc), được sử dụng rộng rãi trong điện thoại thông minh và các thiết bị điện tử tiêu dùng khác.
4. Ứng dụng RF: Vật liệu GaAs có những ưu điểm đáng kể trong lĩnh vực RF và được sử dụng để sản xuất các thiết bị RF hiệu suất cao.
5. Laser chấm lượng tử: Laser chấm lượng tử dựa trên GAAS được sử dụng rộng rãi trong lĩnh vực truyền thông, y tế và quân sự, đặc biệt là trong băng tần truyền thông quang học 1,31µm.
6. Công tắc Q thụ động: Bộ hấp thụ GaAs được sử dụng cho laser trạng thái rắn được bơm bằng diode với công tắc Q thụ động, phù hợp cho gia công vi mô, đo khoảng cách và phẫu thuật vi mô.
Những ứng dụng này chứng minh tiềm năng của tấm wafer epitaxial laser GaAs trong nhiều ứng dụng công nghệ cao.
XKH cung cấp wafer epitaxial GaAs với cấu trúc và độ dày khác nhau, phù hợp với yêu cầu của khách hàng, đáp ứng nhiều ứng dụng khác nhau như VCSEL/HCSEL, WLAN, trạm gốc 4G/5G, v.v. Sản phẩm của XKH được sản xuất bằng thiết bị MOCVD tiên tiến, đảm bảo hiệu suất và độ tin cậy cao. Về mặt hậu cần, chúng tôi có mạng lưới kênh cung ứng quốc tế rộng khắp, có thể xử lý linh hoạt số lượng đơn hàng và cung cấp các dịch vụ gia tăng như làm mỏng, phân đoạn, v.v. Quy trình giao hàng hiệu quả đảm bảo giao hàng đúng hạn và đáp ứng các yêu cầu của khách hàng về chất lượng và thời gian giao hàng. Sau khi nhận hàng, khách hàng sẽ nhận được hỗ trợ kỹ thuật toàn diện và dịch vụ hậu mãi, đảm bảo sản phẩm được đưa vào sử dụng suôn sẻ.
Sơ đồ chi tiết



