Tấm wafer epitaxial laser GaAs 4 inch 6 inch VCSEL khoang thẳng đứng phát xạ bề mặt laser bước sóng 940nm mối nối đơn
Các đặc điểm chính của tấm epitaxial laser GaAs bao gồm
1. Cấu trúc một mối nối: Tia laser này thường được cấu tạo từ một giếng lượng tử duy nhất, có thể cung cấp khả năng phát xạ ánh sáng hiệu quả.
2. Bước sóng: Bước sóng 940 nm nằm trong dải quang phổ hồng ngoại, phù hợp với nhiều ứng dụng khác nhau.
3. Hiệu suất cao: So với các loại laser khác, VCSEL có hiệu suất chuyển đổi quang điện cao.
4. Tính nhỏ gọn: Gói VCSEL tương đối nhỏ và dễ tích hợp.
5. Ngưỡng dòng điện thấp và hiệu suất cao: Laser dị cấu trúc chôn ngầm thể hiện mật độ ngưỡng dòng điện laser cực thấp (ví dụ 4mA/cm²) và hiệu suất lượng tử vi sai bên ngoài cao (ví dụ 36%), với công suất đầu ra tuyến tính vượt quá 15mW.
6. Độ ổn định của chế độ ống dẫn sóng: Laser dị cấu trúc chôn có ưu điểm là độ ổn định của chế độ ống dẫn sóng do cơ chế ống dẫn sóng được dẫn hướng bằng chiết suất và chiều rộng dải hoạt động hẹp (khoảng 2μm).
7. Hiệu suất chuyển đổi quang điện tuyệt vời: Bằng cách tối ưu hóa quá trình tăng trưởng epitaxial, có thể đạt được hiệu suất lượng tử bên trong và hiệu suất chuyển đổi quang điện cao để giảm tổn thất bên trong.
8. Độ tin cậy và tuổi thọ cao: công nghệ phát triển epitaxial chất lượng cao có thể tạo ra các tấm epitaxial có bề mặt đẹp và mật độ khuyết tật thấp, cải thiện độ tin cậy và tuổi thọ của sản phẩm.
9. Thích hợp cho nhiều ứng dụng khác nhau: Tấm epitaxial diode laser dựa trên GAAS được sử dụng rộng rãi trong truyền thông sợi quang, ứng dụng công nghiệp, hồng ngoại và máy dò quang và các lĩnh vực khác.
Các cách ứng dụng chính của tấm epitaxial laser GaAs bao gồm
1. Truyền thông quang học và truyền thông dữ liệu: Tấm wafer epitaxial GaAs được sử dụng rộng rãi trong lĩnh vực truyền thông quang học, đặc biệt là trong các hệ thống truyền thông quang học tốc độ cao, để sản xuất các thiết bị quang điện tử như laser và máy dò.
2. Ứng dụng công nghiệp: Tấm epitaxial laser GaAs cũng có những ứng dụng quan trọng trong các ứng dụng công nghiệp, chẳng hạn như xử lý laser, đo lường và cảm biến.
3. Điện tử tiêu dùng: Trong điện tử tiêu dùng, tấm wafer epitaxial GaAs được sử dụng để sản xuất VCsel (laser phát xạ bề mặt khoang dọc), được sử dụng rộng rãi trong điện thoại thông minh và các thiết bị điện tử tiêu dùng khác.
4. Ứng dụng RF: Vật liệu GaAs có những ưu điểm đáng kể trong lĩnh vực RF và được sử dụng để sản xuất các thiết bị RF hiệu suất cao.
5. Laser chấm lượng tử: Laser chấm lượng tử dựa trên GAAS được sử dụng rộng rãi trong lĩnh vực truyền thông, y tế và quân sự, đặc biệt là trong băng tần truyền thông quang học 1,31µm.
6. Công tắc Q thụ động: Bộ hấp thụ GaAs được sử dụng cho laser trạng thái rắn được bơm bằng diode với công tắc Q thụ động, phù hợp cho gia công vi mô, đo khoảng cách và phẫu thuật vi mô.
Những ứng dụng này chứng minh tiềm năng của tấm wafer epitaxial laser GaAs trong nhiều ứng dụng công nghệ cao.
XKH cung cấp các tấm wafer epitaxial GaAs với nhiều cấu trúc và độ dày khác nhau tùy theo yêu cầu của khách hàng, bao gồm nhiều ứng dụng như VCSEL/HCSEL, WLAN, trạm gốc 4G/5G, v.v. Các sản phẩm của XKH được sản xuất bằng thiết bị MOCVD tiên tiến để đảm bảo hiệu suất và độ tin cậy cao. Về mặt hậu cần, chúng tôi có nhiều kênh nguồn quốc tế, có thể xử lý linh hoạt số lượng đơn hàng và cung cấp các dịch vụ có giá trị gia tăng như làm mỏng, phân đoạn, v.v. Các quy trình giao hàng hiệu quả đảm bảo giao hàng đúng hạn và đáp ứng các yêu cầu của khách hàng về chất lượng và thời gian giao hàng. Sau khi nhận hàng, khách hàng có thể nhận được hỗ trợ kỹ thuật toàn diện và dịch vụ sau bán hàng để đảm bảo sản phẩm được đưa vào sử dụng suôn sẻ.
Sơ đồ chi tiết



