GaAs laser epiticular wafer 4 inch 6 inch VCSEL phát xạ bề mặt khoang dọc bước sóng laser 940nm điểm nối đơn
Các đặc điểm chính của tấm epiticular laser GaAs bao gồm
1. Cấu trúc mối nối đơn: Loại laser này thường bao gồm một giếng lượng tử duy nhất, có thể cung cấp sự phát xạ ánh sáng hiệu quả.
2. Bước sóng: Bước sóng 940 nm nằm trong dải phổ hồng ngoại, phù hợp với nhiều ứng dụng.
3. Hiệu suất cao: So với các loại laser khác, VCSEL có hiệu suất chuyển đổi quang điện cao.
4. Tính nhỏ gọn: Gói VCSEL tương đối nhỏ và dễ tích hợp.
5. Dòng ngưỡng thấp và hiệu suất cao: Laser cấu trúc dị thể được chôn có mật độ dòng ngưỡng phát laser cực thấp (ví dụ: 4mA/cm2) và hiệu suất lượng tử vi sai bên ngoài cao (ví dụ: 36%), với công suất đầu ra tuyến tính vượt quá 15mW.
6. Độ ổn định của chế độ ống dẫn sóng: Laser cấu trúc dị vòng chôn có ưu điểm là ổn định ở chế độ ống dẫn sóng nhờ cơ chế ống dẫn sóng dẫn hướng chỉ số khúc xạ và chiều rộng dải hoạt động hẹp (khoảng 2μm).
7. Hiệu suất chuyển đổi quang điện tuyệt vời: Bằng cách tối ưu hóa quá trình tăng trưởng epiticular, có thể đạt được hiệu suất lượng tử bên trong cao và hiệu suất chuyển đổi quang điện để giảm tổn thất bên trong.
8. Độ tin cậy và tuổi thọ cao: công nghệ tăng trưởng epiticular chất lượng cao có thể chuẩn bị các tấm epiticular có bề mặt đẹp và mật độ khuyết tật thấp, cải thiện độ tin cậy và tuổi thọ của sản phẩm.
9. Thích hợp cho nhiều ứng dụng: Tấm epiticular diode laser dựa trên GAAS được sử dụng rộng rãi trong truyền thông sợi quang, ứng dụng công nghiệp, bộ tách sóng hồng ngoại và quang học và các lĩnh vực khác.
Các cách ứng dụng chính của tấm epiticular laser GaAs bao gồm
1. Truyền thông quang học và truyền dữ liệu: Tấm epiticular GaAs được sử dụng rộng rãi trong lĩnh vực truyền thông quang học, đặc biệt là trong các hệ thống truyền thông quang học tốc độ cao, để chế tạo các thiết bị quang điện tử như laser và máy dò.
2. Ứng dụng công nghiệp: Tấm epiticular laser GaAs cũng có những ứng dụng quan trọng trong các ứng dụng công nghiệp, chẳng hạn như xử lý, đo lường và cảm biến laser.
3. Điện tử tiêu dùng: Trong điện tử tiêu dùng, tấm wafer epiticular GaAs được sử dụng để sản xuất VCsels (laser phát ra bề mặt khoang dọc), được sử dụng rộng rãi trong điện thoại thông minh và các thiết bị điện tử tiêu dùng khác.
4. Ứng dụng Rf: Vật liệu GaAs có lợi thế đáng kể trong lĩnh vực RF và được sử dụng để chế tạo các thiết bị RF hiệu suất cao.
5. Laser chấm lượng tử: Laser chấm lượng tử dựa trên GAAS được sử dụng rộng rãi trong các lĩnh vực truyền thông, y tế và quân sự, đặc biệt là trong dải truyền thông quang học 1,31µm.
6. Công tắc Q thụ động: Bộ hấp thụ GaAs được sử dụng cho laser trạng thái rắn bơm đi-ốt với công tắc Q thụ động, phù hợp cho gia công vi mô, đo phạm vi và vi phẫu.
Những ứng dụng này chứng tỏ tiềm năng của tấm wafer laser GaAs trong nhiều ứng dụng công nghệ cao.
XKH cung cấp các tấm wafer epiticular GaAs với các cấu trúc và độ dày khác nhau phù hợp với yêu cầu của khách hàng, bao gồm nhiều ứng dụng như trạm gốc VCSEL/HCSEL, WLAN, 4G/5G, v.v. Các sản phẩm của XKH được sản xuất bằng thiết bị MOCVD tiên tiến để đảm bảo hiệu suất cao và độ tin cậy. Về mặt hậu cần, chúng tôi có nhiều kênh nguồn quốc tế, có thể xử lý linh hoạt số lượng đơn hàng và cung cấp các dịch vụ giá trị gia tăng như tỉa thưa, phân khúc, v.v. Quy trình giao hàng hiệu quả đảm bảo giao hàng đúng hẹn và đáp ứng yêu cầu của khách hàng chất lượng và thời gian giao hàng. Sau khi đến, khách hàng có thể nhận được hỗ trợ kỹ thuật toàn diện và dịch vụ hậu mãi để đảm bảo sản phẩm được đưa vào sử dụng một cách suôn sẻ.