Gallium Nitride (GaN) Epitaxial Growed trên Sapphire Wafers 4 inch 6 inch cho MEMS
Tính chất của GaN trên tấm wafer Sapphire
●Hiệu suất cao:Các thiết bị dựa trên GaN cung cấp năng lượng gấp năm lần so với các thiết bị dựa trên silicon, nâng cao hiệu suất trong nhiều ứng dụng điện tử khác nhau, bao gồm khuếch đại RF và quang điện tử.
●Khoảng cách băng thông rộng:Khoảng cách dải rộng của GaN mang lại hiệu suất cao ở nhiệt độ cao, khiến nó trở nên lý tưởng cho các ứng dụng công suất cao và tần số cao.
●Độ bền:Khả năng xử lý các điều kiện khắc nghiệt (nhiệt độ cao và bức xạ) của GaN đảm bảo hiệu suất lâu dài trong môi trường khắc nghiệt.
●Kích thước nhỏ:GaN cho phép sản xuất các thiết bị nhỏ gọn và nhẹ hơn so với vật liệu bán dẫn truyền thống, tạo điều kiện cho các thiết bị điện tử nhỏ hơn và mạnh hơn.
Tóm tắt
Gallium Nitride (GaN) đang nổi lên như một chất bán dẫn được lựa chọn cho các ứng dụng tiên tiến đòi hỏi công suất và hiệu suất cao, chẳng hạn như các mô-đun đầu cuối RF, hệ thống truyền thông tốc độ cao và đèn LED. Các tấm wafer epitaxial GaN, khi được phát triển trên các chất nền sapphire, cung cấp sự kết hợp giữa độ dẫn nhiệt cao, điện áp đánh thủng cao và đáp ứng tần số rộng, là chìa khóa cho hiệu suất tối ưu trong các thiết bị truyền thông không dây, radar và máy gây nhiễu. Các tấm wafer này có sẵn ở cả đường kính 4 inch và 6 inch, với độ dày GaN khác nhau để đáp ứng các yêu cầu kỹ thuật khác nhau. Các đặc tính độc đáo của GaN khiến nó trở thành ứng cử viên hàng đầu cho tương lai của điện tử công suất.
Thông số sản phẩm
| Tính năng sản phẩm | Đặc điểm kỹ thuật |
| Đường kính wafer | 50mm, 100mm, 50,8mm |
| Chất nền | Đá quý |
| Độ dày lớp GaN | 0,5 μm - 10 μm |
| Loại GaN/Doping | Loại N (Loại P có sẵn theo yêu cầu) |
| Định hướng tinh thể GaN | <0001> |
| Loại đánh bóng | Đánh bóng một mặt (SSP), Đánh bóng hai mặt (DSP) |
| Độ dày Al2O3 | 430 μm - 650 μm |
| TTV (Tổng độ dày thay đổi) | ≤ 10 μm |
| Cây cung | ≤ 10 μm |
| cong vênh | ≤ 10 μm |
| Diện tích bề mặt | Diện tích bề mặt sử dụng > 90% |
Hỏi & Đáp
Câu hỏi 1: Những lợi thế chính của việc sử dụng GaN so với chất bán dẫn silicon truyền thống là gì?
A1: GaN cung cấp một số lợi thế đáng kể so với silicon, bao gồm khoảng cách dải rộng hơn, cho phép nó xử lý điện áp đánh thủng cao hơn và hoạt động hiệu quả ở nhiệt độ cao hơn. Điều này làm cho GaN trở nên lý tưởng cho các ứng dụng công suất cao, tần số cao như mô-đun RF, bộ khuếch đại công suất và đèn LED. Khả năng xử lý mật độ công suất cao hơn của GaN cũng cho phép các thiết bị nhỏ hơn và hiệu quả hơn so với các giải pháp thay thế dựa trên silicon.
Câu hỏi 2: GaN trên tấm wafer Sapphire có thể được sử dụng trong các ứng dụng MEMS (Hệ thống vi cơ điện tử) không?
A2: Có, GaN trên wafer Sapphire phù hợp với các ứng dụng MEMS, đặc biệt là khi cần công suất cao, độ ổn định nhiệt độ và tiếng ồn thấp. Độ bền và hiệu quả của vật liệu trong môi trường tần số cao khiến nó trở nên lý tưởng cho các thiết bị MEMS được sử dụng trong hệ thống truyền thông không dây, cảm biến và radar.
Câu hỏi 3: Ứng dụng tiềm năng của GaN trong truyền thông không dây là gì?
A3: GaN được sử dụng rộng rãi trong các mô-đun đầu cuối RF cho truyền thông không dây, bao gồm cơ sở hạ tầng 5G, hệ thống radar và máy gây nhiễu. Mật độ công suất cao và độ dẫn nhiệt của nó làm cho nó hoàn hảo cho các thiết bị công suất cao, tần số cao, cho phép hiệu suất tốt hơn và các yếu tố hình thức nhỏ hơn so với các giải pháp dựa trên silicon.
Câu hỏi 4: Thời gian hoàn thành và số lượng đặt hàng tối thiểu cho GaN trên tấm wafer Sapphire là bao lâu?
A4: Thời gian giao hàng và số lượng đặt hàng tối thiểu thay đổi tùy thuộc vào kích thước wafer, độ dày GaN và yêu cầu cụ thể của khách hàng. Vui lòng liên hệ trực tiếp với chúng tôi để biết giá chi tiết và tình trạng còn hàng dựa trên thông số kỹ thuật của bạn.
Câu hỏi 5: Tôi có thể tùy chỉnh độ dày lớp GaN hoặc mức độ pha tạp không?
A5: Có, chúng tôi cung cấp tùy chỉnh độ dày GaN và mức độ pha tạp để đáp ứng nhu cầu ứng dụng cụ thể. Vui lòng cho chúng tôi biết thông số kỹ thuật mong muốn của bạn và chúng tôi sẽ cung cấp giải pháp phù hợp.
Sơ đồ chi tiết
