Gallium Nitride (GaN) được nuôi cấy màng mỏng trên đế sapphire kích thước 4 inch và 6 inch dùng cho MEMS.
Tính chất của GaN trên đế sapphire
●Hiệu suất cao:Các thiết bị dựa trên GaN cung cấp công suất gấp năm lần so với các thiết bị dựa trên silicon, giúp nâng cao hiệu suất trong nhiều ứng dụng điện tử khác nhau, bao gồm khuếch đại tần số vô tuyến và quang điện tử.
●Khe hở băng rộng:Khoảng năng lượng cấm rộng của GaN cho phép đạt hiệu suất cao ở nhiệt độ cao, làm cho nó trở nên lý tưởng cho các ứng dụng công suất cao và tần số cao.
● Độ bền:Khả năng chịu đựng các điều kiện khắc nghiệt (nhiệt độ cao và bức xạ) của GaN đảm bảo hiệu suất lâu dài trong môi trường khắc nghiệt.
●Kích thước nhỏ:GaN cho phép sản xuất các thiết bị nhỏ gọn và nhẹ hơn so với các vật liệu bán dẫn truyền thống, tạo điều kiện thuận lợi cho việc chế tạo các thiết bị điện tử nhỏ hơn và mạnh mẽ hơn.
Tóm tắt
Gallium Nitride (GaN) đang nổi lên như một chất bán dẫn được lựa chọn cho các ứng dụng tiên tiến đòi hỏi công suất và hiệu suất cao, chẳng hạn như các mô-đun giao diện RF, hệ thống truyền thông tốc độ cao và chiếu sáng LED. Các tấm wafer GaN epitaxy, khi được nuôi cấy trên chất nền sapphire, cung cấp sự kết hợp giữa độ dẫn nhiệt cao, điện áp đánh thủng cao và dải tần đáp ứng rộng, đây là những yếu tố quan trọng để đạt hiệu suất tối ưu trong các thiết bị truyền thông không dây, radar và thiết bị gây nhiễu. Các tấm wafer này có sẵn với đường kính 4 inch và 6 inch, với độ dày GaN khác nhau để đáp ứng các yêu cầu kỹ thuật khác nhau. Các đặc tính độc đáo của GaN khiến nó trở thành ứng cử viên hàng đầu cho tương lai của ngành điện tử công suất.
Thông số sản phẩm
| Tính năng sản phẩm | Thông số kỹ thuật |
| Đường kính wafer | 50mm, 100mm, 50,8mm |
| Chất nền | Sapphire |
| Độ dày lớp GaN | 0,5 μm - 10 μm |
| Loại/Nồng độ pha tạp GaN | Loại N (Loại P có sẵn theo yêu cầu) |
| Định hướng tinh thể GaN | <0001> |
| Loại đánh bóng | Đánh bóng một mặt (SSP), Đánh bóng hai mặt (DSP) |
| Độ dày Al2O3 | 430 μm - 650 μm |
| TTV (Tổng độ biến thiên độ dày) | ≤ 10 μm |
| Cây cung | ≤ 10 μm |
| Biến dạng | ≤ 10 μm |
| Diện tích bề mặt | Diện tích bề mặt sử dụng được > 90% |
Hỏi & Đáp
Câu 1: Những ưu điểm chính của việc sử dụng GaN so với các chất bán dẫn truyền thống dựa trên silicon là gì?
A1GaN mang lại một số ưu điểm vượt trội so với silicon, bao gồm dải năng lượng rộng hơn, cho phép nó chịu được điện áp đánh thủng cao hơn và hoạt động hiệu quả ở nhiệt độ cao hơn. Điều này làm cho GaN trở nên lý tưởng cho các ứng dụng công suất cao, tần số cao như mô-đun RF, bộ khuếch đại công suất và đèn LED. Khả năng xử lý mật độ công suất cao hơn của GaN cũng cho phép tạo ra các thiết bị nhỏ hơn và hiệu quả hơn so với các giải pháp thay thế dựa trên silicon.
Câu 2: Có thể sử dụng GaN trên đế sapphire trong các ứng dụng MEMS (Hệ thống vi cơ điện tử) không?
A2Đúng vậy, GaN trên đế sapphire rất phù hợp cho các ứng dụng MEMS, đặc biệt là những ứng dụng yêu cầu công suất cao, ổn định nhiệt độ và độ nhiễu thấp. Độ bền và hiệu quả của vật liệu này trong môi trường tần số cao khiến nó trở nên lý tưởng cho các thiết bị MEMS được sử dụng trong truyền thông không dây, cảm biến và hệ thống radar.
Câu 3: GaN có những ứng dụng tiềm năng nào trong truyền thông không dây?
A3GaN được sử dụng rộng rãi trong các mô-đun giao diện RF cho truyền thông không dây, bao gồm cơ sở hạ tầng 5G, hệ thống radar và thiết bị gây nhiễu. Mật độ công suất cao và khả năng dẫn nhiệt tốt khiến nó trở nên hoàn hảo cho các thiết bị công suất cao, tần số cao, cho phép hiệu suất tốt hơn và kích thước nhỏ gọn hơn so với các giải pháp dựa trên silicon.
Câu 4: Thời gian giao hàng và số lượng đặt hàng tối thiểu đối với tấm wafer GaN trên sapphire là bao nhiêu?
A4Thời gian giao hàng và số lượng đặt hàng tối thiểu thay đổi tùy thuộc vào kích thước wafer, độ dày GaN và các yêu cầu cụ thể của khách hàng. Vui lòng liên hệ trực tiếp với chúng tôi để biết giá cả và tình trạng hàng có sẵn chi tiết dựa trên thông số kỹ thuật của bạn.
Q5: Tôi có thể yêu cầu độ dày lớp GaN hoặc nồng độ pha tạp tùy chỉnh không?
A5Có, chúng tôi cung cấp dịch vụ tùy chỉnh độ dày GaN và nồng độ pha tạp để đáp ứng nhu cầu ứng dụng cụ thể. Vui lòng cho chúng tôi biết các thông số kỹ thuật mong muốn của bạn, và chúng tôi sẽ cung cấp giải pháp phù hợp.
Sơ đồ chi tiết
