Ống đơn tinh thể sapphire mờ có độ cứng cao

Phương pháp EFG là phương pháp được sử dụng để phát triển tinh thể sapphire để chế tạo ống sapphire theo phương pháp khuôn dẫn hướng. Sau đây là mô tả chi tiết về phương pháp tăng trưởng, đặc điểm và công dụng của ống sapphire bằng phương pháp chế độ hướng dẫn:

Độ tinh khiết cao: Quá trình tăng trưởng ống sapphire bằng phương pháp EFG dẫn điện cho phép phát triển tinh thể sapphire có độ tinh khiết cao, giảm tác động của tạp chất đến độ dẫn điện.

Chất lượng cao: Phương pháp EFG của ống sapphire chế độ dẫn điện tạo ra cấu trúc tinh thể chất lượng cao, mang lại khả năng tán xạ điện tử thấp và độ linh động điện tử cao.

Độ dẫn điện tuyệt vời: Tinh thể sapphire có độ dẫn điện và nhiệt tốt, làm cho ống sapphire ở chế độ dẫn điện trở nên tuyệt vời cho các ứng dụng vi sóng và tần số cao.

Chịu nhiệt độ cao: Sapphire có khả năng chịu nhiệt độ cao tuyệt vời và có khả năng duy trì độ dẫn điện ổn định trong môi trường nhiệt độ cao.