Tấm wafer HPSI SiC đường kính: 3 inch độ dày: 350um± 25 µm cho Điện tử công suất
Ứng dụng
Tấm wafer HPSI SiC được sử dụng trong nhiều ứng dụng điện tử công suất, bao gồm:
Chất bán dẫn điện:Các tấm wafer SiC thường được sử dụng trong sản xuất diode công suất, bóng bán dẫn (MOSFET, IGBT) và thyristor. Các chất bán dẫn này được sử dụng rộng rãi trong các ứng dụng chuyển đổi năng lượng đòi hỏi hiệu suất và độ tin cậy cao, chẳng hạn như trong các bộ truyền động động cơ công nghiệp, nguồn điện và bộ biến tần cho các hệ thống năng lượng tái tạo.
Xe điện (EV):Trong hệ thống truyền động xe điện, các thiết bị điện dựa trên SiC cung cấp tốc độ chuyển mạch nhanh hơn, hiệu suất năng lượng cao hơn và giảm tổn thất nhiệt. Các thành phần SiC lý tưởng cho các ứng dụng trong hệ thống quản lý pin (BMS), cơ sở hạ tầng sạc và bộ sạc trên xe (OBC), nơi mà việc giảm thiểu trọng lượng và tối đa hóa hiệu suất chuyển đổi năng lượng là rất quan trọng.
Hệ thống năng lượng tái tạo:Tấm wafer SiC ngày càng được sử dụng nhiều trong các bộ biến tần năng lượng mặt trời, máy phát điện tua bin gió và hệ thống lưu trữ năng lượng, nơi hiệu suất cao và độ bền là điều cần thiết. Các thành phần dựa trên SiC cho phép mật độ công suất cao hơn và hiệu suất được cải thiện trong các ứng dụng này, cải thiện hiệu suất chuyển đổi năng lượng tổng thể.
Điện tử công nghiệp:Trong các ứng dụng công nghiệp hiệu suất cao, chẳng hạn như truyền động động cơ, rô bốt và nguồn điện quy mô lớn, việc sử dụng tấm wafer SiC cho phép cải thiện hiệu suất về mặt hiệu quả, độ tin cậy và quản lý nhiệt. Các thiết bị SiC có thể xử lý tần số chuyển mạch cao và nhiệt độ cao, khiến chúng phù hợp với các môi trường khắc nghiệt.
Viễn thông và Trung tâm dữ liệu:SiC được sử dụng trong nguồn điện cho thiết bị viễn thông và trung tâm dữ liệu, nơi độ tin cậy cao và chuyển đổi năng lượng hiệu quả là rất quan trọng. Các thiết bị điện dựa trên SiC cho phép hiệu suất cao hơn ở kích thước nhỏ hơn, điều này chuyển thành mức tiêu thụ điện năng thấp hơn và hiệu quả làm mát tốt hơn trong các cơ sở hạ tầng quy mô lớn.
Điện áp đánh thủng cao, điện trở thấp và độ dẫn nhiệt tuyệt vời của tấm bán dẫn SiC khiến chúng trở thành chất nền lý tưởng cho các ứng dụng tiên tiến này, cho phép phát triển thiết bị điện tử công suất tiết kiệm năng lượng thế hệ tiếp theo.
Của cải
| Tài sản | Giá trị |
| Đường kính wafer | 3 inch (76,2 mm) |
| Độ dày của wafer | 350 µm ± 25 µm |
| Định hướng wafer | <0001> trên trục ± 0,5° |
| Mật độ ống vi mô (MPD) | ≤ 1 cm⁻² |
| Điện trở suất | ≥ 1E7 Ω·cm |
| Chất pha tạp | Không pha tạp |
| Định hướng phẳng chính | {11-20} ± 5,0° |
| Chiều dài phẳng chính | 32,5mm ± 3,0mm |
| Chiều dài phẳng thứ cấp | 18,0mm ± 2,0mm |
| Định hướng phẳng thứ cấp | Mặt Si hướng lên trên: 90° CW từ mặt phẳng chính ± 5,0° |
| Loại trừ cạnh | 3mm |
| LTV/TTV/Cung/Cánh buồm | 3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm |
| Độ nhám bề mặt | Mặt C: Đánh bóng, Mặt Si: CMP |
| Các vết nứt (kiểm tra bằng ánh sáng cường độ cao) | Không có |
| Tấm lục giác (kiểm tra bằng ánh sáng cường độ cao) | Không có |
| Khu vực Polytype (được kiểm tra bằng ánh sáng cường độ cao) | Diện tích tích lũy 5% |
| Vết xước (kiểm tra bằng ánh sáng cường độ cao) | ≤ 5 vết xước, chiều dài tích lũy ≤ 150 mm |
| Mẻ cạnh | Không được phép ≥ 0,5 mm chiều rộng và chiều sâu |
| Ô nhiễm bề mặt (kiểm tra bằng ánh sáng cường độ cao) | Không có |
Lợi ích chính
Độ dẫn nhiệt cao:Tấm wafer SiC được biết đến với khả năng tản nhiệt đặc biệt, cho phép các thiết bị điện hoạt động ở hiệu suất cao hơn và xử lý dòng điện cao hơn mà không bị quá nhiệt. Tính năng này rất quan trọng trong điện tử công suất, nơi quản lý nhiệt là một thách thức đáng kể.
Điện áp đánh thủng cao:Khoảng cách dải rộng của SiC cho phép các thiết bị chịu được mức điện áp cao hơn, khiến chúng trở nên lý tưởng cho các ứng dụng điện áp cao như lưới điện, xe điện và máy móc công nghiệp.
Hiệu quả cao:Sự kết hợp giữa tần số chuyển mạch cao và điện trở thấp tạo ra các thiết bị có mức tổn thất năng lượng thấp hơn, cải thiện hiệu quả chuyển đổi điện năng tổng thể và giảm nhu cầu về hệ thống làm mát phức tạp.
Độ tin cậy trong môi trường khắc nghiệt:SiC có khả năng hoạt động ở nhiệt độ cao (lên tới 600°C), do đó phù hợp để sử dụng trong môi trường có thể làm hỏng các thiết bị silicon truyền thống.
Tiết kiệm năng lượng:Các thiết bị điện SiC cải thiện hiệu suất chuyển đổi năng lượng, yếu tố quan trọng giúp giảm mức tiêu thụ điện năng, đặc biệt là trong các hệ thống lớn như bộ chuyển đổi điện công nghiệp, xe điện và cơ sở hạ tầng năng lượng tái tạo.
Sơ đồ chi tiết
