Tấm wafer HPSI SiC đường kính: 3 inch độ dày: 350um± 25 µm cho Điện tử công suất
Ứng dụng
Tấm wafer HPSI SiC được sử dụng trong nhiều ứng dụng điện tử công suất, bao gồm:
Chất bán dẫn điện:Tấm wafer SiC thường được sử dụng trong sản xuất diode công suất, transistor (MOSFET, IGBT) và thyristor. Các chất bán dẫn này được sử dụng rộng rãi trong các ứng dụng chuyển đổi năng lượng đòi hỏi hiệu suất và độ tin cậy cao, chẳng hạn như trong bộ truyền động động cơ công nghiệp, bộ nguồn và bộ biến tần cho các hệ thống năng lượng tái tạo.
Xe điện (EV):Trong hệ thống truyền động xe điện, các thiết bị điện dựa trên SiC cung cấp tốc độ chuyển mạch nhanh hơn, hiệu suất năng lượng cao hơn và giảm tổn thất nhiệt. Các linh kiện SiC lý tưởng cho các ứng dụng trong hệ thống quản lý pin (BMS), cơ sở hạ tầng sạc và bộ sạc trên xe (OBC), nơi việc giảm thiểu trọng lượng và tối đa hóa hiệu suất chuyển đổi năng lượng là rất quan trọng.
Hệ thống năng lượng tái tạo:Tấm wafer SiC ngày càng được sử dụng rộng rãi trong các bộ biến tần năng lượng mặt trời, máy phát điện tua-bin gió và hệ thống lưu trữ năng lượng, những nơi đòi hỏi hiệu suất cao và độ bền bỉ. Các linh kiện nền SiC cho phép mật độ công suất cao hơn và hiệu suất được cải thiện trong các ứng dụng này, từ đó cải thiện hiệu suất chuyển đổi năng lượng tổng thể.
Điện tử công suất công nghiệp:Trong các ứng dụng công nghiệp hiệu suất cao, chẳng hạn như truyền động động cơ, robot và nguồn điện quy mô lớn, việc sử dụng wafer SiC cho phép cải thiện hiệu suất về hiệu suất, độ tin cậy và khả năng quản lý nhiệt. Các thiết bị SiC có thể xử lý tần số chuyển mạch cao và nhiệt độ cao, phù hợp với các môi trường khắc nghiệt.
Viễn thông và Trung tâm dữ liệu:SiC được sử dụng trong bộ nguồn cho thiết bị viễn thông và trung tâm dữ liệu, nơi độ tin cậy cao và khả năng chuyển đổi năng lượng hiệu quả là yếu tố then chốt. Các thiết bị nguồn dựa trên SiC cho phép đạt hiệu suất cao hơn ở kích thước nhỏ hơn, từ đó giảm mức tiêu thụ điện năng và cải thiện hiệu quả làm mát trong các cơ sở hạ tầng quy mô lớn.
Điện áp đánh thủng cao, điện trở khi bật thấp và độ dẫn nhiệt tuyệt vời của tấm wafer SiC khiến chúng trở thành chất nền lý tưởng cho các ứng dụng tiên tiến này, cho phép phát triển thiết bị điện tử công suất tiết kiệm năng lượng thế hệ tiếp theo.
Của cải
| Tài sản | Giá trị |
| Đường kính wafer | 3 inch (76,2 mm) |
| Độ dày của wafer | 350 µm ± 25 µm |
| Định hướng wafer | <0001> trên trục ± 0,5° |
| Mật độ ống vi mô (MPD) | ≤ 1 cm⁻² |
| Điện trở suất | ≥ 1E7 Ω·cm |
| Chất pha tạp | Không pha tạp |
| Hướng phẳng chính | {11-20} ± 5,0° |
| Chiều dài phẳng chính | 32,5 mm ± 3,0 mm |
| Chiều dài phẳng thứ cấp | 18,0 mm ± 2,0 mm |
| Định hướng phẳng thứ cấp | Mặt Si hướng lên trên: 90° CW từ mặt phẳng chính ± 5,0° |
| Loại trừ cạnh | 3 mm |
| LTV/TTV/Cung/Cánh buồm | 3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm |
| Độ nhám bề mặt | Mặt C: Đánh bóng, Mặt Si: CMP |
| Các vết nứt (kiểm tra bằng ánh sáng cường độ cao) | Không có |
| Tấm lục giác (kiểm tra bằng ánh sáng cường độ cao) | Không có |
| Khu vực đa hình (được kiểm tra bằng ánh sáng cường độ cao) | Diện tích tích lũy 5% |
| Các vết xước (kiểm tra bằng ánh sáng cường độ cao) | ≤ 5 vết xước, chiều dài tích lũy ≤ 150 mm |
| Mẻ cạnh | Không được phép có chiều rộng và chiều sâu ≥ 0,5 mm |
| Ô nhiễm bề mặt (kiểm tra bằng ánh sáng cường độ cao) | Không có |
Lợi ích chính
Độ dẫn nhiệt cao:Tấm wafer SiC được biết đến với khả năng tản nhiệt vượt trội, cho phép các thiết bị điện hoạt động ở hiệu suất cao hơn và xử lý dòng điện lớn hơn mà không bị quá nhiệt. Tính năng này rất quan trọng trong điện tử công suất, nơi việc quản lý nhiệt là một thách thức đáng kể.
Điện áp đánh thủng cao:Khoảng cách dải rộng của SiC cho phép các thiết bị chịu được mức điện áp cao hơn, khiến chúng trở nên lý tưởng cho các ứng dụng điện áp cao như lưới điện, xe điện và máy móc công nghiệp.
Hiệu quả cao:Sự kết hợp giữa tần số chuyển mạch cao và điện trở thấp giúp giảm thiểu tổn thất năng lượng cho các thiết bị, cải thiện hiệu suất chuyển đổi điện năng tổng thể và giảm nhu cầu sử dụng hệ thống làm mát phức tạp.
Độ tin cậy trong môi trường khắc nghiệt:SiC có khả năng hoạt động ở nhiệt độ cao (lên đến 600°C), do đó phù hợp để sử dụng trong môi trường có thể làm hỏng các thiết bị silicon truyền thống.
Tiết kiệm năng lượng:Các thiết bị điện SiC cải thiện hiệu suất chuyển đổi năng lượng, điều này rất quan trọng trong việc giảm mức tiêu thụ điện năng, đặc biệt là trong các hệ thống lớn như bộ chuyển đổi điện công nghiệp, xe điện và cơ sở hạ tầng năng lượng tái tạo.
Sơ đồ chi tiết
