Đường kính wafer HPSI SiC: Độ dày 3 inch: 350um± 25 µm cho Điện tử công suất

Đường kính wafer HPSI SiC:3 inch độ dày:350um± 25 µm dành cho Điện tử Công suất

Mô tả ngắn gọn:

Tấm wafer SiC HPSI (Cacbua silic có độ tinh khiết cao) có đường kính 3 inch và độ dày 350 µm ± 25 µm được thiết kế đặc biệt cho các ứng dụng điện tử công suất yêu cầu chất nền hiệu suất cao. Tấm wafer SiC này có độ dẫn nhiệt vượt trội, điện áp đánh thủng cao và hiệu suất ở nhiệt độ hoạt động cao, khiến nó trở thành lựa chọn lý tưởng cho nhu cầu ngày càng tăng về các thiết bị điện tử mạnh mẽ và tiết kiệm năng lượng. Tấm wafer SiC đặc biệt thích hợp cho các ứng dụng điện áp cao, dòng điện cao và tần số cao, trong đó chất nền silicon truyền thống không đáp ứng được nhu cầu vận hành.
Tấm wafer HPSI SiC của chúng tôi, được chế tạo bằng các kỹ thuật mới nhất đầu ngành, có nhiều loại, mỗi loại được thiết kế để đáp ứng các yêu cầu sản xuất cụ thể. Tấm wafer thể hiện tính toàn vẹn cấu trúc, đặc tính điện và chất lượng bề mặt vượt trội, đảm bảo rằng nó có thể mang lại hiệu suất đáng tin cậy trong các ứng dụng đòi hỏi khắt khe, bao gồm chất bán dẫn điện, xe điện (EV), hệ thống năng lượng tái tạo và chuyển đổi năng lượng công nghiệp.

Gửi email cho chúng tôi

Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Ứng dụng

Tấm wafer HPSI SiC được sử dụng trong nhiều ứng dụng điện tử công suất, bao gồm:

Chất bán dẫn điện:Tấm wafer SiC thường được sử dụng trong sản xuất điốt điện, bóng bán dẫn (MOSFET, IGBT) và thyristor. Những chất bán dẫn này được sử dụng rộng rãi trong các ứng dụng chuyển đổi năng lượng đòi hỏi hiệu suất và độ tin cậy cao, chẳng hạn như trong bộ truyền động động cơ công nghiệp, bộ nguồn và bộ biến tần cho hệ thống năng lượng tái tạo.
Xe điện (EV):Trong hệ truyền động xe điện, các thiết bị điện dựa trên SiC cung cấp tốc độ chuyển mạch nhanh hơn, hiệu suất sử dụng năng lượng cao hơn và giảm tổn thất nhiệt. Các thành phần SiC lý tưởng cho các ứng dụng trong hệ thống quản lý pin (BMS), cơ sở hạ tầng sạc và bộ sạc tích hợp (OBC), trong đó việc giảm thiểu trọng lượng và tối đa hóa hiệu suất chuyển đổi năng lượng là rất quan trọng.

Hệ thống năng lượng tái tạo:Tấm wafer SiC ngày càng được sử dụng nhiều trong các bộ biến tần năng lượng mặt trời, máy phát điện tua-bin gió và hệ thống lưu trữ năng lượng, những nơi cần có hiệu suất cao và độ bền cao. Các thành phần dựa trên SiC cho phép mật độ năng lượng cao hơn và nâng cao hiệu suất trong các ứng dụng này, cải thiện hiệu suất chuyển đổi năng lượng tổng thể.

Điện tử công nghiệp:Trong các ứng dụng công nghiệp hiệu suất cao, chẳng hạn như truyền động động cơ, robot và nguồn điện quy mô lớn, việc sử dụng tấm wafer SiC cho phép cải thiện hiệu suất về mặt hiệu quả, độ tin cậy và quản lý nhiệt. Các thiết bị SiC có thể xử lý tần số chuyển mạch cao và nhiệt độ cao, khiến chúng phù hợp với những môi trường đòi hỏi khắt khe.

Trung tâm viễn thông và dữ liệu:SiC được sử dụng trong nguồn cung cấp năng lượng cho thiết bị viễn thông và trung tâm dữ liệu, nơi có độ tin cậy cao và chuyển đổi năng lượng hiệu quả là rất quan trọng. Các thiết bị điện dựa trên SiC mang lại hiệu quả cao hơn ở kích thước nhỏ hơn, giúp giảm mức tiêu thụ điện năng và hiệu quả làm mát tốt hơn trong cơ sở hạ tầng quy mô lớn.

Điện áp đánh thủng cao, điện trở thấp và độ dẫn nhiệt tuyệt vời của tấm wafer SiC khiến chúng trở thành chất nền lý tưởng cho các ứng dụng tiên tiến này, cho phép phát triển các thiết bị điện tử công suất tiết kiệm năng lượng thế hệ tiếp theo.

Của cải

Tài sản	Giá trị
Đường kính bánh xốp	3 inch (76,2 mm)
Độ dày wafer	350 µm ± 25 µm
Định hướng wafer	<0001> trên trục ± 0,5°
Mật độ micropipe (MPD)	≤ 1 cm⁻²
Điện trở suất	≥ 1E7 Ω·cm
Dopant	Không pha tạp
Định hướng phẳng chính	{11-20} ± 5,0°
Chiều dài phẳng chính	32,5 mm ± 3,0 mm
Chiều dài phẳng thứ cấp	18,0 mm ± 2,0 mm
Định hướng phẳng thứ cấp	Si ngửa lên: 90° Tây Bắc tính từ mặt phẳng chính ± 5,0°
Loại trừ cạnh	3 mm
LTV/TTV/Cung/Warp	3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm
Độ nhám bề mặt	Mặt C: Đánh bóng, Mặt Si: CMP
Vết nứt (kiểm tra bằng ánh sáng cường độ cao)	Không có
Tấm lục giác (kiểm tra bằng ánh sáng cường độ cao)	Không có
Vùng Polytype (được kiểm tra bằng ánh sáng cường độ cao)	Diện tích tích lũy 5%
Vết xước (kiểm tra bằng ánh sáng cường độ cao)	5 vết xước, chiều dài tích lũy 150 mm
sứt mẻ cạnh	Không được phép có chiều rộng và chiều sâu ≥ 0,5 mm
Ô nhiễm bề mặt (kiểm tra bằng ánh sáng cường độ cao)	Không có

Lợi ích chính

Độ dẫn nhiệt cao:Tấm wafer SiC được biết đến với khả năng tản nhiệt đặc biệt, cho phép các thiết bị điện hoạt động với hiệu suất cao hơn và xử lý dòng điện cao hơn mà không bị quá nóng. Tính năng này rất quan trọng trong điện tử công suất, nơi việc quản lý nhiệt là một thách thức đáng kể.
Điện áp đánh thủng cao:Khoảng cách rộng của SiC cho phép các thiết bị chịu được mức điện áp cao hơn, khiến chúng trở nên lý tưởng cho các ứng dụng điện áp cao như lưới điện, xe điện và máy móc công nghiệp.
Hiệu quả cao:Sự kết hợp giữa tần số chuyển mạch cao và điện trở thấp giúp thiết bị có mức thất thoát năng lượng thấp hơn, cải thiện hiệu suất tổng thể của quá trình chuyển đổi năng lượng và giảm nhu cầu về các hệ thống làm mát phức tạp.
Độ tin cậy trong môi trường khắc nghiệt:SiC có khả năng hoạt động ở nhiệt độ cao (lên tới 600°C), điều này khiến nó phù hợp để sử dụng trong những môi trường có thể làm hỏng các thiết bị dựa trên silicon truyền thống.
Tiết kiệm năng lượng:Các thiết bị nguồn SiC cải thiện hiệu suất chuyển đổi năng lượng, điều này rất quan trọng trong việc giảm tiêu thụ điện năng, đặc biệt là trong các hệ thống lớn như bộ chuyển đổi năng lượng công nghiệp, xe điện và cơ sở hạ tầng năng lượng tái tạo.