Tấm wafer HPSI SiCOI 4 6 inch Liên kết kỵ nước

Tấm wafer SiCOI là chất nền bán dẫn thế hệ mới kết hợp Silicon Carbide (SiC) với lớp cách điện, thường là SiO₂ hoặc sapphire, để cải thiện hiệu suất trong điện tử công suất, RF và quang tử. Dưới đây là tổng quan chi tiết về các đặc tính của chúng được phân loại thành các phần chính:

Tấm wafer SiCOI (Silicon Carbide-on-Insulator) là một cấu trúc nền bán dẫn tiên tiến, bao gồm một lớp mỏng silicon carbide (SiC) chất lượng cao được liên kết với một lớp cách điện, thường là silicon dioxide (SiO₂) hoặc sapphire. Silicon carbide là một chất bán dẫn có khoảng cách băng thông rộng được biết đến với khả năng chịu được điện áp cao và nhiệt độ cao, cùng với độ dẫn nhiệt tuyệt vời và độ cứng cơ học vượt trội, khiến nó trở nên lý tưởng cho các ứng dụng điện tử công suất cao, tần số cao và nhiệt độ cao.

Lớp cách điện trong wafer SiCOI cung cấp khả năng cách điện hiệu quả, giảm đáng kể điện dung ký sinh và dòng điện rò rỉ giữa các thiết bị, do đó nâng cao hiệu suất và độ tin cậy của thiết bị nói chung. Bề mặt wafer được đánh bóng chính xác để đạt được độ mịn cực cao với ít khuyết tật nhất, đáp ứng các yêu cầu khắt khe của chế tạo thiết bị ở quy mô micro và nano.

Cấu trúc vật liệu này không chỉ cải thiện các đặc tính điện của thiết bị SiC mà còn tăng cường đáng kể khả năng quản lý nhiệt và độ ổn định cơ học. Do đó, các tấm wafer SiCOI được sử dụng rộng rãi trong điện tử công suất, linh kiện tần số vô tuyến (RF), cảm biến hệ thống vi cơ điện tử (MEMS) và điện tử nhiệt độ cao. Nhìn chung, các tấm wafer SiCOI kết hợp các đặc tính vật lý đặc biệt của silicon carbide với các lợi ích cách điện của lớp cách điện, tạo nên nền tảng lý tưởng cho thế hệ thiết bị bán dẫn hiệu suất cao tiếp theo.