Thiết bị cắt laser hồng ngoại Pico giây nền tảng kép để gia công kính quang học/thạch anh/sapphire

Mô tả ngắn gọn:

Tóm tắt kỹ thuật:
Hệ thống cắt kính laser hồng ngoại pico giây hai trạm là giải pháp công nghiệp được thiết kế đặc biệt để gia công chính xác các vật liệu trong suốt giòn. Được trang bị nguồn laser hồng ngoại pico giây 1064nm (độ rộng xung <15ps) và thiết kế bệ cắt hai trạm, hệ thống này mang lại hiệu suất xử lý gấp đôi, cho phép gia công hoàn hảo các loại kính quang học (ví dụ: BK7, silica nóng chảy), tinh thể thạch anh và sapphire (α-Al₂O₃) với độ cứng lên đến Mohs 9.
So với laser nano giây thông thường hoặc phương pháp cắt cơ học, Hệ thống Cắt Kính Laser Hồng Ngoại Pico giây Hai Trạm đạt được độ rộng rãnh cắt ở mức micron (phạm vi điển hình: 20–50μm) thông qua cơ chế "bóc tách lạnh", với vùng ảnh hưởng nhiệt được giới hạn ở mức <5μm. Chế độ vận hành hai trạm luân phiên giúp tăng hiệu suất sử dụng thiết bị lên 70%, trong khi hệ thống căn chỉnh thị giác độc quyền (độ chính xác định vị CCD: ±2μm) giúp hệ thống lý tưởng cho sản xuất hàng loạt các linh kiện kính cong 3D (ví dụ: kính ốp điện thoại thông minh, ống kính đồng hồ thông minh) trong ngành công nghiệp điện tử tiêu dùng. Hệ thống bao gồm các mô-đun nạp/dỡ tự động, hỗ trợ sản xuất liên tục 24/7.

Gửi email cho chúng tôi

Đặc trưng

Tham số chính

Loại Laser	Pico giây hồng ngoại
Kích thước nền tảng	700×1200 (mm)
	900×1400 (mm)
Độ dày cắt	0,03-80 (mm)
Tốc độ cắt	0-1000 (mm/giây)
Sự phá vỡ cạnh cắt	<0,01 (mm)
Lưu ý: Kích thước nền tảng có thể tùy chỉnh.

Các tính năng chính

1. Công nghệ Laser siêu nhanh:
· Các xung ngắn ở mức pico giây (10⁻¹²s) kết hợp với công nghệ điều chỉnh MOPA đạt được mật độ công suất cực đại >10¹² W/cm².
· Bước sóng hồng ngoại (1064nm) xuyên qua vật liệu trong suốt thông qua sự hấp thụ phi tuyến tính, ngăn ngừa sự phá hủy bề mặt.
· Hệ thống quang học đa tiêu điểm độc quyền tạo ra bốn điểm xử lý độc lập cùng lúc.

2. Hệ thống đồng bộ hóa hai trạm:
· Tầng động cơ tuyến tính kép đế đá granit (độ chính xác định vị: ±1μm).
· Thời gian chuyển mạch trạm <0,8 giây, cho phép thực hiện các hoạt động "xử lý-tải/dỡ" song song.
· Kiểm soát nhiệt độ độc lập (23±0,5°C) cho mỗi trạm đảm bảo tính ổn định gia công lâu dài.

3. Kiểm soát quy trình thông minh:
· Cơ sở dữ liệu vật liệu tích hợp (hơn 200 thông số kính) để tự động khớp thông số.
· Giám sát plasma theo thời gian thực điều chỉnh năng lượng laser một cách linh hoạt (độ phân giải điều chỉnh: 0,1mJ).
· Lớp bảo vệ bằng màn khí giúp giảm thiểu các vết nứt nhỏ ở cạnh (<3μm).
Trong trường hợp ứng dụng điển hình liên quan đến việc cắt wafer sapphire dày 0,5 mm, hệ thống đạt tốc độ cắt 300 mm/giây với kích thước cắt <10μm, thể hiện sự cải thiện hiệu quả gấp 5 lần so với các phương pháp truyền thống.

Ưu điểm xử lý

1. Hệ thống cắt và tách hai trạm tích hợp cho hoạt động linh hoạt;
2. Gia công tốc độ cao các hình dạng phức tạp giúp tăng cường hiệu quả chuyển đổi quy trình;
3. Lưỡi cắt không côn, ít sứt mẻ (<50μm) và an toàn cho người vận hành;
4. Chuyển đổi liền mạch giữa các thông số kỹ thuật của sản phẩm với thao tác trực quan;
5. Chi phí vận hành thấp, tỷ lệ năng suất cao, quy trình không tiêu hao và không gây ô nhiễm;
6. Không phát sinh xỉ, chất thải lỏng hoặc nước thải với tính toàn vẹn bề mặt được đảm bảo;

Màn hình mẫu

Thiết bị cắt kính bằng laser hồng ngoại nền tảng kép pico giây 5

Ứng dụng điển hình

1. Sản xuất hàng điện tử tiêu dùng:
· Cắt đường viền chính xác của kính bảo vệ 3D cho điện thoại thông minh (Độ chính xác góc R: ±0,01mm).
· Khoan lỗ siêu nhỏ trên mặt kính đồng hồ sapphire (khẩu độ tối thiểu: Ø0,3mm).
· Hoàn thiện vùng truyền dẫn bằng kính quang học cho camera dưới màn hình.

2. Sản xuất linh kiện quang học:
· Gia công cấu trúc vi mô cho mảng thấu kính AR/VR (kích thước đặc điểm ≥20μm).
· Cắt góc lăng kính thạch anh cho bộ chuẩn trực laser (dung sai góc: ±15").
· Định hình mặt cắt của bộ lọc hồng ngoại (độ côn cắt <0,5°).

3. Bao bì bán dẫn:
· Xử lý kính xuyên thấu (TGV) ở cấp độ wafer (tỷ lệ khung hình 1:10).
· Khắc vi kênh trên nền kính cho chip vi lưu (Ra <0,1μm).
· Cắt điều chỉnh tần số cho bộ cộng hưởng thạch anh MEMS.

Đối với chế tạo cửa sổ quang học LiDAR cho ô tô, hệ thống này cho phép cắt theo đường viền kính thạch anh dày 2mm với góc cắt vuông góc là 89,5±0,3°, đáp ứng các yêu cầu thử nghiệm độ rung cấp ô tô.

Ứng dụng quy trình

Được thiết kế đặc biệt để cắt chính xác các vật liệu giòn/cứng bao gồm:
1. Kính tiêu chuẩn & kính quang học (BK7, silica nóng chảy);
2. Tinh thể thạch anh và chất nền sapphire;
3. Kính cường lực và bộ lọc quang học
4. Chất nền gương
Có khả năng cắt theo đường viền và khoan lỗ bên trong chính xác (tối thiểu Ø0,3mm)

Nguyên lý cắt laser

Tia laser tạo ra các xung cực ngắn với năng lượng cực cao, tương tác với vật liệu trong khoảng thời gian từ femto giây đến pico giây. Trong quá trình truyền qua vật liệu, chùm tia phá vỡ cấu trúc ứng suất của vật liệu để tạo thành các lỗ sợi có kích thước micron. Khoảng cách lỗ được tối ưu hóa tạo ra các vết nứt siêu nhỏ được kiểm soát, kết hợp với công nghệ cắt để đạt được độ phân tách chính xác.

Ưu điểm của cắt laser

1. Tích hợp tự động hóa cao (chức năng cắt/cắt kết hợp) với mức tiêu thụ điện năng thấp và vận hành đơn giản;
2. Xử lý không tiếp xúc cho phép đạt được những khả năng độc đáo không thể đạt được thông qua các phương pháp thông thường;
3. Hoạt động không tiêu hao giúp giảm chi phí vận hành và tăng cường tính bền vững của môi trường;
4. Độ chính xác cao với góc côn bằng không và loại bỏ hư hỏng thứ cấp của phôi;
XKH cung cấp các dịch vụ tùy chỉnh toàn diện cho hệ thống cắt laser của chúng tôi, bao gồm cấu hình nền tảng phù hợp, phát triển thông số quy trình chuyên biệt và các giải pháp dành riêng cho ứng dụng để đáp ứng các yêu cầu sản xuất độc đáo trong nhiều ngành công nghiệp khác nhau.