Tấm nền composite SiC loại N, đường kính 6 inch, chất lượng cao, đơn tinh thể và chất lượng thấp.
Bảng thông số chung của chất nền composite SiC loại N
| 项目Mặt hàng | 指标Thông số kỹ thuật | 项目Mặt hàng | 指标Thông số kỹ thuật |
| 直径Đường kính | 150±0,2mm | 正 面 ( 硅 面 ) 粗 糙 度 Độ nhám mặt trước (mặt Si) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) |
| 晶型Đa hình | 4H | Vết sứt, trầy xước, nứt ở cạnh (kiểm tra bằng mắt thường) | Không có |
| 电阻率Điện trở suất | 0,015-0,025 ohm ·cm | 总厚度变化TTV | ≤3μm |
| Độ dày lớp chuyển tiếp | ≥0,4μm | 翘曲度Biến dạng | ≤35μm |
| 空洞Hư không | ≤5ea/wafer (2mm>D>0.5mm) | 总厚度Độ dày | 350±25μm |
Ký hiệu "loại N" đề cập đến loại pha tạp được sử dụng trong vật liệu SiC. Trong vật lý bán dẫn, pha tạp là quá trình cố ý đưa các tạp chất vào chất bán dẫn để thay đổi các tính chất điện của nó. Pha tạp loại N đưa vào các nguyên tố cung cấp lượng electron tự do dư thừa, tạo cho vật liệu nồng độ chất mang điện tích âm.
Ưu điểm của chất nền composite SiC loại N bao gồm:
1. Hiệu suất ở nhiệt độ cao: SiC có độ dẫn nhiệt cao và có thể hoạt động ở nhiệt độ cao, do đó phù hợp cho các ứng dụng điện tử công suất cao và tần số cao.
2. Điện áp đánh thủng cao: Vật liệu SiC có điện áp đánh thủng cao, cho phép chúng chịu được điện trường mạnh mà không bị đánh thủng.
3. Khả năng chống chịu hóa chất và môi trường: SiC có khả năng chống chịu hóa chất và có thể chịu được các điều kiện môi trường khắc nghiệt, do đó phù hợp để sử dụng trong các ứng dụng đòi hỏi cao.
4. Giảm tổn thất điện năng: So với các vật liệu gốc silicon truyền thống, chất nền SiC cho phép chuyển đổi năng lượng hiệu quả hơn và giảm tổn thất điện năng trong các thiết bị điện tử.
5. Dải năng lượng rộng: SiC có dải năng lượng rộng, cho phép phát triển các thiết bị điện tử có thể hoạt động ở nhiệt độ cao hơn và mật độ công suất cao hơn.
Nhìn chung, chất nền composite SiC loại N mang lại những ưu điểm đáng kể cho việc phát triển các thiết bị điện tử hiệu suất cao, đặc biệt là trong các ứng dụng đòi hỏi hoạt động ở nhiệt độ cao, mật độ công suất cao và chuyển đổi năng lượng hiệu quả.