Chất nền composite SiC loại N Dia6inch Chất nền đơn tinh thể chất lượng cao và chất nền chất lượng thấp
Bảng thông số chung của vật liệu nền composite SiC loại N
| 项目Mặt hàng | 指标Đặc điểm kỹ thuật | 项目Mặt hàng | 指标Đặc điểm kỹ thuật |
| 直径Đường kính | 150±0.2mm | 正 面 ( 硅 面 ) 粗 糙 度 Độ nhám mặt trước (mặt Si) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) |
| 晶型Đa dạng | 4H | Vết nứt, trầy xước, nứt cạnh (kiểm tra bằng mắt thường) | Không có |
| 电阻率Điện trở suất | 0,015-0,025ohm ·cm | 总厚度变化TTV | ≤3μm |
| Độ dày lớp chuyển | ≥0,4μm | 翘曲度cong vênh | ≤35μm |
| 空洞Hư vô | ≤5ea/tấm wafer (2mm>D>0,5mm) | 总厚度Độ dày | 350±25μm |
Thuật ngữ "loại N" ám chỉ loại pha tạp được sử dụng trong vật liệu SiC. Trong vật lý bán dẫn, pha tạp liên quan đến việc cố ý đưa tạp chất vào chất bán dẫn để thay đổi tính chất điện của nó. Pha tạp loại N đưa vào các nguyên tố cung cấp lượng electron tự do dư thừa, tạo cho vật liệu nồng độ chất mang điện tích âm.
Ưu điểm của vật liệu nền composite SiC loại N bao gồm:
1. Hiệu suất nhiệt độ cao: SiC có độ dẫn nhiệt cao và có thể hoạt động ở nhiệt độ cao, phù hợp cho các ứng dụng điện tử công suất cao và tần số cao.
2. Điện áp đánh thủng cao: Vật liệu SiC có điện áp đánh thủng cao, cho phép chúng chịu được điện trường cao mà không bị đánh thủng điện.
3. Khả năng chống hóa chất và môi trường: SiC có khả năng chống hóa chất và chịu được điều kiện môi trường khắc nghiệt, do đó phù hợp để sử dụng trong các ứng dụng đầy thách thức.
4. Giảm tổn thất điện năng: So với vật liệu silicon truyền thống, chất nền SiC cho phép chuyển đổi điện năng hiệu quả hơn và giảm tổn thất điện năng trong các thiết bị điện tử.
5. Khoảng cách dải rộng: SiC có khoảng cách dải rộng, cho phép phát triển các thiết bị điện tử có thể hoạt động ở nhiệt độ cao hơn và mật độ công suất cao hơn.
Nhìn chung, vật liệu nền composite SiC loại N mang lại những lợi thế đáng kể cho việc phát triển các thiết bị điện tử hiệu suất cao, đặc biệt là trong các ứng dụng đòi hỏi hoạt động ở nhiệt độ cao, mật độ công suất cao và chuyển đổi năng lượng hiệu quả.