Chất nền SiC loại P SiC wafer Dia2inch Sản phẩm mới

Mô tả ngắn gọn:

Tấm wafer silicon cacbua loại P (SiC) 2 inch ở dạng polytype 4H hoặc 6H. Nó có các đặc tính tương tự như wafer Silicon Carbide (SiC) loại N, như chịu nhiệt độ cao, dẫn nhiệt cao, dẫn điện cao, v.v. Chất nền SiC loại P thường được sử dụng để sản xuất các thiết bị điện, đặc biệt là sản xuất Vật liệu cách nhiệt Transitor lưỡng cực cổng (IGBT). Thiết kế của IGBT thường liên quan đến các mối nối PN, trong đó SiC loại P có thể thuận lợi cho việc kiểm soát hoạt động của thiết bị.

Gửi email cho chúng tôi

Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Chất nền cacbua silic loại P thường được sử dụng để chế tạo các thiết bị điện, chẳng hạn như bóng bán dẫn lưỡng cực có cổng cách điện (IGBT).

IGBT= MOSFET+BJT, là công tắc bật tắt. MOSFET=IGFE(ống hiệu ứng trường bán dẫn oxit kim loại, hoặc bóng bán dẫn hiệu ứng trường loại cổng cách điện). BJT (Transitor tiếp giáp lưỡng cực hay còn gọi là bóng bán dẫn), lưỡng cực nghĩa là có hai loại hạt mang điện tử và lỗ trống tham gia vào quá trình dẫn điện tại nơi làm việc, nói chung có tiếp giáp PN tham gia vào quá trình dẫn điện.

Tấm wafer silicon cacbua loại p (SiC) 2 inch có dạng polytype 4H hoặc 6H. Nó có các đặc tính tương tự như tấm silicon cacbua loại n (SiC), chẳng hạn như khả năng chịu nhiệt độ cao, độ dẫn nhiệt cao và độ dẫn điện cao. Chất nền SiC loại p thường được sử dụng trong chế tạo các thiết bị điện, đặc biệt để chế tạo các bóng bán dẫn lưỡng cực cổng cách điện (IGBT). thiết kế của IGBT thường liên quan đến các mối nối PN, trong đó SiC loại p thuận lợi cho việc kiểm soát hoạt động của thiết bị.