Tấm nền SiC loại P, tấm wafer SiC đường kính 2 inch, sản phẩm mới.

Các chất nền silicon carbide loại P thường được sử dụng để chế tạo các thiết bị điện tử công suất, chẳng hạn như các bóng bán dẫn lưỡng cực cổng cách điện (IGBT).

IGBT = MOSFET + BJT, là một công tắc bật/tắt. MOSFET = IGFET (ống hiệu ứng trường bán dẫn oxit kim loại, hay transistor hiệu ứng trường kiểu cổng cách điện). BJT (Transistor lưỡng cực, còn được gọi là transistor), lưỡng cực có nghĩa là có hai loại hạt tải điện electron và lỗ trống tham gia vào quá trình dẫn điện, thông thường có mối nối PN tham gia vào quá trình dẫn điện.

Tấm wafer silicon carbide (SiC) loại p 2 inch có cấu trúc đa hình 4H hoặc 6H. Nó có các đặc tính tương tự như tấm wafer silicon carbide (SiC) loại n, chẳng hạn như khả năng chịu nhiệt cao, độ dẫn nhiệt cao và độ dẫn điện cao. Chất nền SiC loại p thường được sử dụng trong chế tạo các thiết bị điện tử công suất, đặc biệt là để chế tạo các transistor lưỡng cực cổng cách điện (IGBT). Thiết kế của IGBT thường liên quan đến các mối nối PN, trong đó SiC loại p có lợi thế trong việc kiểm soát hoạt động của thiết bị.