Tấm nền SiC loại P Tấm wafer SiC Dia2inch sản phẩm mới
Chất nền silicon carbide loại P thường được sử dụng để chế tạo các thiết bị điện, chẳng hạn như bóng bán dẫn lưỡng cực cổng cách điện (IGBT).
IGBT = MOSFET + BJT, là một công tắc bật-tắt. MOSFET = IGFET (ống hiệu ứng trường bán dẫn oxit kim loại, hay transistor hiệu ứng trường loại cổng cách điện). BJT (Transistor tiếp giáp lưỡng cực, còn được gọi là transistor), lưỡng cực nghĩa là có hai loại hạt mang điện tử và lỗ trống tham gia vào quá trình dẫn điện, thường có tiếp giáp PN tham gia vào quá trình dẫn điện.
Tấm wafer silicon carbide (SiC) loại p 2 inch có polytype 4H hoặc 6H. Nó có các đặc tính tương tự như wafer silicon carbide (SiC) loại n, chẳng hạn như khả năng chịu nhiệt độ cao, độ dẫn nhiệt cao và độ dẫn điện cao. Đế SiC loại p thường được sử dụng trong chế tạo các thiết bị điện, đặc biệt là để chế tạo transistor lưỡng cực cổng cách điện (IGBT). Thiết kế IGBT thường sử dụng các tiếp giáp PN, trong đó SiC loại p có lợi thế trong việc kiểm soát hoạt động của thiết bị.
Sơ đồ chi tiết
