Tấm nền SiC loại P Tấm wafer SiC Dia2inch sản phẩm mới

Chất nền silicon carbide loại P thường được sử dụng để chế tạo các thiết bị điện, chẳng hạn như bóng bán dẫn lưỡng cực cổng cách điện (IGBT).

IGBT= MOSFET+BJT, là công tắc bật-tắt. MOSFET=IGFET(ống hiệu ứng trường bán dẫn oxit kim loại, hoặc bóng bán dẫn hiệu ứng trường loại cổng cách điện). BJT(Transistor nối lưỡng cực, còn được gọi là bóng bán dẫn), lưỡng cực có nghĩa là có hai loại hạt mang điện tử và lỗ trống tham gia vào quá trình dẫn điện, thường có mối nối PN tham gia vào quá trình dẫn điện.

Tấm wafer silicon carbide (SiC) loại p 2 inch có polytype 4H hoặc 6H. Nó có các đặc tính tương tự như tấm wafer silicon carbide (SiC) loại n, chẳng hạn như khả năng chịu nhiệt độ cao, độ dẫn nhiệt cao và độ dẫn điện cao. Các chất nền SiC loại p thường được sử dụng trong chế tạo các thiết bị điện, đặc biệt là để chế tạo các bóng bán dẫn lưỡng cực cổng cách điện (IGBT). Thiết kế của IGBT thường liên quan đến các mối nối PN, trong đó SiC loại p có lợi thế trong việc kiểm soát hành vi của thiết bị.