Có thể sử dụng đế sapphire PSS dạng hoa văn kích thước 2 inch, 4 inch, 6 inch để khắc khô bằng ICP cho chip LED.
Đặc điểm cốt lõi
1. Đặc điểm vật liệu: Vật liệu nền là sapphire đơn tinh thể (Al₂O₃), có độ cứng cao, khả năng chịu nhiệt cao và độ ổn định hóa học tốt.
2. Cấu trúc bề mặt: Bề mặt được tạo thành bằng phương pháp quang khắc và khắc axit thành các cấu trúc vi-nano tuần hoàn, chẳng hạn như hình nón, hình chóp hoặc mảng lục giác.
3. Hiệu suất quang học: Thông qua thiết kế hoa văn bề mặt, hiện tượng phản xạ toàn phần của ánh sáng tại giao diện được giảm thiểu, và hiệu suất trích xuất ánh sáng được cải thiện.
4. Hiệu suất tản nhiệt: Đế sapphire có khả năng dẫn nhiệt tuyệt vời, phù hợp cho các ứng dụng LED công suất cao.
5. Thông số kích thước: Các kích thước phổ biến là 2 inch (50,8mm), 4 inch (100mm) và 6 inch (150mm).
Các lĩnh vực ứng dụng chính
1. Sản xuất đèn LED:
Hiệu suất chiết xuất ánh sáng được cải thiện: PSS giảm thiểu tổn thất ánh sáng thông qua thiết kế hoa văn, giúp cải thiện đáng kể độ sáng và hiệu suất phát quang của đèn LED.
Chất lượng tăng trưởng màng mỏng được cải thiện: Cấu trúc được tạo hình cung cấp nền tảng tăng trưởng tốt hơn cho các lớp màng mỏng GaN và cải thiện hiệu suất của đèn LED.
2. Điốt laser (LD):
Laser công suất cao: Độ dẫn nhiệt cao và tính ổn định của PSS phù hợp với các điốt laser công suất cao, giúp cải thiện hiệu suất tản nhiệt và độ tin cậy.
Dòng điện ngưỡng thấp: Tối ưu hóa quá trình tăng trưởng epitaxy, giảm dòng điện ngưỡng của diode laser và cải thiện hiệu suất.
3. Bộ tách sóng quang:
Độ nhạy cao: Khả năng truyền ánh sáng cao và mật độ khuyết tật thấp của PSS giúp cải thiện độ nhạy và tốc độ phản hồi của bộ tách sóng quang.
Dải quang phổ rộng: thích hợp cho việc phát hiện quang điện trong phạm vi từ tia cực tím đến ánh sáng nhìn thấy.
4. Điện tử công suất:
Khả năng chịu điện áp cao: Khả năng cách điện và độ ổn định nhiệt cao của sapphire phù hợp với các thiết bị điện áp cao.
Tản nhiệt hiệu quả: Độ dẫn nhiệt cao giúp cải thiện hiệu suất tản nhiệt của các thiết bị điện và kéo dài tuổi thọ.
5. Thiết bị RF:
Hiệu năng cao ở tần số cao: Độ suy hao điện môi thấp và độ ổn định nhiệt cao của PSS phù hợp với các thiết bị RF tần số cao.
Độ nhiễu thấp: Độ phẳng cao và mật độ khuyết tật thấp giúp giảm nhiễu thiết bị và cải thiện chất lượng tín hiệu.
6. Cảm biến sinh học:
Phát hiện độ nhạy cao: Khả năng truyền ánh sáng cao và độ ổn định hóa học của PSS rất phù hợp cho các cảm biến sinh học có độ nhạy cao.
Khả năng tương thích sinh học: Khả năng tương thích sinh học của sapphire làm cho nó phù hợp với các ứng dụng y tế và phát hiện sinh học.
Đế sapphire có hoa văn (PSS) với vật liệu GaN dạng màng mỏng:
Chất nền sapphire có hoa văn (PSS) là chất nền lý tưởng cho sự phát triển màng mỏng GaN (gallium nitride). Hằng số mạng tinh thể của sapphire gần với GaN, có thể giảm thiểu sự không phù hợp mạng tinh thể và các khuyết tật trong quá trình phát triển màng mỏng. Cấu trúc vi mô-nano của bề mặt PSS không chỉ cải thiện hiệu suất chiết xuất ánh sáng mà còn cải thiện chất lượng tinh thể của lớp màng mỏng GaN, từ đó nâng cao hiệu suất và độ tin cậy của đèn LED.
Thông số kỹ thuật
| Mục | Đế sapphire có hoa văn (2~6 inch) | ||
| Đường kính | 50,8 ± 0,1 mm | 100,0 ± 0,2 mm | 150,0 ± 0,3 mm |
| Độ dày | 430 ± 25μm | 650 ± 25μm | 1000 ± 25μm |
| Định hướng bề mặt | Mặt phẳng C (0001) lệch góc so với trục M (10-10) 0,2 ± 0,1° | ||
| Mặt phẳng C (0001) lệch góc so với trục A (11-20) 0 ± 0,1° | |||
| Định hướng phẳng chính | Mặt phẳng A (11-20) ± 1,0° | ||
| Chiều dài phẳng chính | 16,0 ± 1,0 mm | 30,0 ± 1,0 mm | 47,5 ± 2,0 mm |
| Máy bay R | 9 giờ | ||
| Hoàn thiện bề mặt phía trước | có hoa văn | ||
| Hoàn thiện bề mặt phía sau | SSP: Mài mịn, Ra=0,8-1,2um; DSP: Đánh bóng bề mặt, Ra<0,3nm | ||
| Khắc laser | Mặt sau | ||
| TTV | ≤8μm | ≤10μm | ≤20μm |
| CÂY CUNG | ≤10μm | ≤15μm | ≤25μm |
| BIẾN DẠNG | ≤12μm | ≤20μm | ≤30μm |
| Loại trừ cạnh | ≤2 mm | ||
| Thông số kỹ thuật mẫu | Cấu trúc hình dạng | Mái vòm, hình nón, hình chóp | |
| Chiều cao mẫu | 1,6~1,8μm | ||
| Đường kính mẫu | 2,75~2,85μm | ||
| Không gian mẫu | 0,1~0,3μm | ||
XKH chuyên cung cấp các chất nền sapphire (PSS) chất lượng cao, được tùy chỉnh theo yêu cầu, kèm theo hỗ trợ kỹ thuật và dịch vụ hậu mãi để giúp khách hàng đạt được hiệu quả đổi mới trong lĩnh vực LED, màn hình và quang điện tử.
1. Cung cấp PSS chất lượng cao: Các chất nền sapphire được tạo hình với nhiều kích thước khác nhau (2", 4", 6") để đáp ứng nhu cầu của các thiết bị LED, màn hình và quang điện tử.
2. Thiết kế theo yêu cầu: Tùy chỉnh cấu trúc vi-nano bề mặt (như hình nón, hình chóp hoặc mảng lục giác) theo nhu cầu của khách hàng để tối ưu hóa hiệu quả thu nhận ánh sáng.
3. Hỗ trợ kỹ thuật: Cung cấp thiết kế ứng dụng PSS, tối ưu hóa quy trình và tư vấn kỹ thuật để giúp khách hàng nâng cao hiệu suất sản phẩm.
4. Hỗ trợ tăng trưởng epitaxy: PSS phù hợp với vật liệu epitaxy GaN được cung cấp để đảm bảo sự phát triển lớp epitaxy chất lượng cao.
5. Kiểm tra và chứng nhận: Cung cấp báo cáo kiểm tra chất lượng PSS để đảm bảo sản phẩm đáp ứng các tiêu chuẩn ngành.
Sơ đồ chi tiết
