Có thể sử dụng chất nền sapphire psphire PSS 2inch 4inch 6inch có thể được sử dụng cho chip LED

Có thể sử dụng cơ chất sapphire PSS 2inch 4inch 6inch có thể được sử dụng cho các chip LED hình ảnh nổi bật

Mô tả ngắn:

Chất nền sapphire có hoa văn (PSS) là một chất nền trên đó các cấu trúc vi mô và nano được hình thành bởi các kỹ thuật in thạch bản và khắc. Nó chủ yếu được sử dụng trong sản xuất LED (diode phát sáng) để cải thiện hiệu quả chiết nhẹ thông qua thiết kế tạo khuôn bề mặt, do đó cải thiện độ sáng và hiệu suất của LED.

Gửi email cho chúng tôi

Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Đặc điểm cốt lõi

1. Đặc điểm vật liệu: Vật liệu cơ chất là một sapphire tinh thể đơn (Al₂O₃), với độ cứng cao, điện trở cao và độ ổn định hóa học.

2. Cấu trúc bề mặt: Bề mặt được hình thành bằng phương pháp quang khắc và khắc thành các cấu trúc micro-nano định kỳ, chẳng hạn như hình nón, kim tự tháp hoặc mảng lục giác.

3. Hiệu suất quang học: Thông qua thiết kế tạo khuôn bề mặt, tổng phản xạ của ánh sáng tại giao diện bị giảm và hiệu suất chiết ánh sáng được cải thiện.

4. Hiệu suất nhiệt: Chất nền Sapphire có độ dẫn nhiệt tuyệt vời, phù hợp cho các ứng dụng LED công suất cao.

5. Thông số kỹ thuật kích thước: Kích thước phổ biến là 2 inch (50,8mm), 4 inch (100mm) và 6 inch (150mm).

Khu vực ứng dụng chính

1. Sản xuất LED:
Cải thiện hiệu quả chiết nhẹ: PSS làm giảm tổn thất ánh sáng thông qua thiết kế khuôn mẫu, cải thiện đáng kể độ sáng LED và hiệu quả phát sáng.

Cải thiện chất lượng tăng trưởng epiticular: Cấu trúc hoa văn cung cấp một cơ sở tăng trưởng tốt hơn cho các lớp epiticular của GaN và cải thiện hiệu suất LED.

2. Diode laser (LD):
Laser công suất cao: Độ dẫn nhiệt và độ ổn định cao của PSS phù hợp cho các điốt laser công suất cao, cải thiện hiệu suất phân tán nhiệt và độ tin cậy.

Hiện tại ngưỡng thấp: Tối ưu hóa tăng trưởng epiticular, giảm dòng ngưỡng của diode laser và nâng cao hiệu quả.

3. Photodetector:
Độ nhạy cao: Truyền ánh sáng cao và mật độ khiếm khuyết thấp của PSS cải thiện độ nhạy và tốc độ phản ứng của bộ quang điện tử.

Phản ứng phổ rộng: Thích hợp cho phát hiện quang điện trong phạm vi cực tím đến có thể nhìn thấy.

4. Điện tử điện:
Điện trở cao áp: Độ cách nhiệt cao và độ ổn định nhiệt của Sapphire phù hợp cho các thiết bị công suất điện áp cao.

Phản nhiệt hiệu quả: Độ dẫn nhiệt cao giúp cải thiện hiệu suất tản nhiệt của các thiết bị năng lượng và kéo dài tuổi thọ.

5. Thiết bị RF:
Hiệu suất tần số cao: Mất điện môi thấp và độ ổn định nhiệt cao của PSS phù hợp với các thiết bị RF tần số cao.

Tiếng ồn thấp: Độ phẳng cao và mật độ khuyết tật thấp làm giảm nhiễu thiết bị và cải thiện chất lượng tín hiệu.

6. Biosensors:
Phát hiện độ nhạy cao: Truyền ánh sáng cao và độ ổn định hóa học của PSS phù hợp cho cảm biến sinh học độ nhạy cao.

Khả năng tương thích sinh học: Khả năng tương thích sinh học của Sapphire làm cho nó phù hợp cho các ứng dụng y tế và sinh học.
Chất nền sapphire có hoa văn (PSS) với vật liệu epitaxial GaN:

Chất nền sapphire có hoa văn (PSS) là một chất nền lý tưởng cho sự tăng trưởng epiticular của gan (gallium nitride). Hằng số mạng của Sapphire gần với GaN, có thể làm giảm sự không phù hợp mạng và khiếm khuyết trong sự tăng trưởng epiticular. Cấu trúc micro-nano của bề mặt PSS không chỉ cải thiện hiệu quả chiết ánh sáng mà còn cải thiện chất lượng tinh thể của lớp epiticular, do đó cải thiện hiệu suất và độ tin cậy của đèn LED.

Thông số kỹ thuật

Mục	Chất nền sapphire có hoa văn (2 ~ 6 inch)
Đường kính	50,8 ± 0,1 mm	100,0 ± 0,2 mm	150,0 ± 0,3 mm
Độ dày	430 ± 25μm	650 ± 25μm	1000 ± 25μm
Định hướng bề mặt	Mặt phẳng C (0001) ngoài góc hướng tới M-trục (10-10) 0,2 ± 0,1 °
	Mặt phẳng C (0001) ngoài góc hướng tới trục a (11-20) 0 ± 0,1 °
Định hướng phẳng chính	A-Plane (11-20) ± 1,0 °
Chiều dài phẳng chính	16,0 ± 1,0 mm	30,0 ± 1,0 mm	47,5 ± 2,0 mm
R-mặt phẳng	9-O'Clock
Bề mặt hoàn thiện phía trước	Có hoa văn
Hoàn thiện bề mặt trở lại	SSP: mặt đất tốt, RA = 0,8-1.2um; DSP: Epi-Poled, RA <0,3nm
Dấu laser	Mặt sau
TTV	≤8μm	≤10μm	≤20μm
CÂY CUNG	≤10μm	≤15μm	≤25μm
Biến dạng	≤12μm	≤20μm	≤30μm
Loại trừ cạnh	≤2 mm
Đặc điểm kỹ thuật mẫu	Cấu trúc hình dạng	Mái vòm, hình nón, kim tự tháp
	Chiều cao mẫu	1.6 ~ 1,8μm
	Đường kính mẫu	2,75 ~ 2,85μm
	Không gian mẫu	0,1 ~ 0,3μm

XKH chuyên cung cấp các chất nền (PSS) chất lượng cao, tùy chỉnh với sự hỗ trợ kỹ thuật và dịch vụ sau bán hàng để giúp khách hàng đạt được sự đổi mới hiệu quả trong lĩnh vực LED, hiển thị và quang điện tử.

1. Cung cấp PSS chất lượng cao: Các chất nền sapphire có hoa văn với nhiều kích cỡ khác nhau (2 ", 4", 6 ") để đáp ứng nhu cầu của các thiết bị LED, hiển thị và quang điện tử.

2. Thiết kế tùy chỉnh: Tùy chỉnh cấu trúc micro-nano bề mặt (như hình nón, kim tự tháp hoặc mảng lục giác) theo nhu cầu của khách hàng để tối ưu hóa hiệu quả chiết nhẹ.

3. Hỗ trợ kỹ thuật: Cung cấp thiết kế ứng dụng PSS, tối ưu hóa quy trình và tư vấn kỹ thuật để giúp khách hàng cải thiện hiệu suất sản phẩm.

4. Hỗ trợ tăng trưởng epiticular: PSS phù hợp với vật liệu epiticular được cung cấp để đảm bảo tăng trưởng lớp epiticular chất lượng cao.

5. Kiểm tra và chứng nhận: Cung cấp báo cáo kiểm tra chất lượng PSS để đảm bảo rằng các sản phẩm đáp ứng các tiêu chuẩn của ngành.