Các sản phẩm
-
Tấm wafer chất nền HPSI SiC 6 inch Tấm wafer SiC bán xúc phạm
-
Tấm wafer SiC bán xúc phạm 4 inch Chất nền HPSI SiC Prime Cấp sản xuất
-
Tấm wafer nền 3 inch 76,2mm 4H-Semi SiC Tấm wafer SiC bán xúc phạm
-
Chất nền SiC 3 inch Dia76.2mm HPSI Prime Research và cấp Dummy
-
Tấm wafer nền SiC 4H-semi HPSI 2 inch Sản xuất giả Lớp nghiên cứu
-
Tấm SiC 2 inch Tấm nền SiC bán cách điện 6H hoặc 4H Dia50.8mm
-
8 inch 200mm Sapphire nền sapphire wafer mỏng độ dày 1SP 2SP 0,5mm 0,75mm
-
Tấm sapphire đơn tinh thể Al2O3 99,999% Dia200mm dày 1,0mm 0,75mm
-
Chất nền điện cực Sapphire và chất nền LED mặt phẳng C wafer
-
Tấm wafer Sapphire 156mm 159mm 6 inch cho CarrierC-Plane DSP TTV
-
Dia101.6mm 4inch M-plane Sapphire Chất nền Wafer LED Chất nền Độ dày 500um
-
Tấm sapphire 4 inch trục C / A / M tinh thể đơn Al2O3, chất nền sapphire có độ cứng cao SSP DSP