Các sản phẩm
-
Thanh và chốt nâng bằng sapphire công nghiệp, chốt sapphire Al2O3 độ cứng cao dùng cho việc xử lý wafer, hệ thống radar và gia công bán dẫn – Đường kính từ 1,6mm đến 2mm
-
Chốt nâng sapphire tùy chỉnh, linh kiện quang học đơn tinh thể Al2O3 độ cứng cao dùng cho chuyển wafer – Đường kính 1.6mm, 1.8mm, có thể tùy chỉnh cho các ứng dụng công nghiệp.
-
Thấu kính hình cầu sapphire, vật liệu Al2O3 cấp quang học, dải truyền dẫn 0,15-5,5µm, đường kính 1mm x 1,5mm.
-
Bi sapphire đường kính 1.0 1.1 1.5 dùng cho thấu kính quang học, độ cứng cao, đơn tinh thể.
-
Mặt kính sapphire màu, mặt kính sapphire nhiều màu cho đồng hồ, đường kính tùy chỉnh 40-38mm, độ dày 350um-550um, độ trong suốt cao
-
Tấm wafer InSb 2 inch 3 inch không pha tạp loại N loại P định hướng 111 100 dùng cho đầu dò hồng ngoại
-
Các tấm wafer Indium Antimonide (InSb) loại N, loại P, sẵn sàng cho quá trình epitaxy, không pha tạp, pha tạp Te hoặc pha tạp Ge, độ dày 2 inch, 3 inch, 4 inch.
-
Hộp đựng wafer đơn 2 inch, chất liệu PP hoặc PC. Được sử dụng trong các giải pháp wafer dạng đồng xu. Có các kích thước 1 inch, 3 inch, 4 inch, 5 inch, 6 inch và 12 inch.
-
SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C loại 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
-
Phương pháp Sapphire KY và EFG Ống sapphire thanh sapphire ống áp suất cao
-
Thỏi sapphire 3 inch 4 inch 6 inch, tinh thể đơn CZ, phương pháp KY, có thể tùy chỉnh.
-
Tấm nền bán dẫn GaAs công suất cao, chất nền gallium arsenide, laser công suất bước sóng 905nm dùng trong điều trị y tế bằng laser.