Các sản phẩm
-
loại p 4H/6H-P 3C-N LOẠI SIC chất nền 4 inch 〈111〉± 0,5°Zero MPD
-
Chất nền SiC loại P 4H/6H-P 3C-N 4 inch với độ dày 350um Cấp sản xuất Cấp giả
-
Tấm wafer SiC 4H/6H-P 6 inch Lớp không MPD Lớp sản xuất Lớp giả
-
Tấm wafer SiC loại P 4H/6H-P 3C-N dày 6 inch 350 μm với Định hướng phẳng sơ cấp
-
Cánh tay gốm Alumina tùy chỉnh Cánh tay robot bằng gốm
-
Ống sapphire Phương pháp KY hoàn toàn trong suốt Có thể tùy chỉnh
-
Al2O3 99,999% sapphire tùy chỉnh lưỡi trong suốt chống mài mòn 38 × 4,5 × 0,3mmt
-
Cấy tóc bằng lưỡi sapphire có thể được tùy chỉnh cho mục đích y tế
-
Bột nguyên liệu Lilac YAG tím có hàng
-
Quy trình TVG trên tấm wafer sapphire thạch anh BF33 Đục tấm wafer thủy tinh
-
Tấm wafer silicon đơn tinh thể Si Loại chất nền N/P Tấm wafer silicon cacbua tùy chọn
-
Chất nền tổng hợp SiC loại N Dia6inch Chất nền đơn tinh thể chất lượng cao và chất lượng thấp