Các sản phẩm
-
Kính quang học Ruby Thanh kính quang học tinh thể laser đá quý titan
-
Phương pháp CVD để sản xuất nguyên liệu SiC có độ tinh khiết cao trong lò tổng hợp silicon carbide ở nhiệt độ 1600℃
-
Lò nung tinh thể SiC 4 inch 6 inch 8 inch cho quy trình CVD
-
6 Inch 4H Loại SEMI Chất nền composite SiC Độ dày 500μm TTV≤5μm Cấp MOS
-
Cửa sổ quang học Sapphire định hình tùy chỉnh Linh kiện Sapphire được đánh bóng chính xác
-
Tấm/khay gốm SiC cho giá đỡ wafer 4 inch 6 inch cho ICP
-
Cửa sổ Sapphire hình dạng tùy chỉnh có độ cứng cao cho màn hình điện thoại thông minh
-
12 inch SiC Substrate N Loại Kích thước lớn Hiệu suất cao Ứng dụng RF
-
Tùy chỉnh N Loại SiC Hạt giống Chất nền Dia153/155mm Cho Điện tử Công suất
-
Thiết bị làm mỏng wafer cho quá trình xử lý wafer Sapphire/SiC/Si 4 inch-12 inch
-
Đường kính đế SiC 12 inch 300mm Độ dày 750μm Loại 4H-N có thể tùy chỉnh
-
Hạt giống tinh thể SiC tùy chỉnh Dia 205/203/208 Loại 4H-N cho truyền thông quang học