Quy trình được thực hiện bởi Thiết bị Nâng Laser Bán dẫn bắt đầu bằng việc chiếu xạ thỏi vật liệu từ một phía bằng chùm tia laser cực tím năng lượng cao. Chùm tia này được tập trung chặt chẽ vào một độ sâu bên trong cụ thể, thường dọc theo một giao diện được thiết kế, nơi năng lượng hấp thụ được tối đa hóa nhờ độ tương phản quang học, nhiệt hoặc hóa học.

Tại lớp hấp thụ năng lượng này, quá trình gia nhiệt cục bộ dẫn đến một vụ nổ vi mô nhanh chóng, sự giãn nở khí, hoặc sự phân hủy của lớp giao diện (ví dụ, màng ứng suất hoặc oxit hy sinh). Sự phá vỡ được kiểm soát chính xác này khiến lớp tinh thể phía trên — với độ dày hàng chục micromet — tách ra khỏi thỏi cơ sở một cách sạch sẽ.

Thiết bị Nâng Laser Bán Dẫn sử dụng đầu quét đồng bộ chuyển động, điều khiển trục z có thể lập trình và phép đo phản xạ thời gian thực để đảm bảo mỗi xung đều truyền năng lượng chính xác đến mặt phẳng mục tiêu. Thiết bị cũng có thể được cấu hình với chế độ xung liên tục hoặc đa xung để tăng cường độ mượt mà khi tách rời và giảm thiểu ứng suất dư. Quan trọng là, vì chùm tia laser không tiếp xúc vật lý với vật liệu, nên nguy cơ nứt vi mô, cong vênh hoặc sứt mẻ bề mặt được giảm đáng kể.

Điều này làm cho phương pháp làm mỏng bằng laser trở thành một bước đột phá, đặc biệt là trong các ứng dụng yêu cầu các tấm wafer siêu phẳng, siêu mỏng với TTV (Độ biến thiên độ dày tổng thể) dưới micron.