SiC
-
Tấm nền SIC 12 inch, silicon carbide loại cao cấp, đường kính 300mm, kích thước lớn 4H-N, thích hợp cho việc tản nhiệt thiết bị công suất cao.
-
Tấm wafer silicon carbide SiC 8 inch loại 4H-N 0,5mm, chất nền được đánh bóng tùy chỉnh, cấp độ sản xuất và cấp độ nghiên cứu.
-
Tấm wafer SiC HPSI đường kính: 3 inch độ dày: 350 µm ± 25 µm dùng cho mạch điện tử công suất
-
Tấm wafer SiC bán cách điện độ tinh khiết cao (HPSI) 3 inch, độ dày 350um, loại tiêu chuẩn (Drone grade) và loại cao cấp (Prime grade).
-
Tấm nền SiC loại P, tấm wafer SiC đường kính 2 inch, sản phẩm mới.
-
Tấm wafer Silicon Carbide (SiC) 8 inch (200mm) loại 4H-N, chất lượng sản xuất, độ dày 500um.
-
Tấm nền silicon carbide 6H-N 2 inch, dạng wafer SIC, được đánh bóng kép, dẫn điện, chất lượng cao, đạt tiêu chuẩn MOSFET.
-
Tấm wafer 4H-SiC 12 inch dùng cho kính chống phản xạ (AR).
-
Tấm wafer SiC HPSI có độ truyền quang ≥90%, đạt tiêu chuẩn quang học, dùng cho kính AI/AR.
-
Chất nền silicon carbide (SiC) bán cách điện, độ tinh khiết cao, dùng cho thủy tinh Ar.
-
Các tấm bán dẫn SiC 4H dạng màng mỏng dùng cho MOSFET điện áp cực cao (100–500 μm, 6 inch)
-
Tấm wafer SICOI (Silicon Carbide trên chất cách điện) - Màng SiC trên silicon