Khay kẹp gốm SiC, cốc hút gốm, gia công chính xác theo yêu cầu.

Mô tả ngắn gọn:

Khay hút bằng gốm silicon carbide là lựa chọn lý tưởng cho sản xuất chất bán dẫn nhờ độ cứng cao, độ dẫn nhiệt cao và độ ổn định hóa học tuyệt vời. Độ phẳng và độ hoàn thiện bề mặt cao đảm bảo tiếp xúc hoàn toàn giữa tấm wafer và khay hút, giảm thiểu ô nhiễm và hư hỏng; Khả năng chịu nhiệt và chống ăn mòn cao giúp nó phù hợp với môi trường xử lý khắc nghiệt; Đồng thời, thiết kế nhẹ và đặc tính tuổi thọ cao giúp giảm chi phí sản xuất và là thành phần quan trọng không thể thiếu trong các quy trình cắt, đánh bóng, in thạch bản và các quy trình khác trên wafer.


Đặc trưng

Đặc điểm vật liệu:

1. Độ cứng cao: Độ cứng Mohs của cacbua silic là 9,2-9,5, chỉ đứng sau kim cương, có khả năng chống mài mòn cao.
2. Độ dẫn nhiệt cao: Độ dẫn nhiệt của cacbua silic cao tới 120-200 W/m·K, có thể tản nhiệt nhanh và phù hợp với môi trường nhiệt độ cao.
3. Hệ số giãn nở nhiệt thấp: Hệ số giãn nở nhiệt của cacbua silic thấp (4,0-4,5×10⁻⁶/K), vẫn có thể duy trì độ ổn định kích thước ở nhiệt độ cao.
4. Độ ổn định hóa học: cacbua silic có khả năng chống ăn mòn axit và kiềm, thích hợp sử dụng trong môi trường ăn mòn hóa học.
5. Độ bền cơ học cao: cacbua silic có độ bền uốn và độ bền nén cao, có thể chịu được ứng suất cơ học lớn.

Đặc trưng:

1. Trong ngành công nghiệp bán dẫn, các tấm bán dẫn cực mỏng cần được đặt trên cốc hút chân không, lực hút chân không được sử dụng để cố định các tấm bán dẫn, và các quy trình đánh bóng, làm mỏng, đánh bóng, làm sạch và cắt được thực hiện trên các tấm bán dẫn.
2. Đầu hút silicon carbide có khả năng dẫn nhiệt tốt, có thể rút ngắn thời gian bôi sáp và tạo hình sáp một cách hiệu quả, nâng cao hiệu suất sản xuất.
3. Đầu hút chân không bằng silicon carbide cũng có khả năng chống ăn mòn axit và kiềm tốt.
4. So với tấm đỡ corundum truyền thống, nó giúp rút ngắn thời gian gia nhiệt và làm nguội khi chất tải và dỡ tải, nâng cao hiệu quả công việc; đồng thời, nó có thể giảm mài mòn giữa các tấm trên và dưới, duy trì độ chính xác mặt phẳng tốt và kéo dài tuổi thọ khoảng 40%.
5. Tỷ lệ vật liệu nhỏ, trọng lượng nhẹ. Người vận hành dễ dàng mang vác pallet hơn, giảm nguy cơ hư hỏng do va chạm trong quá trình vận chuyển khoảng 20%.
6. Kích thước: đường kính tối đa 640mm; Độ phẳng: 3um hoặc nhỏ hơn

Lĩnh vực ứng dụng:

1. Sản xuất chất bán dẫn
●Xử lý tấm bán dẫn:
Dùng để cố định tấm bán dẫn trong các quy trình quang khắc, khắc axit, lắng đọng màng mỏng và các quy trình khác, đảm bảo độ chính xác cao và tính nhất quán của quy trình. Khả năng chịu nhiệt và chống ăn mòn cao phù hợp với môi trường sản xuất chất bán dẫn khắc nghiệt.
●Sự phát triển theo chiều dọc:
Trong quá trình tăng trưởng màng mỏng SiC hoặc GaN, chất mang đóng vai trò là chất làm nóng và cố định các tấm wafer, đảm bảo độ đồng nhất về nhiệt độ và chất lượng tinh thể ở nhiệt độ cao, từ đó cải thiện hiệu suất thiết bị.
2. Thiết bị quang điện
●Sản xuất đèn LED:
Được sử dụng để cố định chất nền sapphire hoặc SiC, và như một chất mang nhiệt trong quy trình MOCVD, nhằm đảm bảo tính đồng nhất của sự phát triển lớp màng mỏng, cải thiện hiệu suất và chất lượng phát sáng của đèn LED.
●Điốt laser:
Là một thiết bị gá lắp có độ chính xác cao, nó cố định và gia nhiệt chất nền để đảm bảo sự ổn định nhiệt độ trong quá trình sản xuất, giúp cải thiện công suất đầu ra và độ tin cậy của diode laser.
3. Gia công chính xác
●Gia công linh kiện quang học:
Nó được sử dụng để cố định các linh kiện chính xác như thấu kính quang học và bộ lọc nhằm đảm bảo độ chính xác cao và giảm thiểu ô nhiễm trong quá trình gia công, và phù hợp với gia công cường độ cao.
●Gia công gốm sứ:
Là một loại gá có độ ổn định cao, nó thích hợp cho việc gia công chính xác các vật liệu gốm, đảm bảo độ chính xác và tính nhất quán của quá trình gia công trong môi trường nhiệt độ cao và ăn mòn.
4. Thí nghiệm khoa học
●Thí nghiệm nhiệt độ cao:
Là một thiết bị cố định mẫu trong môi trường nhiệt độ cao, nó hỗ trợ các thí nghiệm ở nhiệt độ khắc nghiệt trên 1600°C để đảm bảo tính đồng nhất về nhiệt độ và độ ổn định của mẫu.
●Kiểm tra chân không:
Là chất mang cố định và gia nhiệt mẫu trong môi trường chân không, nhằm đảm bảo độ chính xác và tính lặp lại của thí nghiệm, thích hợp cho quá trình phủ chân không và xử lý nhiệt.

Thông số kỹ thuật:

(Tính chất vật liệu)

(Đơn vị)

(ssic)

(Hàm lượng SiC)

 

(Wt)%

>99

(Kích thước hạt trung bình)

 

micromet

4-10

(Tỉ trọng)

 

kg/dm3

>3.14

(Độ xốp biểu kiến)

 

Vo1%

<0,5

(Độ cứng Vickers)

HV 0.5

GPa

28

*(Sức bền uốn)
* (ba điểm)

20ºC

MPa

450

(Độ bền nén)

20ºC

MPa

3900

(Modun đàn hồi)

20ºC

GPa

420

(Độ bền chống gãy)

 

MPa/m'%

3.5

(Độ dẫn nhiệt)

20°C

W/(m*K)

160

(Điện trở suất)

20°C

Ohm.cm

106-108


(Hệ số giãn nở nhiệt)

a(RT**...80ºC)

K-1*10-6

4.3


(Nhiệt độ hoạt động tối đa)

 

oºC

1700

Với nhiều năm tích lũy kỹ thuật và kinh nghiệm trong ngành, XKH có khả năng tùy chỉnh các thông số quan trọng như kích thước, phương pháp gia nhiệt và thiết kế hút chân không của mâm cặp theo nhu cầu cụ thể của khách hàng, đảm bảo sản phẩm hoàn toàn phù hợp với quy trình của khách hàng. Mâm cặp gốm silicon carbide (SiC) đã trở thành thành phần không thể thiếu trong quá trình xử lý wafer, tăng trưởng epitaxy và các quy trình quan trọng khác nhờ khả năng dẫn nhiệt tuyệt vời, độ ổn định ở nhiệt độ cao và độ ổn định hóa học. Đặc biệt trong sản xuất vật liệu bán dẫn thế hệ thứ ba như SiC và GaN, nhu cầu về mâm cặp gốm silicon carbide tiếp tục tăng trưởng. Trong tương lai, với sự phát triển nhanh chóng của công nghệ 5G, xe điện, trí tuệ nhân tạo và các công nghệ khác, triển vọng ứng dụng của mâm cặp gốm silicon carbide trong ngành công nghiệp bán dẫn sẽ rộng mở hơn.

hình ảnh 3
hình ảnh 2
hình ảnh 1
hình ảnh 4

Sơ đồ chi tiết

Mâm cặp gốm SiC 6
Mâm cặp gốm SiC 5
Mâm cặp gốm SiC 4

  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Hãy viết tin nhắn của bạn vào đây và gửi cho chúng tôi.