Lò phát triển tinh thể SiC Lò phát triển thỏi SiC 4 inch 6 inch 8 inch PTV Lely TSSG Phương pháp phát triển LPE
Các phương pháp phát triển tinh thể chính và đặc điểm của chúng
(1) Phương pháp truyền hơi vật lý (PTV)
Nguyên tắc: Ở nhiệt độ cao, nguyên liệu SiC thăng hoa thành pha khí, sau đó được kết tinh lại trên tinh thể mầm.
Các tính năng chính:
Nhiệt độ tăng trưởng cao (2000-2500°C).
Có thể phát triển các tinh thể 4H-SiC và 6H-SiC chất lượng cao, kích thước lớn.
Tốc độ tăng trưởng chậm nhưng chất lượng tinh thể cao.
Ứng dụng: Chủ yếu được sử dụng trong bán dẫn công suất, thiết bị RF và các lĩnh vực cao cấp khác.
(2) Phương pháp Lely
Nguyên tắc: Tinh thể được tạo ra bằng cách thăng hoa tự phát và kết tinh lại bột SiC ở nhiệt độ cao.
Các tính năng chính:
Quá trình sinh trưởng không cần hạt giống và kích thước tinh thể nhỏ.
Chất lượng tinh thể cao nhưng hiệu quả sinh trưởng thấp.
Thích hợp cho nghiên cứu trong phòng thí nghiệm và sản xuất hàng loạt nhỏ.
Ứng dụng: Chủ yếu được sử dụng trong nghiên cứu khoa học và chế tạo tinh thể SiC kích thước nhỏ.
(3) Phương pháp nuôi cấy dung dịch Top Seed (TSSG)
Nguyên tắc: Trong dung dịch nhiệt độ cao, nguyên liệu SiC hòa tan và kết tinh trên tinh thể mầm.
Các tính năng chính:
Nhiệt độ tăng trưởng thấp (1500-1800°C).
Có thể phát triển các tinh thể SiC chất lượng cao, ít khuyết tật.
Tốc độ tăng trưởng chậm nhưng độ đồng đều của tinh thể tốt.
Ứng dụng: Thích hợp để chế tạo tinh thể SiC chất lượng cao, chẳng hạn như thiết bị quang điện tử.
(4) Epitaxy pha lỏng (LPE)
Nguyên lý: Trong dung dịch kim loại lỏng, nguyên liệu SiC phát triển epitaxial trên chất nền.
Các tính năng chính:
Nhiệt độ tăng trưởng thấp (1000-1500°C).
Tốc độ tăng trưởng nhanh, thích hợp cho sự phát triển của màng.
Chất lượng tinh thể cao, nhưng độ dày bị hạn chế.
Ứng dụng: Chủ yếu được sử dụng để phát triển epitaxial các màng SiC, chẳng hạn như cảm biến và thiết bị quang điện tử.
Các cách ứng dụng chính của lò tinh thể silicon carbide
Lò tinh thể SiC là thiết bị cốt lõi để chế tạo tinh thể sic và các ứng dụng chính của nó bao gồm:
Sản xuất thiết bị bán dẫn công suất: Dùng để phát triển tinh thể 4H-SiC và 6H-SiC chất lượng cao làm vật liệu nền cho các thiết bị công suất (như MOSFET, diode).
Ứng dụng: xe điện, biến tần quang điện, nguồn điện công nghiệp, v.v.
Sản xuất thiết bị RF: Dùng để phát triển tinh thể SiC có lỗi thấp làm chất nền cho các thiết bị RF nhằm đáp ứng nhu cầu tần số cao của truyền thông 5G, radar và truyền thông vệ tinh.
Sản xuất thiết bị quang điện tử: Dùng để phát triển tinh thể SiC chất lượng cao làm vật liệu nền cho đèn LED, máy dò tia cực tím và tia laser.
Nghiên cứu khoa học và sản xuất hàng loạt nhỏ: dành cho nghiên cứu trong phòng thí nghiệm và phát triển vật liệu mới nhằm hỗ trợ đổi mới và tối ưu hóa công nghệ phát triển tinh thể SiC.
Sản xuất thiết bị chịu nhiệt độ cao: Được sử dụng để phát triển tinh thể SiC chịu nhiệt độ cao làm vật liệu cơ bản cho cảm biến hàng không vũ trụ và cảm biến nhiệt độ cao.
Thiết bị và dịch vụ lò SiC do công ty cung cấp
XKH tập trung vào việc phát triển và sản xuất thiết bị lò nung tinh thể SIC, cung cấp các dịch vụ sau:
Thiết bị tùy chỉnh: XKH cung cấp lò nuôi cấy tùy chỉnh với nhiều phương pháp nuôi cấy khác nhau như PTV và TSSG theo yêu cầu của khách hàng.
Hỗ trợ kỹ thuật: XKH cung cấp cho khách hàng hỗ trợ kỹ thuật cho toàn bộ quá trình, từ tối ưu hóa quy trình phát triển tinh thể đến bảo trì thiết bị.
Dịch vụ đào tạo: XKH cung cấp đào tạo vận hành và hướng dẫn kỹ thuật cho khách hàng để đảm bảo thiết bị vận hành hiệu quả.
Dịch vụ sau bán hàng: XKH cung cấp dịch vụ sau bán hàng phản hồi nhanh và nâng cấp thiết bị để đảm bảo tính liên tục của sản xuất của khách hàng.
Công nghệ phát triển tinh thể silicon carbide (như PTV, Lely, TSSG, LPE) có ứng dụng quan trọng trong lĩnh vực điện tử công suất, thiết bị RF và quang điện tử. XKH cung cấp thiết bị lò SiC tiên tiến và đầy đủ các dịch vụ để hỗ trợ khách hàng sản xuất tinh thể SiC chất lượng cao quy mô lớn và giúp phát triển ngành công nghiệp bán dẫn.
Sơ đồ chi tiết
