Ống kính quang học Sic 6SP 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI Kích thước tùy chỉnh

1. Chỉ số khúc xạ cao & Cửa sổ truyền dẫn rộng: Thấu kính quang học SiC thể hiện hiệu suất quang học đặc biệt với chỉ số khúc xạ khoảng 2,6-2,7 trên toàn bộ quang phổ hoạt động của chúng. Cửa sổ truyền dẫn rộng này (600-1850 nm) bao gồm cả vùng khả kiến ​​và vùng hồng ngoại gần, khiến chúng đặc biệt có giá trị đối với các hệ thống hình ảnh đa quang phổ và các ứng dụng quang học băng thông rộng. Hệ số hấp thụ thấp của vật liệu trong các phạm vi này đảm bảo suy giảm tín hiệu tối thiểu, ngay cả trong các ứng dụng laser công suất cao.

2. Tính chất quang học phi tuyến tính đặc biệt: Cấu trúc tinh thể độc đáo của silicon carbide mang lại cho nó các hệ số quang học phi tuyến tính đáng chú ý (χ(2) ≈ 15 pm/V, χ(3) ≈ 10-20 m2/V2), cho phép các quy trình chuyển đổi tần số hiệu quả. Các tính chất này đang được khai thác tích cực trong các ứng dụng tiên tiến như bộ dao động tham số quang học, hệ thống laser siêu nhanh và các thiết bị xử lý tín hiệu toàn quang. Ngưỡng hư hỏng cao của vật liệu (>5 GW/cm2) càng làm tăng thêm tính phù hợp của nó đối với các ứng dụng cường độ cao.

3. Độ ổn định cơ học và nhiệt: Với mô đun đàn hồi gần 400 GPa và độ dẫn nhiệt vượt quá 300 W/m·K, các thành phần quang học SiC duy trì độ ổn định đặc biệt dưới ứng suất cơ học và chu kỳ nhiệt. Hệ số giãn nở nhiệt cực thấp (4,0×10-6/K) đảm bảo độ dịch chuyển tiêu cự tối thiểu khi nhiệt độ thay đổi, một lợi thế quan trọng đối với các hệ thống quang học chính xác hoạt động trong môi trường nhiệt độ dao động như các ứng dụng không gian hoặc thiết bị xử lý laser công nghiệp.

4. Tính chất lượng tử: Các trung tâm màu vacancy silicon (VSi) và divacancy (VSiVC) trong polytype 4H-SiC và 6H-SiC thể hiện trạng thái spin có thể định địa chỉ quang học với thời gian kết hợp dài ở nhiệt độ phòng. Các bộ phát lượng tử này đang được tích hợp vào các mạng lượng tử có thể mở rộng và đặc biệt hứa hẹn để phát triển các cảm biến lượng tử ở nhiệt độ phòng và các thiết bị bộ nhớ lượng tử trong các kiến ​​trúc điện toán lượng tử quang tử.

5. Khả năng tương thích CMOS: Khả năng tương thích của SiC với các quy trình chế tạo bán dẫn tiêu chuẩn cho phép tích hợp trực tiếp nguyên khối với các nền tảng quang tử silicon. Điều này cho phép tạo ra các hệ thống quang tử-điện tử lai kết hợp các lợi thế quang học của SiC với chức năng điện tử của silicon, mở ra những khả năng mới cho các thiết kế hệ thống trên chip trong các ứng dụng cảm biến và tính toán quang học.