SiC
-
Tấm nền silicon carbide Sic 2 inch 6H-N Loại 0,33mm 0,43mm đánh bóng hai mặt Độ dẫn nhiệt cao Tiêu thụ điện năng thấp
-
Chất nền SiC 3 inch độ dày 350um loại HPSI Prime Grade giả
-
Thỏi SiC Silicon Carbide 6 inch loại N Độ dày giả/cấp chính có thể tùy chỉnh
-
Thỏi bán cách điện Silicon Carbide 4H-SiC 6 inch, Cấp độ giả
-
Thỏi SiC loại 4H Đường kính 4 inch 6 inch Độ dày 5-10mm Nghiên cứu / Giả cấp
-
Chất nền Sic Silicon Carbide Wafer 4H-N Loại Độ cứng cao Chống ăn mòn Đánh bóng cấp cao
-
Tấm wafer silicon carbide 2 inch loại 6H-N loại Prime Grade loại nghiên cứu loại giả độ dày 330μm 430μm
-
Chất nền silicon carbide 2 inch 6H-N đánh bóng hai mặt đường kính 50,8mm cấp sản xuất cấp nghiên cứu
-
Chất nền composite SiC loại N Dia6inch Chất nền đơn tinh thể chất lượng cao và chất nền chất lượng thấp
-
Vật liệu nền composite SiC bán cách điện Dia2inch 4inch 6inch 8inch HPSI
-
SiC loại N trên nền composite Si Dia6inch
-
Chất nền SiC Dia200mm 4H-N và HPSI Silicon carbide