Mâm cặp gốm cacbua silic cho tấm wafer SiC sapphire Si GAA

Mô tả ngắn gọn:

Mâm cặp gốm cacbua silic là một nền tảng hiệu suất cao được thiết kế cho các ứng dụng kiểm tra bán dẫn, chế tạo tấm bán dẫn và liên kết. Được chế tạo bằng các vật liệu gốm tiên tiến—bao gồm SiC thiêu kết (SSiC), SiC liên kết phản ứng (RSiC), nitrua silic và nitrua nhôm—nó mang lại độ cứng cao, độ giãn nở nhiệt thấp, khả năng chống mài mòn tuyệt vời và tuổi thọ cao.


Đặc trưng

Sơ đồ chi tiết

第1页-6_副本
第1-4

Tổng quan về mâm cặp gốm Silicon Carbide (SiC).

CáiMâm cặp gốm cacbua siliclà một nền tảng hiệu năng cao được thiết kế cho các ứng dụng kiểm tra bán dẫn, chế tạo tấm bán dẫn và liên kết. Được chế tạo bằng vật liệu gốm tiên tiến—bao gồmSiC thiêu kết (SSiC), SiC liên kết phản ứng (RSiC), silicon nitride, Vànhôm nitrua—nó cung cấpĐộ cứng cao, hệ số giãn nở nhiệt thấp, khả năng chống mài mòn tuyệt vời và tuổi thọ sử dụng lâu dài..

Với kỹ thuật chế tạo chính xác và công nghệ đánh bóng tiên tiến, mâm cặp này mang lại hiệu quả vượt trội.Độ phẳng dưới micromet, bề mặt chất lượng như gương và độ ổn định kích thước lâu dài, điều này khiến nó trở thành giải pháp lý tưởng cho các quy trình bán dẫn quan trọng.

Ưu điểm chính

  • Độ chính xác cao
    Độ phẳng được kiểm soát trong0,3–0,5 μm, đảm bảo tính ổn định của tấm bán dẫn và độ chính xác quy trình nhất quán.

  • Đánh bóng gương
    Đạt đượcRa 0,02 μmĐộ nhám bề mặt, giảm thiểu trầy xước và ô nhiễm trên tấm wafer — hoàn hảo cho môi trường siêu sạch.

  • Siêu nhẹ
    Bền hơn nhưng nhẹ hơn so với chất nền thạch anh hoặc kim loại, giúp cải thiện khả năng điều khiển chuyển động, độ nhạy và độ chính xác định vị.

  • Độ cứng cao
    Mô đun Young vượt trội đảm bảo độ ổn định kích thước dưới tải trọng nặng và hoạt động tốc độ cao.

  • Độ giãn nở nhiệt thấp
    Hệ số giãn nở nhiệt (CTE) rất phù hợp với các tấm wafer silicon, giúp giảm ứng suất nhiệt và nâng cao độ tin cậy của quy trình.

  • Khả năng chống mài mòn vượt trội
    Độ cứng cực cao giúp duy trì độ phẳng và độ chính xác ngay cả khi sử dụng lâu dài với tần suất cao.

Quy trình sản xuất

  • Chuẩn bị nguyên liệu thô
    Bột SiC có độ tinh khiết cao với kích thước hạt được kiểm soát và hàm lượng tạp chất cực thấp.

  • Tạo hình và thiêu kết
    Các kỹ thuật nhưthiêu kết không áp suất (SSiC) or liên kết phản ứng (RSiC)Sản xuất các chất nền gốm đặc, đồng nhất.

  • Gia công chính xác
    Mài CNC, cắt laser và gia công siêu chính xác đạt được dung sai ±0,01 mm và độ song song ≤3 μm.

  • Xử lý bề mặt
    Mài và đánh bóng nhiều giai đoạn đạt độ nhám bề mặt Ra 0,02 μm; có các lớp phủ tùy chọn để tăng khả năng chống ăn mòn hoặc đặc tính ma sát theo yêu cầu.

  • Kiểm tra và kiểm soát chất lượng
    Máy đo giao thoa và máy kiểm tra độ nhám giúp xác minh sự phù hợp với các thông số kỹ thuật cấp bán dẫn.

Thông số kỹ thuật

Tham số Giá trị Đơn vị
Độ phẳng ≤0,5 μm
Kích thước wafer 6'', 8'', 12'' (có thể đặt làm theo yêu cầu)
Loại bề mặt Loại ghim / Loại vòng
Chiều cao chốt 0,05–0,2 mm
Đường kính chốt tối thiểu ϕ0.2 mm
Khoảng cách tối thiểu giữa các chân 3 mm
Chiều rộng vòng đệm tối thiểu 0,7 mm
Độ nhám bề mặt Ra 0,02 μm
Dung sai độ dày ±0,01 mm
Dung sai đường kính ±0,01 mm
Dung sai song song ≤3 μm

 

Ứng dụng chính

  • Thiết bị kiểm tra tấm bán dẫn

  • Hệ thống chế tạo và chuyển giao tấm bán dẫn

  • Công cụ ghép nối và đóng gói wafer

  • Sản xuất thiết bị quang điện tử tiên tiến

  • Các dụng cụ chính xác yêu cầu bề mặt siêu phẳng và siêu sạch.

Hỏi đáp – Mâm cặp gốm cacbua silic

Câu 1: Mâm cặp gốm SiC có những ưu điểm gì so với mâm cặp thạch anh hoặc kim loại?
A1: Mâm cặp SiC nhẹ hơn, cứng hơn và có hệ số giãn nở nhiệt (CTE) gần với tấm silicon, giúp giảm thiểu biến dạng nhiệt. Chúng cũng có khả năng chống mài mòn vượt trội và tuổi thọ cao hơn.

Câu 2: Độ phẳng tối đa có thể đạt được là bao nhiêu?
A2: Được kiểm soát trong0,3–0,5 μmĐáp ứng những yêu cầu khắt khe của ngành sản xuất chất bán dẫn.

Câu 3: Bề mặt có làm xước các tấm wafer không?
A3: Không — được đánh bóng như gươngRa 0,02 μm, đảm bảo thao tác không gây trầy xước và giảm thiểu sự phát sinh hạt bụi.

Câu 4: Kích thước wafer nào được hỗ trợ?
A4: Kích thước tiêu chuẩn của6'', 8'' và 12''Có thể tùy chỉnh theo yêu cầu.

Câu 5: Điện trở nhiệt như thế nào?
A5: Gốm SiC mang lại hiệu suất tuyệt vời ở nhiệt độ cao với độ biến dạng tối thiểu dưới tác động của chu kỳ nhiệt.

Về chúng tôi

XKH chuyên phát triển, sản xuất và kinh doanh các loại kính quang học đặc biệt và vật liệu tinh thể mới với công nghệ cao. Sản phẩm của chúng tôi phục vụ cho ngành điện tử quang học, điện tử tiêu dùng và quân sự. Chúng tôi cung cấp các linh kiện quang học Sapphire, nắp ống kính điện thoại di động, gốm sứ, LT, Silicon Carbide (SIC), thạch anh và tấm bán dẫn tinh thể. Với chuyên môn cao và thiết bị hiện đại, chúng tôi vượt trội trong gia công các sản phẩm phi tiêu chuẩn, hướng tới mục tiêu trở thành doanh nghiệp công nghệ cao hàng đầu về vật liệu quang điện tử.

456789

  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Hãy viết tin nhắn của bạn vào đây và gửi cho chúng tôi.